Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы

(9) и 4 01 НЫЙ КОМИТЕТ ССОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ОДЕЛ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ Ф ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(72) 10,К.Бакулин, М.Т.Костьппин, С.А.Костюкевич и П.Е.Шепелявый (53) 681.84.001.2 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР В 153354, кл. 0 11 В 7/26, 1983, (5,е) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОРИГИНАЛА ОПТИЧЕСКОЙ СИГНАЛОГРАМИЫ(57) Изобретение относится к накоплению информации. Для улучшения светознергетических х-к оригинала оптической сигналограммы на дисковую основу 1 с напыленной металлической пленкой 2 дополнительно напыпяют пленку 3 изили СиС 1, или СцВг, или Си 1,и Сц,Б, или СиБе, или СиТе толщиной 1-5 нм, Затем наносится слой 4 полупроводникового халькогенида,часть приповерхностной зоны вступает в химическое взаимодействие с материалом дополнительной пленки 3. Образуемый при этом слой продуктов взаимодейст вия обеспечивает эффективное протека" ние фотореакционной диффузии при воздействии на оригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения,брете о р мул а я,Способ изготовления оригинала опи тической сигналограммы по авт.св.У 1153354, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью улучшения светоэнергетических характеристик оригиналаоптической сигналограммы, перед най 0 несением полупроводникового халъко 50генидного слоя на металлическую плен"ку в вакууме напыляют дополнительнуюь- пленку из Сц, или ГцЛ или СиВг,или Сц 1, или СцЯ, или СпЯе,Сц Те. толщиной 1-5 нм,зации вананосят когенидатолщиной з Я,55 Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам изготовления оригинала оптической сигналограммы, и является усовершенствованием изобретения по авт.св. В 1153354.Известен способ, заключающийся 9 последовательном нанесении на дисковую основу металлической пленки и О Полупроводникового халькогенидного слоя, на границе раздела которых осуществляют взаимную фотостимулироанную диффузию лазернЫм лучом, а атем проводят селективное травле" 15 ие Г 13.Цель изобретения - улучшение све 1 ознергетических характеристик ориинала оптической сигналограммы.На фиг. представлены -этапы изго товления оригинала оптической сигнаМограммы; на фиг. 2 - семейство ки" йетических кривых изменения пропусания оригинала сигналограммы; на иг. 3 - зависимость роста светоэнеретической чувствительности оригинаа сигналограммы от толщины слоя и ,еди (Сц); на фиг, 4 - семейство киетических кривьж изменения пропускаия оригинала сигналограммы от времеоблучения в зависимости от вещеста.дополнительного слоя. . Оригинал оптической сигналограмщ, изготовленный предлагаемям спообом, содержит дисковую основу 1 фиг.1), металлическую пленку 2, ополнительную пленку 3, полупроводниковый халькогенидный слой 4 и слой продуктов взаимодействия.Оригинал оптической сигналограммы 40 Йзготовляют следующим образом.На дискОВую основу 1 (фиге) В вакууме при остаточном давлении 2 ф 10 Па термическим испарением на Пыляют металлическую пленку 2, напр мер серебряную, толщиной 20-100 нм, Затем в том же цикле испарения напы ляют дополнительную пленку 3 из Сц или СцС 1, или СцВг, или Сц 1, или Сц Я или СцЯе или Сц Те толщино 5 нм, после чего без разгермети куумной системы напылением слой полупроводникового хал4, например Аз Я, А110 - 120 нм Часть приповерхностной эоны слояполупроводникового халькогенида 4вступает в химическое взаимодействиес материалом дополнительной пленки 3,образуя слой .5 продуктов взаимодействия, обладающий высокой степенью дисперсности и обеспечивающий условиядля эффективного протекания фотореакционной диффузии при воздействии наоригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения при записисигналограммы. Слой 5 продуктов взаимодействия уменьшает индукционныйпериод в кинетике фотореакционнойдиффузии и тем самым повышает светоэнергетическую чувствительность оригинала сигналограммы. На фиг. 2представлено семейство кинетическихкривых изменения пропускания ьТ оригинала оптической сигналограммы отвремени С облучения лазерным излучением в зависимости от толщины дополнительного слоя из меди (Сц). Очевидно, что оптимальная толщина дополнительной пленки меди 2 нм,Максимальная светоэнергетическая чувствительность И оригинала сигналограммы достигается при толщине Й, . дополнительной пленки меди 2 нм(фиг.3).Семейство кинетических кривых изменения пропускания от времени облучения 4 Т в зависимости от матерна" ла дополнительной пленки представлено на Фиг.4.Толщина дополнительной пленки для различных материалов пленки выбрана оптимальной..Лончако орректо каз 4779/5 5 Т одписно оиэводственно-полиграфическое предприятие, г. Уж роектная, 4 ВНИИПИ Госу по делам 113035, Москва-35, Раущ омитета ССС открытий ая наб, д,