Модулятор электромагнитных волн

Номер патента: 1048305

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Анистратенко, Кирилюк, Оксанич, Спектор

МПК: G01B 7/287

Метки: геометрических, параметров, пластин, полупроводниковых

...блока 2. Манипулятор 1 состоит из корпуса 3, предметного стола 4, измерителя 5, тарированного гравитационного толкателя 6,укрепленных в корпусе 3, ведущего7 и ведомого 8 звеньев, рычага 9и подпружиненного упора 10, такжесоединенных с корпусом 3, Узел взаимодействия наконечника ведомогозвена 8 с гравитационным толкателем6 выполнен с зазором свободного хода,ведущее звено прижимается к подпру-жиненному упору 10. Предметный стол4 снабжен тремя базовыми опорами 11,выполненными в виде датчиков каса.ния, двумя дополнительными опорами12, расположенными выше уровня базовых опор, и двумя дополнительнымиопорами 13 ниже уровня базовых опор11. Вблизи предметного стола 4 установлены фиксаторы 14 ориентации.Тарированный гравитационный толкатель...

Номер патента: 712785

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26

Метки: зависимости, пластин, полупроводниковых, сопротивления, температурной, удельного

...Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводпмыс в динамическом режимс измерения температурной зависимости удельного сопротивления образцов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы н измерению геометрических размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств. Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частотысоединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с...

Номер патента: 779937

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Ахманаев, Левдикова, Медведев

МПК: G01R 31/00

Метки: камера, параметров, пластин, полупроводниковых

...пластины 10 в еМкостной зазор резонатора.Величина коэффициента включения К 20 определяется соотношением емкостей С, С, С 1, и может быть найдена иэ выражения 1с где С.САНСИ ЕВ т 30 ПСсщ ф 4 Г.бк: -Ср " емкость, обусловленная наличиемнеконтролируемого зазора между полупроводниковой пластиной 10 и торцомстержня 5;С - емкость между выступом 2 и стенкой короткозамкнутого отрезка 1 запредельного волновода; 40С - емкость полупроводниковой пласЮтины 10 под торцом стержня 5;Я - площадь торца стержня 5; йптолщина полупроводниковой пластины10,45Величину К можно определить либо, расчетным путем, либо, эксперименталь йо методом возмущения, измеряя зависимость резонансной частоты резонатора от толщины полупроводниковой плас"тины...

Номер патента: 1013744

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Анистратенко, Воронин, Елютин, Оксанич, Тузовский

МПК: G01B 7/28

Метки: пластин, полупроводниковых

...выполнен н виде двух плун,жеров, связанных между собой с помощью стержневого ограничителя срасположенной на нем пружиной, а из-меритель прижимного усилия баэовогостола кинематически связан с плунжерами толкателя,На фиг. 1 представлена блок-схемаустройства, на фиг. 2 -механическийузел, разрез, на фиг, 3 - разрезА-А на фиг. 2.Основными узлами устройства являются механический узел 1 и блок 2обработки и индикации (фиг. 1)Механический узел 1(фиг. 2) состоит из корпуса 3, опорного стола 4 ипозиционера 5, кинематическое замыкание коТорого с приводом 6 выполненопосредством рычага 7 и толкателя 8.Опорный стол 4 зафиксиронан в исходном положении сферическим шарниром 9и тремя подпружинейными упорами 10и нзаимодействует с...

Номер патента: 1072071

Опубликовано: 07.02.1984

Автор: Беломестнов

МПК: G06K 9/00

Метки: аналоговых, пластине, полупроводниковой, признаков, распознавании, селекции, сигналов

...легированного примесями, образующими глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника так, что длина линии электрического тока, протекающего через пластину в процессе селекции признаков, превышает диффузионную длину неравновесных носителей заряда при низком уровне инжекции.Сущность способа заключается в том, что когда к полупроводниковой пластине прикладывают кратковременный импульс электрического поля, после окончания которого остается небольшое постоянное опорное поле, то в этой пластине образуется локализованный "шнур" тока, т.е, пространственно неравномерное распределение плотности тока, Образовавшийся шнур тока находится в безразличном равновесии относительно трансляций, но перемещается в магнитном поле.На фиг. 1...