Прудентс

Номер патента: 1307410

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Берзин, Кривич, Литауниекс, Медвидь, Прудентс

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, поля

...схемаконструктивного выполнения датчикамагнитного поля.Датчик магнитного поля содержитполупроводниковую пластину 1 с омическими контактами 2 на торцах, Полупроводниковая пластина 1 выполнена ввиде полукольца, цилиндрические поверхности 3 которой имеют обпасти свысокой скоростью поверхностной рекомбинации, разность внешнего и внутреннего радиусов кривизны цилиндрических поверхностей 3 равна диффузной длине электронно-дырочных пар(ЭДП).Устройство работает следующим образом,Если к полупроводниковой пластинеприложить электрическое поле Е, то. дрейфовая скорость электронно-дырочных пар (ЭДП) будет различна по радиусу полукольца полупроводниковойпластины . Приложив к пластине магнитное поле В, получим переменнуюпо радиусу полукольца силу...