Генератор прямоугольных импульсов

"ГВУ Н АВТОРСКОМ динен с зистора, морезист первый ди го транзи 2. ель ии дио зистора,зистор с ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54)(57) ГЕНЕРАТОР ПРЯМОУГОЛЬНЫХИМПУЛЬСОВ, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, терморезистор, первый,второй и третий резисторы, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюуменьшения массогабаритньгх показателей за счет увеличения коэффициента использования терморезистора,в него дополнительно введены третий транзистор противоположноготипа проводимости, первый, второйи третий диоды, стабилитрон, четвертьгй и пятый резисторы, причем первый вывод четвертого резистора соеЯО 11826 0 оллектором первого трана второй вывод - через те р с общей шиной, через од - с коллектором второстора, а через последовключенные второй и тре - с базой третьего транкоторая через первый реединена с шиной источника питания, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером второготранзистора, база которого соединена через второй резистор с шинойисточника питания, а через стабилитрон или шестой резистор - с общейшиной, коллектор третьего транзистора через третий резистор соединен с базой первого транзистора,эмиттер которого соединен с шинойисточника питания, база первого транзистора через пятый резистор соединена с шиной источника питания,1182630 . 35 ВНИИПИ Заказ 6117/53 Тираж 871 Подписное Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная,Изобретение относится к импульсной технике и используется в приборах, формирующих непрерывные прямоугольные импульсы с заданной частотой, например, для бесконтактной .5мигающей сигнализации на автомобилях.Цель изобретения - уменьшение массогабаритных показателей за счетувеличения коэффициента использования термореэистора.На чертеже представлена принципиальная схема генератора.Схема содержит транзисторы 1, 2и 3, стабилитрон 4 термореэистор 5,диоды 6-8, резисторы 9-13, источник14 питания, причем эмиттер транзистора 3 соединен с шиной источникаш 1 апнн, эмиттеры транзисторов 1 и,тган нтара 1 через резисторы 11, 203, а его база через резистор 9сосд 1"нспы с шиной источника питания, база транзистора 1 черездиоды б, 7, а коллектор транзистора 2 через диод 8 соединены с терморезисчором 5 и резистором 10, дру.гие выводы которых подсоединены кобщей аиле и коллектору транзистора 1, Газа транзистора 2 черезрезистор 12 и стабилитрон 4 сое- З 0динсв сооветственно .с шиной источника 14 питания и общей шиной, база транзистора 3 подключена к точке соединения резисторов 11 и 13.Б исходном состоянии сопротивление терморезистора 5 высокоеПри подаче на схему напряженияпитания Е от источника 14 транзисторы 1. 2 и 3 входят в режим насьщения тока через резистор 9,40Через резистор 10 к терморезистору5 прикладывается высокое напряжениеотрицательной полярности, вследствиечего диоды 6-8 заперты обратнымнапряжением (напряжение пробоя стабилитрона 4 меньше напряжения натерморезисторе 5), На выходной шиневвысокий потенциал близкийпо своей величине к источнику питания Е . Вследствие протекания черезтерморезистор 5 тока резистора 10 онразогревается и его сопротивлениепо мере разогрева уменьшается, аследовательно, уменьшается и падение напряжения на нем и на анодахдиодов.Когда напряжение на терморезисторе станет по своей величине меньше,чем напряжение на базе транзистора 2,.начинает проводить ток диод 8 иколлектор транзистора 2. После этогомомента через терморезистор 5 протекает сумма токов коллектора транзистора 2 и ток резистора 10, Этоувеличивает скорость разогрева термо.резистора, сопротивление его уменьшается и уменьшается падение напряжения на нем,Когда напряжение на терморезисторе 5 достигнет такой величины,при которой, начнут проводить кремниевые диоды 6 и 7 ток базы транзистора 1, следовательно, и ток эмиттеров транзисторов 1, 2 уменьшится(токи эмиттеров в б раз больше изменяются, чем ток базы транзистора 1)что приводит к подзапиранию транзисторов 1, 3, уменьшению напряженияна коллекторе транзистора 3 и токачерез резистор 10 и терморезистор 5Вследствие уменьшения тока черезтерморезистор происходит уменьшениенапряжения на нем, еще большее уменьшения тока базы транзисторов 1 и 3и т.д., т.е, развивается лавинообразный процесс, после которого транзисторы 1-3 запираются и на выходенапряжение 0 , становится равнымнулю. Через терморезистор послеэтого протекает малый ток резистора 9 (потенциал на базе транзистора2 в этом режиме выше потенциалабазы транзистора 1, который определяется делителем па сопротивлениях 9 и 5), вследствие чего термо-.резистор 5 остывает и увеличиваетсяего сопротивление и падение напряжения на нем.Когда напряжение на терморезисторе достигнет величины большейнапряжения на базе транзистора 2,начнется лавинообразный процесс,аналогично рассмотренному, и на выходе О, снова напряжение будет высокое.Предлагаемый генератор в связис малым его объемом может найти применение в электрокардиостимуляторах.