Пьезокерамический материал

Номер патента: 737792

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Заболотный, Карташов, Телегин, Якубов

МПК: G01J 5/02

Метки: ачт, модели, перехода, температуре, фазового

...обмоток 8, 10, используют трехфазный трансформатор 20, вто"рйчные обйотки кОторого "сое 13 ийенывзвезду. Обмотки 7 и 9 запитывают линейным напряжением, а обмотки 8 и 10 Фазным напряжением. Обмотки 7 и 9 со- единяют между собой таким образом,что если в определенный момент времени из обмоткинаводится в рабочейобласти полюс И, то от обмотки 9 -полос 8, а обмотки 8 и 10 соединяютмежду собой таким образом, что, еслиотобмотки В наводится в рабочей области полюс И, то от обмотки 10 - пол 1 ос Я. Первичные обмотки трехфазноготрансформатора 20 подсоединены к источнику Зб В, 1000 Гц треугольником,причем одна обмотка подсоединена не- .посредственно к источнику, а две другие - через автотрансформаторы 21 и 22. С целью проверки способа (см....

Номер патента: 1163229

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Аликберова, Лидин, Молочко, Черная

МПК: G01N 25/02

Метки: мезогене, модификаций, монотропных, обнаружения, перехода, твердом, температуры, фазового

...К вследствие высокой энергии активации,11633необходимой для его осуществления. Для того, чтобы осуществить изменение механизма фазового перехоца, которое приводит к уменьшению энергии активации процесса перехода К-К , предла-гается использовать перекристаллизацию через насыщенный раствор исследуемого вещества в добавке немезогена.При ТТК процесс протекает 1 Оюсамопроизвольно по фазовой реакции К+1 -ф К р при условии, что растворимость в немезогене у фазы К - мень"Ц ше, чем у К. (1 - изотропная жидкость). При этом добавка немезогена 15 должна отвечать следующим условиям: отсутствие химического взаимодействия с мезогеном, отсутствие заметной растворимости в твердом мезогене, малая вязкость раствора. добавки в жид кой фазе мезогена (ЖК),...

Номер патента: 649992

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Тимофеев, Шигарев

МПК: G01N 25/04

Метки: перехода, пленке, раствора, температуры, фазового

...экраном 2, жидкий теплопровод 3, контактирующий с источником 4 тепла и пленкой 5 раствора, датчик 6 температуры и магнитную мешалку, состоящую из ферромагнитного сердечника, помещенного в тефлон 7 (мешалка), постоянный магнит 8 (коль3цевой) и двигатель 9 с ведущей шестерней 10.Работа устройства заключается в том,что заданное количество раствора заливается в камеру, жидкий металл, напримерртуть, перемешивается мешалкой, источниктепла создает необходимый темп нагрева(охлаждения) ртути. Зеркальная поверхность ртути позволяет точно фиксироватьмомент исчезновения последних (появленияпервых) кристаллов твердой фазы. Соответствующая температура определяется спомощью датчика, которым может бытьртутный термометр, термопара или термометр...

Номер патента: 1806358

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Васильева, Гибнер

МПК: G01N 25/02

Метки: превращений, температур, фазовых

...18 холодных концов термопары 7. Подача напряжения на токовводы 3 задается задатчиком 19 линейного. нагрева, последовательно соединенным с тиристорным усилителем мощности 20трансформатора тока 21,Устройство работает следующим образом.В герметичную камеру 1 через кварцевое окно 2 на термопару 7 устанавливается тигель 6, в который помещен образец исследуемого вещества с любым размером зерна в количестве от 0,5 до 5 мГ, камера продувается инертным газом, Термопара предварительно градуируется по температурам плавления реперных веществ во всей области рабочих температур от 800 до 2500 С. После зрения микроскопа 8 наводят на отверстие тигля 6 с веществом и при открытой диафрагме 9 устанавливают резкость изображения образца в микроскопе 8,...

Номер патента: 940025

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Валацка, Венгалис, Лидейкис

МПК: G01N 25/02

Метки: превращений, температур, фазовых

...пластинами до образования теплового контакта меж ду образцом и пластинами. К образцу прижимают слой термопары 2. Корпус помещают в печь и, нагревая, либо охлаждая его, измеряют ЭДС между внешними контактами полупроводниковых пластин. При медленном нагревании, либо охлаждении температуры образца и полупроводниковых пластин практически одинаковы и градиент температуры в них отсутствует, вследствие чего ЭДС на выходе равна нулю, В момент фазового превращения в образце выделяется, 30 либо поглощается теплота превращения, которая приводит к появлению разницы температур между внутренними и внешними сторонами полупроводниковых пластин и возникновению в них объемной термо-ЭДС, Поскольку в полупроводниках различного з 5 типа проводимости объемные...