Способ оценки качества изготовления зубных протезов

Номер патента: 901890

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Водотовка, Глазков, Скрипник

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, толщины

...измеренной величине приращения частоты электромагнитных колебаний, обеспечивающей равенство разности фаз электрромигНитных волн, распределяюшихся по 5различным каналам во времени и в пространстве, при известных и постоянных/значениях Со, 1, Сиопределяется толщина контролируемого материала 7. 1 ОУстройство работает следующим образом.Сигнал СВЧ генератора 1, стабилизированного по частоте, через управляемыйдвухпозиционный переключатель 2 поступа ет на вход трехканального разветвителя3, На один вход фазового детектора 4поступает сигнал, прошедший через измерительную ячейку, образованную излучающей и приемной антеннами 5 и 6, например, логопериодического типа, между которыми помещен контролируемый диэлектрический материал 7, а на второй...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Номер патента: 363858

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Денискин, Животовский, Изобретени, Калайджан, Оваким, Хоравиди

МПК: G01B 7/06

Метки: вихретоковое, диэлектрических, металлических, покрытий, толщины

...на конце штока 17. Внутри последнего размещены кабели 4 и б, соединяющие датчик 2 с разъемом 3. Механизм 13 с камерой 31 плазменного напыления, разъем 3 и штуцер 2 б со штоком 17, а также штуцер 20 с корпусом 1 б соединены через вакуум-плотные соединения,Устройство работает следующим образом.Генератор переменного тока питает током датчик 2. Сигнал с датчика подается на вход усилителя сигнала датчика, с выхода которого напряженйе подается на входы детекторов 8 и 9, один из которых настроен в квадратуре с реактивной составляющей напряжения дагчика, а другой - в квадратуре с активной составляющей, Настройка детекторов 8 и 9 осуществляется сдвигом по фазе опорного напряжения с генератора.При измерении толщины диэлектрического,...

Номер патента: 590652

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Крючков, Лепорский

МПК: G01N 23/24

Метки: диэлектрических, неразрушающий, толщины

...отражения от диэлектрического материала, производят два измерения приращения частот - одно через две установлснные на поверхности диэлектрика диэлектрические пластины, другое - через одну из них,приращении частот опред тектрического материала,ння толщины диэлектрическогопредложенному способу обычизмеряют общую толщину дно материала с двумя диэлектриннамн, расположенными на егори этом общая толщина мате1 нами составляетРедактор Н, Суханова Корректор Л, Денискина Заказ 3259/12 Изд.181 Тираж 1,109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб. д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 иим экстремальным значениям коэффициента отражения.При этом толщина...

Номер патента: 958846

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Бурмистенков, Марченко, Свиридов, Скрипник

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, измеритель, толщины

...образцового преобразователя 2 с малой высотой зондирующего электрического поля к блоку 10 преобразования емкости в напряжение, и, соответственно, высокопотенциаль-ные электроды 2.2 образцового преобразователя 2 и высокопотенциальный электрод 1.3 измерительного преобразователя 1 подключаются к низкопотенциальным электродам 1.1 и 2.1 при помощи коммутаторов 6,7.этих преобразователей к блокам 9 и 10 преобразования емкости в напряжение, их электрические поля будут пронизывать одни и те же слои диэлектрической подложки 3.При отсутствии контролируемого материала 4 емкости преобразователей 1, 2 одинаковы. Вследствие этого при поочередном их подключении к блокам 9 и 10 преобразования емкости в напряжение постоянного тока с частотой...