Способ определения толщины кристаллической пластины
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1308829
Авторы: Афанасьев, Зоткин, Кузнецова, Мецик, Щербаченко
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 19) (1 51) 0 РЕ ра (5 ТАЛЛИЧ . (5 те ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Иркутский государственный университет им.А.А.Жданова(5 б) Перевертаев В.Д., Щербаченко Л.А., Таращинский Б,И., Зоткин Ю.Г. Измерение толщины тонких жидких пленок между пластинками слюды с помощью лазерного интерферомет-Коллоидный журнал, М 1980, У 3.4) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ КРИСНСКОЙ ПЛАСТИНЫ7) Изобретение относится к измерильной технике и может быть исполь 1 В 9/02,. С 01 Я 21/ овано для измерения толщины кристалических пластин. Целью изобретениявляется повышение точности измерения за счет устранения неоднозначностипоказателя преломления анизотропныхкристаллов и повышения контрастностиинтерференционной картины, достигаемых благодаря предварительной взаимной ориентации пластины и лазера. Наобе стороны пластины наносят полупрозрачное покрытие. Пластину освещают лазерным пучком, лучи, отразившиеся от пластины, образуют интерференционную картину, которую наблюдаютна экране. Вращая пластину вокруг осипучка, устанавливают ось индикатрисыпластины параллельно плоскости поляризации. В этом положении измеряютуглы, а толщину пленки вычисляют.130882 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины кристаллических пластин.Цель изобретения - повышение точности измерения за счет устранения неоднозначности показателя преломле" ния анизотропных кристаллов и повышения контрастности интерференционной картины, достигаемых благодаря пред варительной взаимной ориентации испытуемой пластины и лазерного пучка, а также измерению углового положения дополнительно третьего интерференционного максимума.Способ осуществляется следующим образом.На обе стороны контролируемой пластины наносят полупрозрачные покрытия. Зате л пластину освещают лазерным пучком, сфокусированным с помощью оптической системы, При этом лучи, отразившиеся полупрозрачными покрытиями, различное число раз взаимодействуют, 25 на выходе из пластины, образуя интерференционную картину, которую можно наблюдать на экране, установленном за пластиной. При непараллель-. ности оси оптической индикатрисы пластины и.плоскости поляризации лазерного пучка наблюдаются две системы концентрических эллипсов. Вращая пластину вокруг оси пучка, устанавливают ось индикатрисы пластины параллельно плоскости поляризации, 35 что соответствует моменту исчезновения одной иэ систем эллиптических полос на экране. В этом положении измеряют углы К, , с и Ф. , образуемые с осью освещающего пучка тремя 40 интерференционными максимумами, попарно отличающимися друг от друга на одинаковую величину разностипорядков интерференции. После этого толщину й пластины определяют по фор муле 15 Формула из обре те ни я гдеени ловых по начен ориентация контролируеперед измерениями исклюсть падения контраста иной картины в резульВНИИПИ Заказ 188/31 Указанная мой пластины чает возможн интерференци втоемыхимумов. оответственно перв его измер ого и тр ионных мак Подписное интерфереб 78 Тираж од, ул, П Произв.-полигр. пр-тие ектн ж де- длина волны излучения лазер 9 гтате наложения друг на друга системполос. Тем самым создаются условиядля повышения точности фиксации положения интерференционных максимумов.Одновременно измерение положениятретьего интерференционного максимума гГозволяет исключить из математической зависимости для определениятолщины пластины величину показателяпреломления и, следовательно, уменьшить до нуля влияние на результат измерения неоднозначности показателяпреломления. Способ определения толщины кристаллической пластины, заключающийся в том, что наносят на обе стороны контролируемой пластины полупрозрачные покрытия, освещают ее сфокусированным пучком лазерного излучения, регистрируют интерференционную картину, образующуюся на выходе пучка из пластины, измеряют угловое положение двух максимумов интерференционной картины и определяют толщину пластины, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности определения толщины, перед измерением углового положения максимумов пластину ориентируют таким образом, что ось ее оптической индикатрисы параллельна вектору поляризации излучения лазера, измеряют угловое положение интерференционного максимума, порядок которого отличается от порядка второго из измеряемых максимумов на величину равнуюразности порядков интерференциидвух первыхизмеряемых максимумов,атолщину Й пластины определяют по формуле 2(2 зпг- вхпг 1 - з 1 пг х ) г з длина волны излучения лазера;разность порядков интерференции между вторым и первым,третьим и вторым измеряемымимаксимумами;
СмотретьЗаявка
4012019, 13.01.1986
ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. А. ЖДАНОВА
ЗОТКИН ЮРИЙ ГЕОРГИЕВИЧ, МЕЦИК МИХАИЛ СТЕПАНОВИЧ, АФАНАСЬЕВ ВАСИЛИЙ ВИКТОРОВИЧ, КУЗНЕЦОВА ВАЛЕНТИНА АЛЕКСАНДРОВНА, ЩЕРБАЧЕНКО ЛИЯ АВЕНИРОВНА
МПК / Метки
МПК: G01B 9/02, G01N 21/41
Метки: кристаллической, пластины, толщины
Опубликовано: 07.05.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1308829-sposob-opredeleniya-tolshhiny-kristallicheskojj-plastiny.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения толщины кристаллической пластины</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения глубины следа колеса
Следующий патент: Устройство для контроля толщины тонких пленок
Случайный патент: Измеритель потоков излучения