Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

(19) (11) 4(5 С 1 В 7/26 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 2 ГОсудАРстВенный НОмитет сссРГ 1 О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬТЮ(54)(57) СПОСОБ ИЭГОТОВЛКНИЯ ОРИЖНАЛА ОПТИЧКСКОИ СИГНАЛОГРАИИЫ путемвакуумного нанесения на дисковую основу полупроводникового халькогенидного слоя, на который воздействуютлазерным лучом с последующим травлением, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения спектральной чувствительности в видимой области и в области высших частот иселективности травления, перед нанесением полупроводникового халькоге- .нидного слоя на дисковую основу ввакууме напыляют металлическую пленку, а при воздействии лазерным лучом осуществляют взаимную фотостимулированную диффузию на границераздела металлической пленки и полупроводникового халькогенидного слоя.тот и селективности травления. пленку, напыленную нПоставленная цель достигается нову. После этого натем, что согласно способу изготов- ковый халькогенидныйления оригинала оптической сигнала- О ствуют лазерным лучограммы путем вакуумного нанесения при этом взаимную фона дисковую основу полупроводнико- ную диффузию на гранвого халькогенидного слоя, на кото- таллической пленкойрый воздействуют лазерным лучом с ковым халькогениднымпоследующим травлением, перед на-чивающую образованиенесением полупроводникового халькоге- ния, обладающего инынидного слоя на дисковую основу в свойствами чем его свакууме напыляют металлическую плен- ле воздействия лазерку, а при воздействии лазерным лу- водят травление, обечом осуществляют взаимную фотости-мирование рельефа вмулированную диффузию на границе или впадин глубиной,раздела металлической пленки и полу- длины волнывоспронзвпроводникового халькогенидного слоя. Использование изоПредложенный способ за счет тд- ляет в значительнойго, что перед нанесением полупровод- чувствительность и рникового халькогенидного слоя на дис- собность,1ВНЯЯПИ Заказ 2510/41 Тираж 584 Подписноефилиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 411533Изобретение относится к накопле-нию информации, а именно к способамизготовления оригинала оптическойсигналограммы.Известен способ изготовления ори-гинала оптической сигналограммы путем формирования рельефа на поверхности рабочего слоя и нанесения нанего металлической пленки, позволяющий обеспечить относительную прос- Ототу процесса изготовления оригинала оптической сигналограммы 11 3.Недостаток известного способа -значительная длительность процессаизготовления оригинала оптической 1сигналограммы,Известен также способ изготовления оригинала оптической сигналограммы путем вакуумного нанесения на дис"ковую основу полупроводникового 26халькогенидного слоя, на который воздействуют лазерным лучом с последующим травлением. Этот способ позволяет обеспечить малую длительность процесса изготовления оригинала оптической сигналограммы 2 1,Данный способ обеспечивает высокую чувствительность в видимой области и в области высших частот и высокую селективность травления засве- щченных и незасвеченных участков, подтрав которых снижает отношение сигнала к помехе при воспроизведении.ВЦель изобретения - повышение спектральной чувствительности в видимой области и в области высших часковую основу в вакууме напыляют металлическую пленку, а также за счеттого, что при воздействии лазернымлучом осуществляют взаимную фотостимулированную диффузию на границе раздела металлического слоя и полупроводникового халькогенидного слоя,позволяет в значительной степени повысить спектральную чувствительностьв видимой области и в области высшихчастот с одновременным повышениемселективности к травителям при формировании рельефа, обусловленной отличием химических свойств образованного интерметаллического соединения .На чертеже показано устройстводля осуществления предложенного способа изготовления оригинала оптической сигналограммы,Устройство содержит формирова"тель 1 лазерного луча, установленный с возможностью воздействия наполупроводниковый халькогенидныйслой 2 оригинала 3 оптической сигналограммы, сопряженный через металлическую пленку 4 с дисковой основой Ь,Изготовление оригинала оптической снгналограммы происходит следующим образом,На дисковую основу в вакууменапыляют металлическую пленку, например, алюминиевую или серебрянную. Затем производят вакуумное нанесение полупроводникового халькогенидного слоя на металлическуюа дисковую ос- полупроводнислой воздейм, осуществляятостимулированице между меи полупроводнислоем, обеспенового .соединеми химическимиоставляющие, Посным лучом проиэспечивающее форвиде выпуклостейравной четвертиодящего излучения.бретения поэвостепени повыситьазрешающую спо