Генератор арккосинусоидального опорного напряжения для системы импульсно-фазового управления

Номер патента: 1035799

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Дронов, Строцкий, Федорова

МПК: H03K 17/693

Метки: коммутатор, мдп-транзисторах

...суммирующего операционного усилителя 4, вход режекторногофильтра 5, вход полосового фильтра би первый выйод резистора 7, второйвход суммирующего операционного усилителя 4 подключен к шине 8 отпирающего сигнала, а выходк входам переключателей 9, выходы которы)с соединены с,затворами соответствующих МДПтранзисторов 2 и 3 и через соответствующие резисторы 10 подключены к шине 11 запирающего сигнала, выход режекторного фильтра 5 подключен к шине 12 выходных сигналов, а выход по"лосового фильтра б - к входу демодулятора 13, выход которого через формирователь 14 соединен с шиной 15выявления неисправностивторой выводрезистора 7 подключен к выходу генератора 1 б гармонических колебаний.Коммутатор напряжения на МДП-транзисторах работает...

Номер патента: 543894

Опубликовано: 25.01.1977

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: отсечки, полевых, транзисторов

...транзистора 3. При этом напряжение генератора 4, преобразуясь в операционном усилителе 1, приобретает З 0 вид импульсно-модулированных колебаний (фиг. 2, а). В результате обработки этих колебаний в амплитудном детекторе 5 образуется огибающая (фиг. 2, б), напряжение которой поступает на синхронные детекторы З 5 6 и 7 для разделения по временному принципу с последующим накоплением информации в виде напряжения постоянного тока соответственно о максимальном и минимальном значениях проводимости канала полевого 40 транзистора 3 и пределах модулирующего воздействия. С помощью аттенюатора 10 напряжение с выхода детектора 6 ослабляется в соответствующее число раз и сравнивается с напряжением детектора 7 в срав нивающем устройстве 11. Результат...

Номер патента: 598159

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Зарипов, Петрова, Попов, Ястребцев

МПК: H01L 29/788

Метки: делитель, мдп-транзисторе

...Фси. у Состав Техред И.Шубин е Тираж 960 нного комите м изобретени Ж, Раушск ПодМиниий.4/5 сноеров ССС Совет откр наб., Патент, г.ужгород, ул.Проектна илиал П тивной длины канала 1.в, при этом ток стока 3 увеличивается.На фиг. 1 изображен топологический чертеж делителя напряжения на МДП-транзисторе; на фиг. 2 изображен разрез делителя напряжения.Делитель напряжения на металл-диэлектрик-полупроводниковом транзисторе состоит из полупроводниковой подложки 1 одного типа проводимости Р, с сформированными в ней областями, истока 2 и стока 3 другого типа проводимости ь,на которых образованы электроды истока 4 и стока 5 из слоя жидкого диэлектрика 6, нанесенного на подложку и выполняющего одновременно роль смазки, из подвижного электрода затвора...

Номер патента: 524145

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Виснап

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектор-эмиттер, коллектора, стабилизатор, транзистора

...для стаб1 зации параметров транзисторов, содеимпульсный стабилизатор тока эмиттера,стаби.изатор напряжения коллектора, состоящий из омического делителя и источникаопорного напряжения, который через усипигепь постоянного гока соединен с регулирующим элементом источника коппекгорного напряжения, перехпючагепь пределовизмерения, базовые резисторы, усилитель,переходе транзистора 121, содерстабилизированный источник питания, 2 токозадающий резистор, вкпюченнь источником, питания и клеммой дп оплекгора транзистора, прич Известные стабилизаторы не обеспечивают гысокой степени стабилизации нацряжения коппекторно-эмиттерного переходаизмеряемого, транзистора, а значит, и токаколлектора.Белью изобретения явпяется повытоъности...

Номер патента: 1261064

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Тальнова, Хцынский

МПК: H02M 3/155

Метки: мдп-транзисторах, умножитель

...управления - высокого. Первый нагрузочный транзистор 15 открывается,и первый зарядный конденсатор 4 первого каскада умножения заряжаетсядо напряжения Б при этом на входепервого каскада 3, будет напряжение1. =П1 ПЙТ ПОР Тр 1которое через 5 О 15 20 25 30 35 40 открытый первый форсирующий транзистор 9, передается на затвор первого зарядного транзистора 11, и происходит заряд первой форсирующей емкости 1,1,Напряжение на входе первого касП 1 -1111 ит 11 пОР тР 15, форсирующая емкость 11, заряжена, но напряжение недостаточно для открывания первого зарядного транзистора 1, .На вход управления 5 поступает напряжение высокого уровня, а на вход 8 - низкого уровня. На входе 3, напряжение становится равным=Б, +П, (где П,р - напряжение сигнала...