Способ изготовления эталонов для дефектоскопии
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1177735
Авторы: Абдрахманов, Егоров, Талалуев
Текст
(1(1) 1)4 С 01 И 27/84 ИЯ 5-2 У 33 Талал но-исследовахнологии насо с 8)ельство СССР 27/84, 1968. ское свидкл. С 01 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ИСАНИЕ ИЗОБРЕ ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Всестель скийного маши(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭТАЛОНОВ ДЛЯ ДЕФЕКТОСКОПИИ, заключающийся в том, что эталон изготавливаютв виде пластины, азотированной назаданную глубину, и изгибают его наматрице с помощью пуансона, вызываяпоявление трещин в азотированномслое, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью получения радиально направленных микротрещин перед азотированием в центре пластины выполняютотверстие, площадь которого относится к площади пластины как 1:30.1177735 Составитель И.РекуноваТехред Л.Микеш Корректор А,Зиь окосов Редактор И.Николайчук Заказ 5546/44 Тираж 897 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал 1 П 1 П "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к области неразрушающего контроля качества материалов и изделий и предназначено для метрологического обеспечения дефектоскопической аппаратуры, а именно для выявления поверхностных дефектов в капиллярной и магнитно- порошковой дефектоскопии с помощью эталонов.Цель изобретения - получение радиально направленных микротрещин.На чертеже представлена схема осуществления способа. Схема содержит эталон, выголненный в виде пластины 1 с отверстием 2 в центре и азотированным слоем 3, матрицу 4 и пуансон 5. Способ осуществляется следующимобразом.В центре пластины 1 высверливаютотверстие 2, площадь которого отно сится к площади пластины 1 как 1:30.При нарушении указанного соотношенияплощадей отверстия и пластины направленность трещин изменяется. Затем пластину азотируют на определен ную глубину (слой 3) для стабилизации глубины трещин и помещают наматрицу 4.К пуансону 5 прикладывают определенное усилие Р, в результате чего 15 на пластине 1 вокруг отверстия 2 вазотированном слое 3 появляютсямикротрещины, имеющие радиальныенаправления.
СмотретьЗаявка
3709767, 12.02.1984
ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТЕХНОЛОГИИ НАСОСНОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
ЕГОРОВ СЕРГЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ТАЛАЛУЕВ ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, АБДРАХМАНОВ ИЛЬДАР ХАЙОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/84
Метки: дефектоскопии, эталонов
Опубликовано: 07.09.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1177735-sposob-izgotovleniya-ehtalonov-dlya-defektoskopii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления эталонов для дефектоскопии</a>
Предыдущий патент: Способ настройки магнита
Следующий патент: Сердечник к электромагнитному преобразователю
Случайный патент: Установка для получения порошков распылением расплава