Оптоэлектронный генератор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЭ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1)4 Н 03 К 3/4 1ГОСУДАРСПО ДЕЛ САНИЕ ИЗОБРЕТЕНОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54)(57) ОПТО содержащий би транзисторы, д трона и пять ток полевого с первой пита через первый затвор полено фоторезистор юЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРЭОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПЪЙ(56) Авторское свидетельство СССРУ 630733, кл . Н 03 К 3/281, 1978.Будянов В,П. Релаксационные генраторы-импульсные преобразователинеэлектрических величин. Энергия,1974, рис. 30. ЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР, олярный и полевой ва фоторезисторных оп езисторов, причем исранзистора соединенющей шиной, к которой езистор подключен о транзистора и через ервого оптрона подкл ЯО 193783 А чены первый вывод второго резистора и база биполярного транзистора, змиттер которого соединен с второй питающей шиной, а в цепь, соединяющую коллектор биполярного транзистора с первой питающей шиной, включен третий резистор, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью расширения частотного диапазона в сторону инфранизких частот, светодиодй первого и второго оптронов включены последовательно с третьим резистором в коллекторную цепь биполярного транзистора в прямом по отношению к источнику питания направлении, фото- резистор второгооптрона включенмезду второй питающей щиной и затвором полевого транзистора, сток кото" рого подключен к базе биполярного транзистора через четвертый резистор, второй вывод второго резистора соединен с второй питающей шиной, а пятый резистор включен параллельно светодиоду второго оптрона.Заказ 7323/57 Тираж 871 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5йФилиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная,ц Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при разработке импульсных устройств автоматики миллисекундного и минутного диапазонов в интегральном исполнении.Цель изобретения - расширение частотного диапазона в сторону инфранизких частот за счет использования процесса спада тока через фото- резистор оптрона после прекращения действия светового потока с его светодиода и путем управления с помощью этого тока состоянием полевого транзистора.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройстваОптоэлектронный генератор содержит биполярный 1 и полевой 2 транзисторы, первый оптрон с фоторезистором 3 и светодиодом 4, второй оптрон со светодиодом 5 и фоторезистором 6, резисторы 7-11,Затвор транзистора 2 через резистор 7 подключен к первой питающей шине 12 и через фоторезистор б к второй питающей шине 13, с которой соединены эмиттер транзистора 1 и вывод резистора 8, другой вывод которого соединен с базой транзистора 1, подключенной к стоку транзистора 2 через резистор 10 и к шине 12 через фото- резистор 3. Светодиоды 4 и 5 включены в проводящем направлении последовательно с резистором 9 между коллектором транзистора 1 и шиной 12, с которой соединен исток транзистора 2. Резистор 11 включен параллельно светодиоду 5.Оптоэлектронный генератор работает следующим образом.При подаче напряжения питания на шину 2 через открытый канал и-типа транзистора 2 и резистор 10 в базу транзистор; 1 потечет ток, и когда падение напряжения на резисторе 8 превысит П - напряжение срабаты вания бистабильной схемы, выполненной на транзисторе 1, светодиодах 4 и 5, резисторах 9 и 11 и фоторезисторе 3, бистабильная схема включится и светодиод 5 начнет излучать 10 световой ноток. При этом сопротивление фоторезистора 6 уменьшится, а сопротивление канала транзистора 2 увеличится, так как на резисторе 7и соответственно на затворе транзистора 2 появится запирающее напряжение. Когда падение напряжения на резисторе 8 станет мечьше Б,бистабильная схема выключится и .светодиод 5 перестанет излучать световой поток, Когда транзистор 2 перейдет в исходное состояние (сопротивление его канала уменьшится),падение напряжения на резисторе 8 станетбольше Бпо и процесс повторитсяснова. Длительность цикла зависит от сопротивления резистора 7 и постоянной времени спада тока фоторезистора 6. Причем, чем больше сопротивление резистора 7, тем больше длительность процесса, Так как входное сопротивление транзистора 2 велико (десятки МОм), то максимальное сопротивление резистора 7 может быть соизмеримо с ним. Это дает возможность, изменяя сопротивление резистора 7, изменять частоту следования импульсов от миллисекундного до минутного диапазонов.Кроме того, изменяя сопротивление резистора 11, можно изменять время свечения светодиода 5,а следовательно - длительность импульсов.
СмотретьЗаявка
3696354, 01.02.1984
ВИННИЦКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
КОЖЕМЯКО ВЛАДИМИР ПРОКОФЬЕВИЧ, ОЛЕКСЕНКО ПАВЕЛ ФЕОФАНОВИЧ, БЕЛЫЙ ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ, ГЕЛЬ ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, ТИМЧЕНКО ЛЕОНИД ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 3/42
Метки: генератор, оптоэлектронный
Опубликовано: 23.11.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1193783-optoehlektronnyjj-generator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Оптоэлектронный генератор</a>
Предыдущий патент: Генератор импульсов
Следующий патент: Устройство для формирования пачки импульсов
Случайный патент: Устройство для измерения плотности жидких сред