Буферный вентиль
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН НОМИТЕТ СССР НИЙ И ОТНРЫТИЙ ИЯ СПИ НИЕ ИЭМУ С 8 ИДЕТЕЛ РЕ ЬСТВ К АВТОРСКО ходо иной вен а п Ф 32Касаткитребов оро ого со 1. БУФЕРНЫЙвый и второй(54)(5 нител выход жащий п с инжек н л т онным питая ранзистор,инеи с шин и р-и- рого с с е с выхо ранзис екторервого т с ГОСУДАРСТВЕННЫ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕ(56) Патент Великобркл. Н 03 К 19/08, 19Авторское свидетеВ 557438, кл. Н О 1 тании У 2015840,О,ьство СССР29/70, 1977. ЕНТИЛЬ, содертранзисторы м типа и-р-и иттер кото- питания, колтиля, база единена с 51)4 Н 03 К 19 091 тиля, эмиттер - с общей ервый коллектор - с базой ранзистора, эмиттер котоинен с общей шиной, о т л ий с я тем, что, с целью я потребляемой мощности при емкостную нагрузку, в не-дополнительный транзистор и и генератор тока, включен- общей шиной и вторым колпервого транзистора, база ьного транзистора соединеом вентиля и вторым колч а ю щ и уменьшени работе на го введен типа о-р-. ный между лектором тором первого транзистора, эмит- с общей шиной, а коллекторазой второго транзистора, колле которого соединен с базой р-Пнзистора.1176450 2. Вентиль по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью увеличения выходного напряжения, в него введен элемент смещения напряжения, включенный между базой дополнительного транзистора и выходом вентиля,3. Вентиль по п.1, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что дополнительный Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для построения узлов И 2 Л БИС,работающих на емкостную нагрузку.Целью изобретения является умень 5шение потребляемой мощности при работе на емкостную нагрузку путемвведения обратной связи между выходом буферного вентиля и р-и-р-тран 1 Озистором, которая позволяет выключатьр-п-р-транзистор после перезарядаемкости нагрузки,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема буферного вентиля,15 Буферный вентиль содержит первый 1 и второй 2 транзисторы с инжекцион" ным питанием типа п-р-п, дополнительный транзистор 3 типа п-р-п, р-и-ртранэистор 4, элемент смещения напряжения 5, источник тока 6, база тран. зистора 1 соединена с входом вентиля, эмиттер - с общей шиной, первый коллектор - с коллектором транзистора 3 и базой транзистора 2, эмиттеры которых соединены общей шиной, вто" рой коллектор транзистора 1 - с выходом вентиля, коллектором транзистора 4, источником тока 6 и через элемент 30 смещения напряжения 5 - с базой транзистора 3, эмиттер транзистора 4 соединен с шиной питания, а база - с коллектором транзистора 2.Устройство работает следующим образом. транзистор и генератор тока выполнены в виде транзистора с инжекционным питанием,4, Вентиль по п.2, о т л и ч а ющ и й с я тем, что элемент смещения напряжения выполнен в виде последовательно включенных резистивного делителя, диодов и диодов Шоттки,Когда на вход буферного вентиляподается "1", транзистор 1 включается, создает на выходе схемы низкийуровень напряжения, а также низкийуровень напряжения на втором коллекторе, который закрывает транзистор2 с инжекционным питанием. 11 оследний выключает р-и-р-транзистор 4,Таким образом, на выходе схемы низкий уровень напряжения (О =1 щ).Яфк Кзн"В момент подачи на вход вентиляО" закрывается транзистор 1 с инжекционным питанием, но, так как предполагается, что к выходу вентиля подключена нагрузка с большей емкостью,то ток генератора 6, который для экономии потребляемой мощности достаточно мал, не может эту емкость быстроперезарядить, поэтому транзисторл-р-и 3 остается выключенным, в товремя как транзистор 2 с инжекционнымпитанием включается и включает р-О-ртранзистор 4,Коллекторным током транзистора 4начинается форсированная перезарядкаемкости нагрузки и потенциал на выходе схемы начинает увеличиваться,Как только потенциал на выходе вентиля достигнет напряжения 08= ОЕФА+иэс 5(где О - напряжение смещения, задаваемое элементом смещения напряжения5), открывается транзистор о-р-о типа 3 и выключает транзистор 2 с инжекторным питанием, который выключает р-и-р-транзистор 4 и буферныйвентиль переходит в состояние "1".
СмотретьЗаявка
3717223, 29.03.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1589
ЛАВРОВ ИГОРЬ ИВАНОВИЧ, КАСАТКИН СЕРГЕЙ ВИКТОРОВИЧ, СМИРНОВ ВИКТОР АЛЕКСЕЕВИЧ, ЯСТРЕБОВ ПАВЕЛ ВИТЕЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 19/091
Опубликовано: 30.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1176450-bufernyjj-ventil.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Буферный вентиль</a>
Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора
Номер патента: 586858
Опубликовано: 30.12.1977
Автор: Адель
МПК: H03F 3/34
Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора
...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...
Усилитель считывания для программируемого постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 780033
Опубликовано: 15.11.1980
Авторы: Воробьева, Митина, Неклюдов, Приходько, Щетинин
МПК: G11C 7/06
Метки: запоминающего, постоянного, программируемого, считывания, усилитель, устройства
...которого соединен с базой вы ходного транзистора и через третийрезистор с шиной нулевого потенциала.Программируемый элемент выполненв виде плавной перемычки. Программируемый элемент выполнен в виде обратносмещенного р-п перехода.На чертеже дана электрическаясхема усилителя считывания, содержащего управляющий транзистор 1, фазовращательный транзистор 2, выходнойтранзистор 3, первый Резистор 4, второй резистор 5, третий резистор б,инвертирующий транзистор 7, первыйисточник 8 напряжения смещения,второй источник 9 напряжения смещения,программируемый элемент 10, пороговый элемент 11, четвертый резистор12, пятый резистор 13, входную шину14, выходную шину 15, шину 1 б питания, шину 17 нулевого потенциала.Программируемый элемент...
Кольцевой счетчик на насыщающихся транзисторах
Номер патента: 270355
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H03K 23/54
Метки: кольцевой, насыщающихся, счетчик, транзисторах
...входе 4, через конденсатор 5 и резистор 6, увеличивает напряжение на резисто ре 7. Нарастание импульса запуска вызываетспад тока ненасыщенного транзистора 1, и образуется скачок напряжения на его коллекторе, который через кочденсатор 8 в виде импульса положительной полярности поступает 25 на базу аналогичного транзистора последующей я.ейки, Так как запираемый транзистор 1 работает в режиме усиления, напряжение сигнала на базе транзистора 1 последующей ячейки становится выше напряжения на рези- ЗО сторе 7, в результате чегп тнанзистоп оказы270355 раж 480 каз 2176/16 одписное пографии, пр. Сапунова, 2 вается в активной области в процессе,нарастания импульса запуска.За этот же отрезок времени транзистор 1 ранее включенной ячейки...
Усилитель с распределенным усилением на транзисторах
Номер патента: 297110
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алексеев, Говорухин, Ленинградский
МПК: H03F 1/42
Метки: распределенным, транзисторах, усилением, усилитель
...секций, каждая из которых (за исключением последней) полностью аналогичнадвум первым, описанным выше. В приведеннойсхеме это относится к третьей секции.Последняя секция усилителя, в данном случае четвертая, как и предыдушие, содержиттранзистор 18, база которого через разделительный конденсатор 19 подключена к отводуотрезка искусственной длинной линии 20 (аналогично отрезкам линии 9 и 17), принадлежащего третьей секции усилителя. Эмиттер транзистора 18 присоединен к заземленному проводу 3 через параллельную ЙС-цепочку 21, состоящую из сопротивления 22 и конденсатора 23,Коллекторы транзисторов, как и в известных схемах, подключаются к выходной линиипередачи. Каждая секция выходной линии передачи содержит две индуктивности (напри 5 мер,...
Формирователь потенциалов для накопителя запоминающего устройства на мдп-транзисторах
Номер патента: 546015
Опубликовано: 05.02.1977
Авторы: Андрейцев, Воронцов, Грызлов, Доценко
МПК: G11C 11/4063, G11C 7/00
Метки: запоминающего, мдп-транзисторах, накопителя, потенциалов, устройства, формирователь
...10 открыт и насыщен, поэтомутранзисторы 6 и 1 закрыты, ток в коллекторе транзистора 1 не протекает и вне зависимости от наличия сигнала в первой входнойшине 4 на резисторе 15 отсутствует падениенапряжения, т. е. на выходе формирователян а пряжение равно +Е.Во время прихода сигнала Выборка Хпо входной шине 4 транзистор 10 закрывается, и через резистор 18 и диод 9 в эмиттертранзистора 6 задается ток, определяемыйнапряжением в точке соединения резистора17 и диода 13 и величиной сопротивлений резистора 18. Так как транзистор 6 является 15 2 О 25 30 35 40 45 50 55 60 б 5 повторителем тока, то в его коллекторе протекает практически такой же ток, как и в эмиттере, Этот ток вызывает падение напряжения на цепочке: диод 7 - резистор 8. В...
Предыдущий патент: Высоковольтный логический элемент
Следующий патент: Цифровой накопитель
Случайный патент: Устройство для воздушного охлаждения днища лещади доменной печи