Сверхпроводящий композиционный провод

(51) 5 Н 01 ГОСУДЛРСТВЕННЫИ НОМИПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРПРИ ГННТ СССР Е ИЗОБРЕТЕНИЯСНИДЕЗ ЕЛЬСТВУ еских пробмашнев,Э3.ОЗИЦИОН 1 ЫЙ я к техни и,в част ми порошк лическо (кривая ой 410 юнм" етки, ра 246455/075,05.877.01.92, Был, Р 1(71) Иююстюютут новых химичююс и ЛП СССР,ческой сверхпроводимости.ности, к получению ;юетода Изобретение относится к технической сверхпроводимости, а именно к производству методами порошковой металлургии проводов и кабелей на основе сверхпроводящих соединений струк турных типов В 1 (ИЬН ююЬБС, ИЪТдИС) А 15 РЬзБп, ЧзБ. Ю,юСе и дре)а. также юраз Ыевреля (РЬююМОь 89 у) и оксидиых систем (1.аВаСп 04 ю, УВа Со О и др)Цель изобретения - повышение ве-личин критического магнитного поля и критической плотности тока в больших магнитных полях.Иа чертеже показана полевая эависююмость критической плотности тока в: сверхпроводящих композиционных проводах на основе соединения ЫЬИ юг С юю,.юн которых субмикронные частицы сверхююроююююдююююн го соедююююеюююию ююе имеют дс 11 яюрьюаююююи кристаллической решетки (кривая 1) и с деформацией кристадвой металлургии проводов нг основе сверхпроводящих соединений структур" пьм типпв В 1, А 15, а также Фаз Иевредююю и оксююдююых ю ююс Гаме 11 глюэ юю.юоюэргте ююю 1 я ююоюююиююю.юююе велюючин крюютичесхого магниткого полк и критической плотности тока проводов в больших магнитньм полях. Сверхпроводящий композиционный провод состоит из пластичной оболочки и по крайней мере одного по". ристого волокна из порошка сверхпроводящего соединения с субмикронными частицами, кристаллограЬюючески изоли рованнь.ми друг от друга и имеющими величину деФормации кристаллической.юрешетки 10 - 10 нм. 1 ил. Сверхпроводящий провод содержит. пластичную оболочку и закюпоченююое в .ней по крайней мере одно пористоеволокно с объемной долей пор не ме- фнее 0,35. Волокно получают из порошка 4Сверхпроводящего соединения с субмик- ВаюююЮронными частицами,.причем частицы фкристаллографически изолированы друг . ай.от друга, а величина деформации кристал,лической решетки в частицах составляет .юю 10 - 10 ююм. Для субмикронных частиц ,размером 10-1.00 нм получить деформациюо)решетки больше 10 -фв настоящее время , юВфтехническюг невозможно, При деформа- . вРции частиц укаэанного размера, мень"шей 10- им, не происходит повююшениавеличин критического тока и критичас"кого магнитного поля, что установлено экспериментально.,Сос) ав Тех ред тель Ю.ЦьбМ.йидьз( ека еевееайвевевафавеаеееае еднктор Г,ь к Орректо а йв еа вв вв вв ее6по изоб 1Заказ 788ИИП Государст Тггрн Подписноетениям и отская наб ,аеарааеаааваеаеве венного комитета113035, Москва,крытням при ГКде 4/5 ввее ее еваееааевваеаее ее Производствен олиграфическ ие. г.Ущго др Уле Провктная равд 3 14541514Все прогодн с порнстостью част 1 сверхпроводяпего соединениябполоны менее 0,35 не позволяет донм. Критические параметрыф Нбнтьсл крггсталлографческой иэолиро ЭО Тл;(4,2 К, 5 Тл1 кА/ммф.аности чнстц в нем. П р и м е р 4, Провод имеет такуюП р и и е р 1. Композиционныйбже конструкцию, что и в примере 1серхггроводлщй провод состоит из, Дефектггость кристаллической решеткимедной оболочки толщиной 0,30 мм и . частиц сверхпроводящего соединенияразмещенного в ней пористого волокна 5 10 ф нм. Критические параметрыединметром 1,40 мм иэ ультрадисперсноО Нс., 15 Тл;(4,2 К; 5 Тл) 0,06 кА/го пор(ггггка соедиеил ИЬ С ,1. /ммф,1Объемная доля пор в волокне 0,35. Де- . изобретение позволяет повысить вфсктггость кристаллической решеткинесколько раэ токонесущую способ 5 10 им. Провод допускает изгиб без ность проводов, особенно в высокихухудшения критических параметров .ра" 15.магнитных полях, путер значительногаднусом порядка 5 мм и имеет следую- (до -60 Тл для соединения ЫЫ 1 е Се,фщис серхпроводящие свойства: величи" ) увеличения величины критического маг011 Н (РТЧЕСКРГО М 6 ИТНОГО ПОЛЯ Н е НИТНОГО ПОЛЯ е7г") 7 р,ггел)н критической плот)1 1(н(42 К 1 5 Тл) 1 р 851(А/ 20 Ф О р И у л я и 3 О 6 р ее 1 и ф/мм. Пгг(Щр эготое)й иэ чнсФтнц тО же рнэмерн, но без деформа-Сверхпроводящий композиционныйцнн кристаллических решеток, имел. провод, состоящий из,пластичнойзначительно более низкие сверхпроновв оболочки и по крайней иере одного п(д)ие свойства: Н11 Тл,. Л с (4,2 К; р ристого волокна с объемной долей пор5 Тл)=0,05 кА/имф . не менее О;35, выполненного из сверхП р и м е р 2. Провод имеет такую проводящего соеинения с субмикрон(с конструкцнго, чтов примере 1. : ными частицами, о т л и ч а ю щ и йдс(1)ектгг,гсть кристаллической решетки с я тем, что, с целью повышения веаечнстнц сгерхпроводяпего соединения З) лицин критического магнитного поля10 нм, Кристаллические параметрьи критической плотности тока .в боль-.П"59 Тл:, , ,4,2 К; 5 Тл) 3 кА/ими . ших магнитных полях, частицы сверх"П р и и е р Э. Провод имеет такую проводящего соединения- кристалличес-,же конструкцию, что и в примере 1. кой .решетки в частицах составляетДефектость кристаллической решетки 10 - 10 ф нме1