Устройство для стирания информации в перепрограммируемых блоках памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИН СВ 1 ОЦ 344(5 ц 4 О 1 союзе11,и,1 й ".,.1ТЕХЩЧсу 1 1 а" 1ЯИаО 1 ад ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ ИЯ 0 Бю Ю.В.Иарков ов и (088 ы микросхемы.Изд-во ЦНИИс,29.ельство СССРС 7/00, 1982. алог иде 11, тель один СТРОЙ СТ В ПЕРЕП ТИ, сод сных. си вход ко 0 ДЛЯ СТИРАНИЯОГРАИИИРУЕЮЫХржащее формироналов накопиорого подключе входом И подк адресн ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТ"Электроника",Авторское свВ 95594, кл. к выходу формирователя адресных сигналов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства эа счет исключения несанкционированного стира.ния информации, в него введены элемент ИЛИ-НЕ элемент И причем входы элемента ИЛИ-НЕ подключены к другим входам накопителя и являются адресными входами устройства, выход элемента ИЛИ-НЕ соединен с одним входом элемента И, другой вход которого является управляющимустройства, выход элементалючен к входу формирователяых сигналов.1173445 Составитель О.КулаковРедактор Ю.Ковач Техред И.Асталош Корректор Г.Решетник Заказ 5071/50 Тираж 584 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений иоткрытий113035, Москва Ж, Раушская наб., д.4/5 Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная,4 Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам ЗУ ) наМНОП транзисторах, и может найтиприменение при разработке устройствстирания. всего поля памяти в электрически перепрограммируемых блокахпамяти (ППЗУ).Цель изобретения - повышениенадежности. устройства за счет исклю Очения несанкционированного стирания информации.На чертеже схематически представ. -- лена блок-схема предлагаемогоустройства. 15Устройство содержит накопитель1, формирователь 2 адресного сигнала элемент И 3 элемент ИЛИ-НЕ 4,адресные шины 5 и шину,б управления2 ОВыход Формирователя 2 сигналастирания всего поля памяти соединенс входом общего стирания накопителя1. Входы элемента ИЛИ-НЕ 4 подключены к адресным входам накопителя 251, а его выход - к первому входуэлемента И 3. Второй вход элемента И 3 является управляющим входомб устройства, а выход элемента И 3под чен к входу Фор рователя 2 ЗОсигнала стирания всего поля памяти.Устройство работает следующимобразом,Сигнал запуска стирания всего,поля памяти с шины б поступает навход логического элемейта И 3. Надругой вход логического элементаИ 3 поступает разрешающий сигнал синверсног. выхода логическогоэлемента ИЛИ-НЕ 4, входы которогосоединены с адресными шинами.. Разрешение вырабатывается приусловии, что на ацресных шинах 5имеются нулевые сигналы ( нулевойадрес ).Таким образом, с помощью логических элементов ИЛИ-НЕ 4 и И 3 осуществляется дополнительный контрольправильности выработки (формирования)сигнала стирания всего поля памяти1,общего стирания .В устройствах общего стирания,где этот контроль отсутствует, случайное формирование сигнала стиранияможет привести как к выходу из строяпамяти, так и к несанкционированномуее стиранщо,Уменьшение вероятности выходаиз строя памяти и ее несанкционированного стирания приводит к повышению долговечности и надежности блокапамяти, а также к повышению производительности труда за счет уменьшениязатрат труда на восстановление ошибочно стертого поля памяти.
СмотретьЗаявка
3691083, 23.01.1984
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ Х-5263
ЧЕСНОКОВ ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ, МАРКОВ ЮРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 7/24
Метки: блоках, информации, памяти, перепрограммируемых, стирания
Опубликовано: 15.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1173445-ustrojjstvo-dlya-stiraniya-informacii-v-pereprogrammiruemykh-blokakh-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для стирания информации в перепрограммируемых блоках памяти</a>
Предыдущий патент: Устройство для исправления ошибок в цифровых магнитных накопителях
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Способ определения тепловой постоянной времени кристаллов биполярных транзисторов