Способ определения механической прочности материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 01 И ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ТОРСКОМУ СВИДЕТ 25 Бюл. У 44ова, О.Ф.БышА.А.Тюхин к в826(088.8)технологии/Под ре . М.4 Энергия, 197 ЧЕСКО к испытать исполь в микро СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССС ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(21) 4004108/ (22) 10.01.86 (46) 30. 11.87 (72) Г.А.Иван А.А.Шестаков, и А.И,Михайло (53) 621.375. (56) Лазеры в М.Ф,Стельмаха с. 192-202,(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕПРОЧНОСТИ МАТЕРИАЛОВ(57) Изобретение относитстельной технике и может бэовано для определения прматериала непосредственно схемах приборных устройств. С цельюрасширения возможностей за счет определения механической прочности полупроводниковых кристаллов в условияходномерного движения дрронта ударнойволны напряжений кристалл или структуру микросхемы закрепляют на плоскомосновании и экспонируют его под действием импульсов деЬокусированноголазерного излучения с диаметром фокусного пятна на 80-1003 больше максимального линейного размера кристалла. Плотность энергии импульсовувеличивают, регистрируют плотностьэнергии при разрушении кристалла и сее учетом определяют предел прочностикристалла.ВНИИПИ Заказ 5787/38 Тираж 776 Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектная 4 Изобретение относится к испытательной технике и может быть исполь зовано для определения прочностиматериалов для приборной техники, аименно подложек и структур микросхем,Цель изобретения - расширение возможностей способаза счет определениямеханической прочности полупроводниковых кристаллов в условиях одномерного движения Фронта ударной волнынапряжений.Способ осуществляют следующимобразом.Испытывают полупровоцниковые кристаллы, которые составляют подложкуили структуру приборных микросхем,Кристалл или структуру микросхемызакрепляют на плоском основании, Характер закрепления должен допускатьвозможность деформирования кристаллайри трансформации энергии ударнойволны в энергию движения, Например,кристал крепят к предметному столикус помощью клейкой прозрачной ленты.Затем экспонируют кристалл поцдействием импульсов лазерного излучения,Используют импульсы дефокусированного лазерного излучения с диаметром фокусного пятна на 80-1003 больше максимального линейного размера испытуемого кристалла. Импульсы направляют перпендикулярно к поверхности кристалла. Плотности энергии импульсов последовательно увеличивают и регистрируют мощность Р, в момент разрушения кристалла. Предел прочности определяют по Формуле 5 10 15 20 25 35 40 45 50 2о - линейный размер кристаллав направлении лазерногоизлучения;С, - удельная теплоемкость кристалла.П р и м е р. Испытывали кремниевые полированные кристаллы размером 5 х 5 х 0,45 мм, вырезанные из пластик монокристаллического кремния марок КЭФ 7,5 (111), КДБ 10 (111), КДБ 12 (100),Испольэовали лазер с длиной волны излучения 1,06 мкм и энергией в импульсе до 50 Дж, работающий в режиме модулированной добротности с длительностью импульса 20 нс, Значения используемых в расчете характеристикбсоставили: в= 4,15 10 град Е = 1,69 10" Па; 1 = 0,26; К = 1; С= 0,76 Дж/г рад; р = 2,33 г/см; Е = 0,045 см; 2 = 0,3.ОРазрушения кристаллов происходили при Р = 10,0 12,7 Дж/см .Предел прочности составил (35- 7,5) 10 Па, что соответствует ре 8зультатам традиционного определения прочностных свойств без применения лазера. Формула изобретения Способ огределения механической прочности материалов, по которому образец материала закрепляют на плоском основании, экспонируют под действием импульсов лазерного излучения до его разрушения, регистрируют плотность энергии импульса при разрушении образца и с ее учетом определяют предел прочности материала, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения возможностей способа за счет определения механической прочности полупроводвиковых кристаллов в условиях одновременного движения фронта ударной волны напряжений, используют импульсыдефокусированного лазерного излучения с диаметром фо" кусного пятна на 80-1007 больше максимального линейного размера испытуемого кристалла, которые направляют перпендикулярно к поверхности кристалла, а плотность энергии импульсов последовательно увеличивают.
СмотретьЗаявка
4004108, 10.01.1986
ВОЙСКОВАЯ ЧАСТЬ 67947
ИВАНЦОВА ГАЛИНА АЛЕКСАНДРОВНА, БЫШОК ОЛЕГ ФЕДОРОВИЧ, ШЕСТАКОВ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ТЮХИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСЕЕВИЧ, МИХАЙЛОВ АЛЕКСЕЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 3/00
Метки: механической, прочности
Опубликовано: 30.11.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1355897-sposob-opredeleniya-mekhanicheskojj-prochnosti-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения механической прочности материалов</a>
Способ измерения энергии импульсов лазерного излучения
Номер патента: 699898
Опубликовано: 23.08.1983
Авторы: Казанджян, Калачев, Малков, Паринов, Руссов, Соларев
МПК: G01K 17/00
Метки: излучения, импульсов, лазерного, энергии
...Тираж 873 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий,113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Ф Изобретение относится к области теплофиэических измерений н предназначено для измерения энергии импульсов мощного лазерного излучения.Известен способ измерения энергии импульсов излучения. посредством жидкостного ноглотителя излученияГ 1Недостатком способа является низкая точность измерений, обусловлен" ная отражением излучения от стенок кюветы, содержащей жидкость.Известен также способ измеренияэнергии импульсов лазерного излучения посредством .объемного поглотителя, заключающийся в том, что воздействуют импульсом излучения на объемный поглотитель и...
Устройство для стабилизации энергии импульсов излучения лазера
Номер патента: 1127517
Опубликовано: 23.09.1987
Авторы: Васильева, Кабелка, Масалов, Мачюлис, Сырус
МПК: H01S 3/13
Метки: излучения, импульсов, лазера, стабилизации, энергии
...оптической. Вве 45 дение оптической цепи управления позволяет отказаться от сложной электрической цепи управления и использовать вместо нее стандартные оптические элементы.На чертеже приведена схема устройства.Устройство содержит расположенные последовательно на пути входногоизлучения и оптически связанные све"тоделительную пластину 1, оптиче куюлинию 2 задержки, первый поляризатор 3, кювету .4 с раствором просветляющегося красителя и анализатор 5,После светоделительной пластины 1з 11по ходу ответвленной части излученияразмещены поворотное зеркало 6 и вто .рой поляризатор 7, оптически связанный с кюветой 4 раствора просветляющегося красителя и установленныйтак, чтобы его плоскость поляризации П составляла бы с плоскостьюполяризации П,...
Измеритель плотности энергии импульсов излучения
Номер патента: 474706
Опубликовано: 25.06.1975
Автор: Шибанов
МПК: G01K 17/00
Метки: излучения, измеритель, импульсов, плотности, энергии
...трубки 5 и выведены через отверстия в основании, Холодные спаи термоэлектродов 6 соединены с помощью гиоких изолированных проводов 7 с контактами коммутационного плато 8, помещенного на тыльной стенке 9 корпуса калориметра.Схема, представленная на фцг, 2, позво. ляет регистрировать как распределение плотности энергии, так ц общую энергию, попадаютцую на калориметр,Измеритель плотности энергии импульсов излучения:работает следующим образом.Регистрация термоэ. д. с. термопар всех секций калориметрцческого датчика производится с помощью светолучевого осциллотрафа чтица Нодним гальванометром - вставкой типа М 1012 путем последовательного многократното опроса термопар калориметра, Длп измерения плотности энергии импульса излучения...
Преобразователь энергии переменного тока в энергию импульсов положительной полярности
Номер патента: 758433
Опубликовано: 23.08.1980
Авторы: Владимиров, Семашко, Стельмаков, Топельберг, Шенкман
МПК: H02M 7/10
Метки: импульсов, переменного, положительной, полярности, энергии, энергию
...стороне к источнику 2 переменного тока. Обмотки этих трансформаторов подключены к выпрямителям 3. 15По крайней мере, одна из электронных лами 4служит для формирования прямоугольных импульсов положительной полярности на на.грузке 5. Питание цепей накала лами и уи.равление ими осуществляется от блоков 6 управления. В свою очередь, питание блоков 6осуществляется через понижающие трансформаторы 7. При этом число ламп меньше числавыпрямителей.Устройство работает следующим образом. 25В паузе между импульсами электроннаялампа 4 заперта, мостах 3 имеется выпрямленное напряжение. Для формирования выход.ного импульса на управляющую сетку лампы 4от блока б поступает отпирающий сигнал, 30который переводит лампу в открытое состоя.иие, При показанной...
Способ лазерно-механической обработки
Номер патента: 1583216
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Волгарев, Латыпов, Назаренко, Терегулов
МПК: B23B 1/00
Метки: лазерно-механической
...11 гновенный нагрев и высокая скорость естественного охлаждения увеличивает микротвердость среэаемого слоя и его охрупчинание на требуемую глубину Ь,П р и м е р. Предлагаемый способ лазерно-механической обработки опробован при чистовом точении жяропрочного сплава на никелевой основе ХП 58 КЯК 10 БТ ВД резцом ВК 8 на токарном станке 16 К 20 П совместно с уста 1нонкой "Квант". Используют следующие режимы резания и ЛТУ поверхностного слоя: скорость резания Ч = 0,25 и/с; подача Я = 0,1 мм/об; глубина резания Г = 0,25 мм; напряжение накачки Ь = 23 кВ; энергия излучения 11 = 1750 Дж; диаметр луча д = 2,0 мм; шероховатость обрабатываемой поверх1583216 1 - Г сЬ где 1с цости В. 2,5 мкм и глубина деАектцо о слоя Г = 80 мм,Реютмы ЛТУ подобраны...