Усилитель мощности

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЯИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 3 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ увеличение коэффициент мощности при больших с лени л. М 33 соде 7,и цести ны д 6 ова гади 088.8)2304162,опублик. 24.04.75117418, кл. 330-296 е тра спечить постоянств тивлени илителя пр вен(54) УСИЛИТЕЛЬ М (57) Изобретение тельной технике. уменьшение нелин ЩНОСТИотносится способствует повыш о сигнала, ч ию линейност схемы, а также циента усилени л усилитения - ний и нию ее коэффи щности при бо оил ель изобных искаж их сигналах ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Заявка ФРГкл. Н 03 Г 3/20,Патент США 0 4опублик. 26.09.7 литель мощи 1-4 и 12, ш питания, ди ния. Исполь позволяет о входного со мощности ка больших мгн гналах. Усит транзисторыи 11 источника8 и 10 смещезистора 121 133Изобретение относится к усилительной технике и может быть использованов экономичных усилителях мощностинизкой частоты,Цель изобретения - уменьшение нелинейных искажений и увеличение коэффициента усиления по мощности прибольших сигналах.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилителямощности,Усилитель мощности содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый4 транзисторы, первую шину 5 источника питания, диод 6, вторую шину 7источника питания, первую цепь 8смещения, третью шину 9 источникапитания, вторую цепь 10 смещения,четвертую шину 11 источника питанияи пятый транзистор 12.Усилитель мощности работает следующим образом.В исходном состоянии, при нулевомвходном сигнале, пятый транзистор 12насыщен, первый 1 и третий 3 транзисторы заперты, а второй и четвертыйтранзисторы либо заперты (режим В),либо работают с некоторыми токамипокоя (режим АВ).При малых мгновенных значенияхвходного сигнала токи второго 2 ичетвертого 4 транзисторов .возрастают.Ток в нагрузку протекает от второйшины 7 источникапитания через диод 6и четвертый транзистор 4,При увеличении входного сигналавыше напряжения на третьей шине 9источника питания начинает отпиратьсяэмиттерный переход первого транзистора 1. В результате отпирается третийтранзистор 3, и ток нагрузки складывается из эмиттерного тока третьеготранзистора 3, протекающего от первойшины 5 источника питания, и из эмиттерного тока четвертого транзистора 4. Дальнейший рост входного ивыходного сигналов приводит к постепенному уменьшению тока, протекающего от четвертой шины 11 источникапитания через вторую цепь 10 смещения, и в конечном счете - к полномузапиранию пятого транзистора 12. Приэтом четвертый транзистор 4 такжезапирается, и его коллектор отключается от второй шины 7 из-за запира 6196 2ния диода 6. Отпирание третьего транзистора 3 и запирание четвертого транзистора 4 происходят при напряжении на нагрузке, близком к напряжению на второй шине 7 источника питания, после чего выходной ток усилителя мощности определяется только током третьего транзистора 3,Использование пятого транзистора12 позволяет обеспечить постоянство 15 20 25 30 35 40 45 50 55 входного сопротивления усилителя мощности как при малых, так и при больших мгновенных значениях входногосигнала, что способствует повышениюлинейной схемы, а также увеличениюее коэффициента усиления по мощностипри больших сигналах. Формула из об ре тения Усилитель мощности, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры, трутий и четвертый транзисторы противоположной структуры, причем эмиттеры первого, второго и третьего, четвертого транзисторов соединены попарно и являются соответственно входом и выходом усилителя мощности, коллекторы первого и второго транзисторов подключены соответственно к базам третьего и четвертого транзисторов, коллектор третьего транзистора подключен к первой шине источника питания, коллектор четвертого транзистора, через диод включенный в пряМом направлении, соединен с второй шиной источника питания, база первого транзистора через первую цепь смещения соединена с третьей шиной источника питания, а также вторую цепь смещения, первый вывод которой соединен с четвертой шиной источника питания, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений и увеличения коэффициента усиления по мощности при больших сигналах, введен пятый транзистор, структура которого совпадает со структурой третьего транзистора, при этом эмиттер и коллектор пятого транзистора подключены соответственно к эмитеру третьего н к базе второго транзисторов, а база пятбго транзистора соединена с вторым выводом второй цепи смещения.