Устройство для регулирования температуры

Номер патента: 1552366

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Андреев, Гинзбург, Лебедев

МПК: G05B 1/01, H03K 5/24

Метки: интегральный, кмоп-транзисторах, компаратор

...каскадам компаратора;У - напряжение на входе 18 врежиме настройки,Конденсатор 5 заряжается до напря- жения где Б - напряжение на первом входе38 устройства.В момент сравнения транзисторы коммутаторов 6, 7, 9 и 10 закрываются, а коммутаторы 8 и 11 открываются. При этом разрывается обратная связь с выхода второго дифференциального усилителя на вход второго, а затвор и сток транзистора 16 размыкаются. Первые обкладки конденсаторов 4 и 5 . меняют свое подключение, при этом на входе 17 получают напряжение 0 щ - Жа - 0) (4)Таким образом, на входы второго дифференциального усилителя подается разностное напряжение Из выражений (3), (4) и (5) видно,что результирующее напряжение, подаваемое на входы второго дифференциального усилителя 2, не зависит...

Номер патента: 262964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Антонов, Иванов, Шагиахметов

МПК: G11C 11/02

Метки: импульсами, питания

...5.Выходной контакт б устройства связан с источником 8 напряжения питания не непосредственно, а через дополнительное сопротивление - резистор 7, который зашунтирован конденсатором 8 на потенциал земли. Через диод 9 контакт б соединяется с дополнительным источником 10 напряжения питания, величина (абсолютная) Екоторого меньше величины Е основного источника 8, причем диод включен в прямом направлении по огноше нию к току генератора.К приходу импульса тока (фиг, 1) или кмоменту замьвкания ключа 4 (фиг. 2) на контакте б устанавливается напряжение Е, диод 9 закрыт. С началом импульса тока конден сатор 8 разряжается, и напряжение на контакте б понижается. Когда напряжение упадет до величины Еоткрывается диод 9, и ток замыкается через...

Номер патента: 1319315

Опубликовано: 23.06.1987

Автор: Ефимова

МПК: H04N 3/18

Метки: выходной, генератора, каскад, развертки, строчной

...синфазно с второй вторичной обмоткой (фиг. 2 а, б). С помощью интегрирующей КС-цепи, состоящей из первого резистора 11 и интегрирующего конденсатора 10, формируется импульс напряжения (фиг. 2 а) на переходе база-эмиттер второго транзистора 8. За время действия отпирающего импульса интегрирующий конденсатор 10 перезаряжается от напряжения - 1. до +1. (фиг, 2 е), В конце прямого хода в момент времени 1, второй транзистор 8 открывается и в цепи, образованной источником напряжения Е, вторичной обмоткой строчного трансформатора 6, вторым транзистором 8, вторым дополнительным диодом 9 и коллекторно- базовым переходом первого транзистора 1, начинает протекать импульс тока 1 (фиг. 2 ж), С этого момента времени начинается процесс рассасывания,...

Номер патента: 1335820

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01

Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов

...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...