Грунтовая плотина
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1191511
Автор: Малаханов
Текст
СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1)4 Е 02 В 7/О АНИЕ РЕТ СВИДЕТЕП ТОРСИ ВУ дового-строительева менно-зем 1977,ющ н ни, ней о н т СУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ(71) Московский ордена ТрКрасного Знамени инженернный институт им.В,В,Куйбы(56) Моисеев С.Н, и др. Кляные плотины. М,;Энергияс.79, рис5-1.Там же, с.263, рис.12(57) 1. ГРУНТОВАЯ ПЛОТИНА, вклюая упорные призмы, противофильтонное устройство, имеющее верхчасть, основание и боковые грапереходные зоны со стороны гран верхней части противофнльтраного устройства и гребень с крепем из водопроницаемого материалал и ч а ю щ а я с я тем, что,лью снижения стоимости плотины,верхняя часть противофильтрационногоустройства выполнена с уклоном в сторону нижнего бьефа и имеет ось симметрии, параллельную оси симметрииводопроницаемого участка гребня, акрепление гребня выполнено иэ материала, устойчивого к воздействию волн,при этом отметка гребня РГ плотиныопределяется по формулеГ = ЧУВБ+ 0+ а+К,где ч УВБ - расчетная отметка уровняводы в верхнем бьефе;1 - нормативное превышениеверха противофильтрационного устройства над уровнем воды в верхнем бьефе;Ь - величина ветрового нагонаводы;о - суммарная толщина переходных зон и крепления гребня над верхней частью противофильтрационного устройства,1192. Плотина по п.1, о т л и ч а ющ а я с я тем, что противофильтрационное устройство смещено в сторону верхнего бьефа так, что расстояние между верховым откосом плотины и,о"суммарная толщина переходных зон и крепления гребня над верхней частьюпротивофильтрационногоустройства.5 Разность отметок гребня, которыеопределены по СНиП П-73 и по указанной формуле, учитывающей данноетехническое решение, может достигатьнесколько метровНа чертеже пункти- О ром показан профиль плотины при определении отметки гребня по формуламСНиП П=53-73.В процессе работы плотины допускается возможность выхода волны на 5 гребень, защищенный неразмываемымкамнем. Отвод фильтрующейся воды через гребень осуществляется по верхней части противофильтрационногоустройства и низовой призме тела 20 плотины.Применение данной конструкциигрунтовой плотины позволяет снизитьотметку гребня плотины на несколькометров, уменьшить объем плотины и 2 снизить стоимость строительства на5-1 ОЕ в зависимости от конструкцииплотины и природно-климатических условий района,Составитель Н.КавешниковРедактор М,Бандура Техред Ж,Кастелевич Корректор М.Демчик Заказ 7125/26 Тираж 648 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к гидротехнике, а именно к грунтовым плотинам.Целью изобретения является снижение стоимости плотины,На чертеже показана конструкция грунтовой плотины с противофильтрационным устройство в виде ядра, выполненного из связного грунта. Грунтовая плотина состоит из противофильтрационного устройства 1 ядра) 1, имеющего верхнюю часть 2 с осью симметрии 3, переходных зон 4, верховой 5 и низовой 6 упорных призм и участка 7 крепления гребня, имеющего ось 8 симметрии. Отметка гребня 9 чГ ) определяется для данной конструкции по формулеЧГ = ОУВБ +- Ь+3"где ЯУВБ - расчетная отметка уровня воды в верхнем бьефе;- нормативное превышениеверха противофильтрационного устройства над уровнем воды в верхнем бьефе;Ь - величина ветрового нагона воды, 511верховой гранью противофильтрационного устройства должно быть не меньше допустимой суммарной толщины крепления верхового откоса и переходныхзон.
СмотретьЗаявка
3722024, 06.04.1984
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО СТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. В. КУЙБЫШЕВА
МАЛАХАНОВ ВЯЧЕСЛАВ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: E02B 7/06
Опубликовано: 15.11.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1191511-gruntovaya-plotina.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Грунтовая плотина</a>
Предыдущий патент: Способ укрепления откосов и ложа канав
Следующий патент: Способ намыва преимущественно узкопрофильных сооружений
Случайный патент: Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка