Амплитудный детектор

СОЮЗ СОВЕТСКСОЦИАЛИСТИЧРЕСПУБЛИК 51)4 Н 03 Р 1 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ВТОРСНОМУ СВИ ЕЛЬСТВУ ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ(56) Авторское свидетельство СССР У 122178, кл. Н 03 Р 1/18, 1958,Авторское свидетельство СССР У 1053265, кл. Н 03 Р 1/18, 1981. (54) АМПЛИТУДНЫЙ ДЕТЕКТОР (57) Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает повышение точности и упрощение устр-ва. Устр-восодержит транзистор 1, конденсатор 2,резисторы 3 и 4, источник 5 постоянного напряжения и дроссель 6. Поскольку сопротивление дросселя 6 попостоянному току близко к нулю, напряжение на выходе устр-ва такжеблизко к нулю и будет оставаться таким при изменении т-ры. Детектирование и термокомпенсация осуществляются:в одном транзисторе, благодаря чемудостигается высокая точность. 1 ил.1363429 точностье ВН 1 ШПИ Заказ 637751 Тираж 900 Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоизмерительной и радиоприемной аппаратуре для детектирования амплитудно-модулированных колебаний,Цель изобретения - повышение точности и упрощение амплитудного детектора,На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема амплитудного детектораАмплитудный детектор содержиттранзистор 1, конденсатор 2, первыйи второй резисторы 3 и 4, источник 5постоянного напряжения и дроссель 6.Амплитудный детектор работает следующим образом,Источник 5 постоянного напряжения,подключенный через первый резистор 3к базе транзистора 1, задает базовыйток. Первый резистор 3 выбираетсядостаточно большой величины и обеспечивает работу детектора на начальном участке детекторной характеристики. Отпирающее напряжение приложеносразу к обоим переходам: база - эмиттер и база - коллектор транзистора 1,однако детектирование происходиттолько переходом база - эмиттер, таккак последовательно с переходом база -коллектор стоит дроссель б, сопротивление которого по переменному токувелико, что препятствует протеканиюпо этой цепи токов входного сигналаи тем самым повышает входное сопротивление амплитудного детектора.Напряжение, соответствующее огибающей входного амплитудно-модулиро-ванного сигнала выделяется на нагрузке - КС-цепочке, состоящей из конденсатора 2 и второго резистора 4,11 ри отсутствии сигнала на входеамплитудного детектора выходное напряжение равно нулю и будет оставаться таким при изменении температуры.Это объясилется тем, что от источника 5 постоянного напряжения черезпервый резистор 3 на базу транзисторапоцается напряжение, отпирающееколлекторный и эмиттерный переходы.Таким образом. в обоих переходах начинают протекать инжекционные токи.Однако, ввиду большой разницы в величине сопротивления нагрузки 3 и активного сопротивления дросселя 6, токи иижекции неодинаковы. Ток инжекции из коллектора в базубудет значительно больше текущего в противоположном направлении тока инжекции эмиттера. Это приведет к тому, что концентрация носителей в области эмиттера увеличится и соответственно изменится потенциал эмиттера, что, в свою очередь, приведет к увеличению 10 инжекционного тока из области эмиттера в базу. При этом, потенциал эмиттера приблизится к потенциалу коллектора и ток через сопротивление второго резистора 4 уменьшится. Установив 1 г шийся режим наступает при равенстветока инжектируемого и собираемого эмиттером транзистора 1. Собираемый эмиттером ток весьма близок к тому инхекции из коллектора в базу. Токи инжектируемые обоими переходами в установившемся режиме практически равны друг другу, поэтому падения напряжений на переходах также равны и одинаково зависят от температуры.25 Поскольку, сопротивление дросселя 6 по постоянному току близко к нулю, напряжение на выходе амплитудного детектора также близко к нулю и будет оставаться таким при изменении 30 температуры.Детектирование и термокомпенсацияосуществляется в одном транзисторе, благодаря чему достигается высокая 35 Формула из обретения Амплитудный детектор, содержащийтранзистор, база и эмиттер которогоявляются входом и выходом амплитудного детектора соответственно, первыйи второй резисторы, первые выводы которых подключены к базе и эмиттерутранзистора соответственно, конденсатор, включенный между эмиттером транзистора и общей шиной, и источникпостоянного напряжения, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения точности и упрощения амплитудного детектора, введен дроссель,включенный.,между коллектором транзистора и общей шиной, один из полюсовисточника постоянного напряжения соединен с общей шиной, а вторые выводы первого и второго резисторов под ключены к другому полюсу источникапостоянного напряжения и к общей шине соответственно.