Устройство для поддержания равномерного увлажнения почвы

Номер патента: 1492071

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бондаренко, Бронфен, Костюнин, Кувшинов, Онопко, Фирстов

МПК: E21D 23/16

Метки: гидростоек, клапан, крепей, предохранительный, шахтных

...14 и гайку 15.Клапан работает следующим образом.Иэ поршневой полости гидростойки(не показана) рабочая жидкость поддавлением поступает в расточку 4корпуса 1 и далее в канал 7 седла6 и в расточку 11 указателя 10 текущего давления. По мере нарастаниядавления в поршневой полости гидростойки указатель 10 высокого давления перемещается, сжимая пружину14 до тех пор, пока кольцевое уплотнение 12 не выходит за пределы радиальных каналов 8, После этого высокое давление по радиальным каналам 8 соединяется со сливом и поканалам 3 сливается на почву. По количеству показывающих рисок 13 можноопределить величину давления срабатывания клапана. При малых расходахседло 6 остается,в исходном положении, так как оно гидравлически разгружено и установлено с...

Номер патента: 1738118

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Савельев, Умаров

МПК: A01C 1/02

Метки: оценки, роста, семян, силы

...с откиднойдверкой 12 и выступом 13 за водопоглощающей прослойкой, причем прозрачныестенки соединены между собой жесткимитягами 14, а внутренние стенки - с помощью 30изменяющих свою длину тяг 15. Жесткиетяги проходят в отверстия внутренней стенки с возможностью последних свободно перемещаться по жестким тягам,Устройство работает следующим обраЗОМ.Семена, например, кенафа в камеру 5проращивания загружают и закрываютдверкой 12. Семена прижимаются заходящей в камеру проращивания водопоглощающей прослойкой 8. Чтобы семена непадали вниз из камеры проращивания, ихприжимают внутренней перегородкой 10через уплотнительную прослойку 9 к прозрачной стенке. Наличие направителей 6 45роста позволяет иметь для ростков свободное для их развития...

Номер патента: 121464

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Гордюк

МПК: C21D 1/10, C21D 9/06

Метки: закалки, закалочный, остряков, рельсов, способа, стенд, стрелочных

...1, Способ закалки рельсов и стрелочных остряков путем поверхггостпо-последовательного нагрева головки рельса и остряка с определенной скоростью с применением для нагрева индукционных токов, кислородно-ацетиленового пламени илп других известных источников нагрева и последовательного вслед за нагревом охлаждения, от л и ч а и гц и й с я тем, что, с целью предупреждения появления остаточного короблспия после закалки, закалку рельсов и остряков производят в упруго-изогнутом состоянии, без жесткого их крепления, головкой вверх за счет гриложеппя к пим соответствуОщих изгибающих моментов,2. Закалочный стенд для осунгествлепия способа по п. 1 состоящий из фермы, перемещающейся на колесах по рельсам от своего привода, и закалочпой...

Номер патента: 254423

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Иванов

МПК: B03C 5/00

...определе ленного коцц ствием магииИзвестны с постоянном ния потока р нита. е отно нного ентрир ного п пособь агнитн аствор ов в скато- аг 4 и лцсть мис ода од цю доди. ной енвия ам, ов- погде деляеого поля, ополюса;раствора;ра;магнитного поина удельнокаемого веще в дли магнитнм ая длиной п Ь - ширина потока о - скорость раство В - индуктивность А - обратная величда иона извле ля;го зартва. Эти способы энергоемки, годны для обогащения полезных ископаемых и применимы для обработки высококонцентрированных растворов.Предлагаемый способ отличается тем, что изолированный от действия тока поток раствора пропускают в магнитном поле определенной длины со скоростью не более 1 лт/сек с последующим разделением потока на выходе его из магнитного поля...

Номер патента: 1023676

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа

МПК: H05B 33/12

Метки: излучения, источник, электромагнитного

...уровня внешних воздействий, значительно упрощает конструкцию блоков питания и повышает метрологические характеристики источникаизлучения.Для реализации отрицательной лю,минесценции в полупроводниках необходимо добиться уменьщения концентра"ции носителей заряда относительно.,их равновесного значения и;(по),гпри этом плотность рекомбинациойногоизлучения из кристалла становитсяменьше своего равновесного значенияР, . При сильном истощении кристалла,когда ,( Л, излучение спадает доО, а глубина модуляции излучения,ЬР стремится к Ро . Здесь величина Роявляется только той частью равновесного излучения полупроводника, которая соответствует рекомбинационномуизлучению электронно-дырочных пар,а спектр излучения представляет со-,бой часть...