Способ определения жизнеспособности ткани кишки

Номер патента: 1657562

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Лысюк, Порошин

МПК: E01B 5/14

Метки: железнодорожный, криволинейном, пути, рельс, участке

...верхнемустроению пути, в частности к рельсам,Цель изобретения - увеличение срокаслужбы рельсов.На фиг,1 изображена головка рельса; на 5фиг.2 - таблица координат мест зарождениятрещин (дефектов) в головке рельса,На фиг.1 и 2 обозначено: а - расстояниедо поверхности катания по вертикали; Ь -расстояние до рабочей боковой грани головки рельса по горизонтали (фиг.2); х 1 -расстояние от оси симметрии рельса до вертикальной плоскости, ограничивающей начало скошенной части поверхности катаниярельса; хг - расстояние от оси симметрии 15рельса до вертикальной плоскости, ограничивающей конец скошенной части поверхности катания; 1 - глубина скоса частиповерхности катания (фиг.1).Графоаналитическим мет здом построены диаграммы частот контактирования...

Номер патента: 1733979

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Иванченко, Черешанский

МПК: G01N 21/55

Метки: вида, естественной, поверхности, подстилающей

...среднего яркостного контраста поверхности в двух спектральных диапазонах К(ЛЛ 1, М 2 ), который определяется какК ( М 1, ЛЛ 2 ) =пч ( М 1 ) п ( М 2 ),(1)где Ь 1 - средняя яркость поверхности 1-й группы;лЛ 1, ЛЛ 2 - спектральные диапазоны.Учитывая, что большинство естественных поверхностей является диффузными ламбертовыми отражателями, яркость их при активном зондировании потоком спектрального диапазона выражается как3 п 1 (ЛЛ) =рЛ е Д,ЛI.1 г, (2) где рдЛ - коэффициент отражения поверхности;Е дЛ - освещенность поверхности, создаваемая излучателем с яркостьюЛ и определяемая дальностью 1,где р у рЛ,1, - коэффициенты отражения поверхности для спектральных диапазонов Ла и ЛЬ соотве,ственно.Установлено, что максимальные значения яркостного...

Номер патента: 1758586

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Герасимов, Глинкин, Мищенко

МПК: G01R 27/02

Метки: твердых, удельного, электросопротивления

...коэффициент Км, учитывающий изменение геометрии от первого ко второму эталону (деформацию, коэффициент преобразования координат), однозначно связанное через измеряемые величины. Принимая для удобства 1+2=/, получаем расчетную формулу для определения удельного злектросопротивления исследуемого образца с геометрией, равной второму эталону и отличной от геометрии первого эталона; 15 На практике удельное электросопро 20 тивление удобно рассчитывать по формуле р) = К)-1 О), а масштабный коэффициент К)-1=Кн 1 рассчитывают по двум эталонам перед измерениями на исследуемых образцах по вышеприведенной схеме.Выражение (1) с применением одного эталона является частным случаем из более общего выражения (2) для двух эталонов при условии, что р 1...

Номер патента: 1835518

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Абурджания, Долидзе, Муселиани, Никурадзе

МПК: G01R 17/12

Метки: проводимости, удельной, электрической, электролитов

...и одновременно цилиндр 4 выполняет роль электромагнитного экрана для исключения влияния внешних электрических и магнитных полей,Подают сигнал от генератора на усилитель мощности (на фиг,2 не указаны), усиливаемый сигнал подается на первичную обмотку возбуждающего трансформатора 1, ток 1 проходя по виткам первичной обмотки трансформатора 1 вызывая магнитный поток, который одновременно пронизывает столбик исследуемой жидкости и компенсационную .обмотку возбуждающего трансформатора К.0,1, образуя потокосцепление взаимных индуктивностей. Столбик исследуемой жидкости и компенсационная обмотка К,0,1 включены согласно, изменение потокосцепления взаимных индуктивностей в столбике исследуемой жидкости и компенсационной обмотке К,0,1. вызывает...

Номер патента: 147040

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Прудвиблох, Силин

МПК: G06M 7/00

Метки: высокочастотный, датчик, индуктивный, металла, металлических, обнаружения, счета, частиц

...соединенных емкостей С, и Сз и полупроводникового диода ПП,. При отсутствии металлической детали. схема генерирует и на управляющеи сетке лампы Л образуется отрицательное смещение которое уменьшаст емкость диода ПЛР При приближении металлической детали частота сеточного контура уменьшается, уменьшается генерируемая частота и в результате расстройки контуров уменьшается амплитуда колебаний, а следовательно и смещениенауправляющейсегке. При уменьшении величины смещения, являющегося управля 1 ощим напряжением для диода ЛП увеличивастся емкость этого диода, что приводит к еще болыпей расстройке контуров, в результате чего чувствительность датчика значительно повышается. Величиной сопротивлений Л и Я, устанавливается величина...