Способ горячего прессования радиодеталей из стеклокерамики

Номер патента: 84317

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Жук

МПК: C03B 7/02

Метки: вертикального, вытягивания, канал, машин, питания, стекла, стекломассой

...вертикального вытп цвания стекла цмс 1 от тот недостаток, что стскломасса ца своем пути к машинам находится на различном расстоянии от последних и подвергается воздействию различных ермичсских условий, цз-за чего не создаются ровные условия для работы всех машин.Предлагаемый канал для питания стекломассой машин позволяет устранить этот недостаток вследствие того, что канал выполнен в виде системы отростков, каждый из которых разделяется на два, расположенных под углом 90, подводящих стекломассу непосредственно под каждую машину.На чертеже изображен описываемый канал в плане. Канал может быть рассчитан на 2, 4, 6, 8 и большее (кратное двум) число машин.Канал имеет вид разветвленной системы и состоит из нескольких каналов 1, каждый из...

Номер патента: 117544

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Сизов, Шубников

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: кристаллизации, углерода

...затр ов проей.верды хиваемомере и,нных в себя устройс ью индукто ой в форме х с катода а распыляе енным с вые ествления в кой частоы для фокусиктромагнитной иц, с целью их ответствующеи осущысо тво для ра токов полусфе 2) с эл 1 ых час мками с способа заключается в том, что по- твердые модификации кристаллов и мет изооретен 1.Гпособ к твердый углер вакуумной или сталлизуют пар ре, на аноде. 2. Устройст с я тем, что, с тода, применяющийся тем, что ливаемый катод в мере, и далее криных в той же камеристаллизации углерода, о т л и ч а ю од распыляюг, помещая его на нак заполненной нейтральным газом к ы углерода на затравках, расположе во для о целью ф т катод ществления способа по п. 1, отл и ч а ю щ ееусирования потока частиц, распыляемых...

Номер патента: 128492

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Любин, Малахов-Камартан

МПК: H04N 5/66

Метки: изображения, однострочным, передачи, разложением, системах, телевизионного

...сопротивление, го величина сигнала на нем в каждый момент времени определяется сопротивлением того элемента слоя 1, с которым контактирует освещае мый в данный момент элемент слоя 2Для увеличения разрешающей способности устройства слои 1 и 2 могут быть разде, лены канавками на отдельные элементы.Может быть также осуществлен прямой оптический контакт между слоем 2 и люминофором трубки бегущего луча, В этом случае фотоэлектрическое устройство помещают внутри колбы этой трубки. а пластина 5 выполняется в виде тонкой прозрачной диэлектрической пленки, на другую сторону которой нанесен слой люминофора, Известные полупроводниковые вещества с поперечной фото-э.д.с. позволяют получитьМ 128492 в предлагаемом устройстве величину фото-э.д,с....

Номер патента: 130233

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бабкин, Горский, Гусев

МПК: B23K 11/06, G01B 13/00, G01N 27/90

Метки: качества, роликовой, сварке, сварного, шва

...связи с тем, что рабочее сечение сильфона в К раз больше поперечного сечения расточки цилиндра 2, где находится поршенек 6, вытесненный из сильфона объем масла переместит поршенек 6 вверх на величину в К раз большую, чем Ь.Следовательно, сильфонная камера 1 и цилиндр 2 представляют сооой практически безынерционный гидравлический усилитель с коэффициентом К усиления, равным отношеник 1 их рабочих площадей,Преобразование механического перемещения подвижной системы устройства в электрический сигнал производится дифференциальным индуктивным датчиком 3. Смещение якоря 10 датчика с нейтрали нарупает балансировку моста М, и в его диагонали появляется напряжение, пропорциональное механическому перемещению поршенька 6, а следовательно, и верхнего...

Номер патента: 130240

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Браиловский, Глухов, Дацко, Карцев, Ступин, Танетов

МПК: H03K 19/20

Метки: инвертор-формирователь, уровня

...в источник 10. Это обеспечивает стабильность напряжения на выходе П схемы и малое выходное сопротивлснис при условии, что ток нагрузки меньше тока привязки. Если ток нагрузки слишком велик, то на выходе схемы можно поставить эмиттсрный повторитель.Если на входе схемы в точке 3 действует низкий уровень напряжения, то диод 2 заперт, а ток источника 4 через сопротивление б поступает в триод 1. Часть тока коллектора триода 1 через сопротивление О поступа:т в источник 10, а избыток тока через диод 12 идет в источник И. При этом напряжение на коллекторе триода 1 не может быть больше напряжения источника И плюс падение напряжения на диоде 12, что обеспечивает отсутствие насыщения у триода 1, На входе схемы в точке 3 трсбустся значительно...