Датчик магнитного поля

(5 1 КЗ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЛЬСТВ ВТОРСНОМУ СВИ- 21 нстизмери- сполья яв- рении ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение относится ктельной технике и может бытьзовано для контроля параметронитных полей. Целью изобретенляется повышение точности иэм Для достижения поставленной цели полупроводниковая пластина 1 выполнена в виде полукольца, цилиндрическиеповерхности 3 которой имеют областис высокой скоростью поверхностнойрекомбинации. Разность внешнего ивнутреннего радиусов кривизны цилиндрических поверхностей равна диффузной длине электронно-дырочных пар.Пластина 1 снабжена омическими контактами 2, размещенными на ее торцахВыполнение обеих цилиндрических поверхностей в виде областей с высокойскоростью поверхностной рекомбинациипозволяет достичь высокой временнойстабильности коэффициента преобразования датчика магнитного поля. 1 ил,1307410 2ление силы Лоренца антипараллельны,число генерированных и уносимых споверхности радиусом К электроннодырочных пар больше, чем число приходящих и рекомбинированных ЭДП наповерхности радиусом К , вследствиетого что сила Лоренца на поверхности радиусом К, больше, чем на поверхности радиусом К . В результате ЭДП10 будут локализоваться в центре датчика, т.е. концентрация ЭДП увеличится.Это приводит к возрастанию проводимости датчика и увеличению силы тока, протекающего через него. Дальней 15 шее увеличение электрического поляприводит к еще большему увеличениюконцентрации ЭДП.Максимальная чувствительностьпредлагаемого датчика будет тогда,20 когда геометрические размеры данногодатчика подчиняются следующим соот"ношениям: К )К,Изобретение относится к измерительной технике и может оыть исполь зовано для контроля параметров магнитных полей.Целью изобретения является повышение точности измерений,На чертеже представлена схемаконструктивного выполнения датчикамагнитного поля.Датчик магнитного поля содержитполупроводниковую пластину 1 с омическими контактами 2 на торцах, Полупроводниковая пластина 1 выполнена ввиде полукольца, цилиндрические поверхности 3 которой имеют обпасти свысокой скоростью поверхностной рекомбинации, разность внешнего и внутреннего радиусов кривизны цилиндрических поверхностей 3 равна диффузной длине электронно-дырочных пар(ЭДП).Устройство работает следующим образом,Если к полупроводниковой пластинеприложить электрическое поле Е, то. дрейфовая скорость электронно-дырочных пар (ЭДП) будет различна по радиусу полукольца полупроводниковойпластины . Приложив к пластине магнитное поле В, получим переменнуюпо радиусу полукольца силу Лоренца.В результате действия силы Лоренца происходит перераспределениеэлектронно-дырочных пар по радиусуполукольца, обусловленное тем, чтов каждой точке радиуса число приходящих ЭДП не равно числу уходящих,Когда сила Лоренца направлена отповерхности полукольца с радиусом Кк поверхности радиусом К, направление градиента напряженности электрического поля совпадает с направлением силы Лоренца и так как на поверхности радиусом К, сила Лоренца повеличине будет больше, чем на поверхности с радиусом К , то число генерированных на поверхности К электронно-дырочных пар будет меньше, чемчисло рекомбинированных ЭДП на поверхности К. Происходит уменьшениеконцентрации ЭДП, что приводит куменьшению проводимости датчика, т.е.к уменьшению силы тока через него.Если сила Лоренца направлена от поверхности с радиусом К, к поверхности с рациусом К , то направление градиента электрического поля и направВНИИПИ Заказ 1629/4 бПроизв.-полигр, пр-тие, г где К - радиус кривизны внешней псаверхности датчика;30 К - радиус кривизны внутреннейповерхности датчика;1. - диффузионная длина носителей заряда.Выполнение обеих цилиндрическихповерхностей в виде областей с высокой скоростью поверхностной рекомбинации позволяет достичь высокой временной стабильности коэффициентапреобразования датчика магнитного 40 поля,Ф о р м у л а изобретения Датчик магнитного поля, содержа 45 щий полупроводниковую пластину с омическими контактами на торцах, о т -л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения точности измерений,полупроводниковая пластина выполнена50 в виде полукольца, цилиндрическиеповерхности которой имеют областис высокой скоростью поверхностнойрекомбинации, причем разность внешнего и внутреннего радиусов кривизны55 цилиндрических поверхностей равнадиффузионной длине электронно-дырочных пар,Тираж 731 ПодписноеУжгород, ул. Проектная, 4