Микрополосковый аттенюатор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.Насыровусов ол.40 Н.М,Мак имов 372.852.3 (088.8 нт Японии57-6 Р 1/22, 1982. а А.И Попов А, микрополосковые юаторы, - Электр 10. Микроэлектро О,.вып. 5/26, с. 203,Широко- фиксированная техниые устройрис. ОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(21) 425 (22) 07. (46) 30, (72) Р.Г и С.Л.Бр (53) 621 (56) Пат кл. Н 01Хрено поЛосные ные атте ка, сер, ства, 19 26(57) Изобретение относится к техникеСВЧ. Цель изобретения - увеличение рабочей мощности. СВЧ-сигнал, поступающий на входную контактную площадку 2, частично рассеивается в пленочном резистивном слое 5, и его оставшаяся часть снимается с выходнойконтактной площадки 3, Часть СВЧ-токанаправляется от площадки 2 к заземляющей контактной площадке 4, прпэтом линии СВЧ-тока огибают площад"ку 3. Однако за счет расположенияплощадки 3 на слое 5 и выполненияплощадки 2 в контакте с кромкой слоя5 по всей ее длине обеспечиваетсяуменьшение плотности СВЧ-тока в зонеплощадки 2, т.е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности, Этоуменьшает перегрев слоя 5, что увеличивает рабочую мощность. 1 ил.1434514 Формула иэ об рет ения Составитель В.Алыбин Техред М.Дидык Корректор В.Гирняк Редактор А.Ревин Заказ 5563/55 Тираж 633 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграФическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике "ВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах и трактах.Цель изобретения - увеличение ра 5 очей мощности.На чертеже показана конструкция микрополоскового аттенюатора.Микрополосковый аттенюатор содержит диэлектрическую подложку 1, на Одной стороне которой размещено заземляющее основание (не показано), а на другой стороне - входная 2, выодная 3 и заземляющая 4 контактныеощадки и пленочный резистивный 15 слой 5. Входная контактная площадкаи заземляющая контактная площадкаподключены к противоположным кромам пленочного реэистивного слоя 5 о всей их длине, а выходная контактйая площадка 3 размещена на пленоч,ном резистивном слое 5.Микрополосковый аттенюатор работат следующим образом.СВЧ-сигнал, поступающий на входную контактную площадку 2, частично Рассеивается в пленочном резистивномое 5, а его оставшаяся часть сниается с выходной контактной площади 3.30Работа микрополоскового аттенюатоа аналогична работе аттенюатора, потроенного по П-образной схеме, так ак часть СВЧ-тока за счет располоения входной 2 и заземляющей 4 контактных площадок, на противополож" Оых кромках пленочного резистивного слоя 5 направляется от входной контактной площадки 2 к заземляющей контактной площадке 4, при этом линииСВЧ-тока огибают выходную контактную площадку 3. Однако расположениевыходной контактной площадки 3 напленочном резистивном слое 5 и выполнение выходной контактной площадки 2в контакте с кромкой пленочного рези"стивного слоя 5 по всей ее длине обе"спечивает уменьшение плотности СВЧтока в зоне входной контактной площадки 2, т,е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности, Благодаряэтому уменьшается перегрев пленочного резистивного слоя 5 и достигается увеличение рабочей мощности. Микрополосковый аттенюатор, содержащий диэлектрическую подложку. на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне " входная, выходная и заземляющая контактные площадки, подключенные к пленочному реэистивному слою, причем входная и заземляющая контактные площадки подключены к его двум кромкам соответственно, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения рабочей мощности, выходная контактная площадка размещена на пленочном резистивном слое, а входная и заземляющая контактные площадки подключены к его противоположным кромкам по всей их длине.
СмотретьЗаявка
4256964, 07.04.1987
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8082, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8351
НАСЫРОВ РУСТЕМ ГАБДУЛЛОВИЧ, МАКСИМОВ НИКОЛАЙ МИХАЙЛОВИЧ, БРУСОВ СЕРГЕЙ ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюатор, микрополосковый
Опубликовано: 30.10.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1434514-mikropoloskovyjj-attenyuator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микрополосковый аттенюатор</a>
Свч-контактное устройство
Номер патента: 1808150
Опубликовано: 07.04.1993
Автор: Трошин
МПК: G01R 27/32, H01P 5/08
Метки: свч-контактное
...подложку с входным и выходным копланарными отрезками, введен смеситель частоты, один из входов которого соединен непосредственно с контактирующими элементами, другой с выходами введенного умножителя частоты, вход которого и выход смесителя соединены с входным и выходным копланарными отрезками соответственно, 3 ил,единенчерез 50-омный выходной копланарный отрезок 8 с выходной коаксиальной линией 9. Другои, подается на вход 1, зате 50-омный копланарный волновод 2 частотой 1 поступает на вход( и - 1) к умножителя частоты 3, где преобраз сигнал кратности (п - 1) 1. С выхода умножителя 3 сигнал п на один из входов смесителя 6, на вход которого через контактирующ1808150 Составитель А.Троши Техред М,Моргентал Редактор Л,Волков Корректо Заказ...
Контактная суспензия для нанесения токонроводящего слоя
Номер патента: 205986
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Бланкштейн, Крупский
Метки: контактная, нанесения, слоя, суспензия, токонроводящего
...повышения надежности преимущественно прп измерении омпчсского сопротивления при науглероживании углеродистых резисторов, предложена контактная суспензия, состоящая из тонкоистертой (до состояния пудры) закиси меди СцеО в количестве около 750/, и 2,2%-ного раствора нитроклстчатки в изоамилацетате или амилацетате.Перед применением состав тщательно размешивают и наносят кисточкой, подобно краске, на границу соприкосновения контакта с керамическим основанием с заполнением возможных зазоров. После некоторой подсушкн на воздухе (20 - 30 люин) каркасы можно помещать в печи для пиролиза. Под действием температуры и паров углеводорода закрась МЕ. ди восстанавливается до металла с образова-. нием эластичной медной пленки, обеспечивающей...
Натриевые соли диэфиров сульфоянтарной кислоты и оксиэтилированных алифатических спиртов как смачивающие вещества при нанесении галогенсеребряных фотографических эмульсионных слоев, в том числе слоев, содержащи
Номер патента: 682511
Опубликовано: 30.08.1979
Авторы: Жаворонкова, Ждамарова, Копеина, Леви, Мельникова, Потапенко, Руденко, Смирнов
МПК: C07C 139/12
Метки: алифатических, вещества, галогенсеребряных, диэфиров, кислоты, нанесении, натриевые, оксиэтилированных, слоев, смачивающие, содержащи, соли, спиртов, сульфоянтарной, том, фотографических, числе, эмульсионных
...омыления 38,9 мг КОН/г, содержание остаточного бисульфита натрия 0,39 о/о.П р и м ер 3. В условиях примера 1 из400,4 г 2-этилгексанола, оксиэтилированного 8 моль окиси этилена и 38,9 г малеинового ангидрида получают 435 г (98% )диалкилмалеината со средним молекулярным весом 1044, с числом омыления 105,7 мг(расчетное число омыления 107,4 мгКОН/г) и остаточным кислотным числом24 мг КОН/г, из последнего обработкой150 г водного раствора бисульфита натрияполучают ди-этилгексилоктаоксиэтиленгликолевый эфир сульфоянтарной кислотыв виде водного раствора с концентрациейосновного вещества 34,5 о/о и содержаниембисульфита натрия 0,07 о/о (выход 98 о/о оттеоретического); число омыления 33,7 мгКОН/г.П р и м е р 4. В условиях примера 1 из435,7 г...
Способ подготовки промысловой площадки для лова рыбы и промысловая площадка для лова рыбы
Номер патента: 1743525
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Грин, Коваленко, Кожахметов, Лащенков, Николаев, Сазонова, Свердлов, Сумина
МПК: A01K 73/02, A01K 79/00
Метки: лова, площадка, площадки, подготовки, промысловая, промысловой, рыбы
...превьппать не менее, чем на 1 м, высоту засоренных участков дна 5, что исключает их размыв вдольбереговыми течениями.Затем выполняют монтаж береговых пульпопроводов 7 для разработки карьерной выработки 14, возведения гидро- отвала 10 с оборотной схемой водоснабжения (для возврата осветленной воды гидроотвала обратно в карьер в период его возведения, что исключает загрязнение природного водоема), а также устройство рассредоточенных выпусков пульпы 8 на промысловой площадке 3.55 Кроме того, при отсутствии указанных кондиционированных песчаных и глинистых грунтов устройство берегового гидроотвала 10, прилегающего к промысловой площадке 3, позволяет использовать местные грунтовые материа. юцп, а также оперативно управлять режимом...
Микроплосковый аттенюатор
Номер патента: 650134
Опубликовано: 28.02.1979
Авторы: Белянина, Пиршин, Синьков
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюатор, микроплосковый
...на металлическом основании 1 диэлектрическую подложку 2, на одной стороне которой расположен полосковый проводник 3, а на другую сторону нанесен резистивный слой 4, соприкасающийся с поверхностью металлического основания 1, резистивный слой 4 выполнен толщиной меньше толщины скин-слоя, и в металлическом основании 1 напротив полоскового проводника 3 выполнено сквозное отверстие 5, в котором установлен с возможностью продольного перемещения короткозамыкающий поршень 6.Устройство работает следующим образом.В случае, когда короткозамыкающий поршень 6 придвинут вплотную к резистивному слою 4, начальные потери в микрополосковом аттенюаторе малы, так как он представляет при этом обычную микрополосковую линию передачи, По мере удаления...
Предыдущий патент: Волноводный полоснопропускающий фильтр
Следующий патент: Шумоподавитель
Случайный патент: Способ получения 1-проп-1-инил-3-феноксибензилового спирта