108832

Номер патента: 259304

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Ардентов, Кочергин, Петров, Расплетин, Шестаков

МПК: B23K 15/00

Метки: газов, действия, зоны, пучка, сварки, удалением, электронно-лучевой, электронного

...металла-геттера. о-лучевой сварки с удв. - ны действия элгктронн- металлическнх пласщ и й с я тем, что, рассеивания электроннокие пластины устанавнно над изделием и под стины выполняют из Известен способ электронно-лучевой сварки с удалением газов из зоны действия электронного пучка, при котором на его пути в области анода устанавливаются пластины из фольги, Такой способ не обеспечивает эффективного уменьшения рассеивания электронного пучка.Предложенный способ отличается от известного тем, что устанавливают металлические пластины непосредственно над иэделием и под ним, причем обе пластины выполняют из металла-геттера. Это обеспечивает удаление значительной части газов из зоны действия электронного пучка и уменьшает его...

Номер патента: 1820827

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Комов, Лисицын

МПК: H05H 1/00

Метки: генерируемой, концентрации, плазме, приборах, пучково-плазменных, электронов

...плазмы в доливольта ток ионов с боковой поверхности уравновешивает ток плазменных электронов через торцевую поверхность на коллектор и дальнейший рост потенциала плазмы 25 прекращается. Малый потенциал плазмынезначительно изменяет скорость продольного ухода электронов, Таким образом, происходит трехмерный разлет плазменных компонент с разделением зарядов, З 0 Плазменные электроны, проходящие наколлектор увеличивают сигнал на коллекторе от пучковых электронов. Сравнивая сигнал от плазменных электронов с сигналом от пучковых электронов, концентрация по З 5 которых известна, можно определить концентрацию электронов плазмы пе.Если на коллектор подан отрицательный потенциал О относительно замедляющей структуры, то часть плазменных 40...

Номер патента: 842797

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Баранцева

МПК: G06F 7/50

Метки: гистере-зисом, комбинационный, параллельный, приборах, сумматорна, электронным

...систему резонатора прибора в,режиме электронного гистерезиса прирасположении рабочего напряжения смещения в бистабильной области зависимости мощности прибора от напряженияна отражателе (фиг. 2), Соединениевходных 1 - 8 и выходных 9 - 12 приборов осуществляется с помощью полос:ковых линий с боковой связью. В этомслучае связь входных приборов 1 - 7в каждом разряде с выходными 9 - 12приборами рассчитана так, что последние переходят в состояние генерациипри воздействии сигнала одного генерирующего входного прибора при гене 20 рирующих двух входных приборов ихсигналы поступают на выходной прибор9 - 12 соответствующего разряда впротивофазе через петли боковой связи, расположенные на расстоянии Ж25 2и последний остается в состоянии...

Номер патента: 1720118

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Анисимов, Дейч, Пекелис, Шашко

МПК: H02G 1/04

Метки: действующей, дополнительного, линии, монтажа, провода, электропередачи

...электропередачи на длительное время, что не всегда возможно. Поэтому данный способ повышения пропускной споне получил широкого распрост1720118 Формула изобретения Р = КЕ(Омакс - Омонт) Р - К Е(Омакс - Омонт),31 Составитель В,ПекелисРедактор Н.Горват Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Заказ 775 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 логия вытяжки провода не получила широкого распространения.Целью изобретения является ускорение и повышение качества вытяжки дополнительного провода, подвешиваемого для повышения пропускной способности действующей линии...

Номер патента: 768194

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Жужгов, Мартынова

МПК: C07F 7/02

Метки: действию, качестве, облучения, октааллилсилсесквиоксан, чувствительного, электронного

...снятый с таблеток образцов,запрессованных в бромистый калий в области 400 - 3600 см - , подтверждает силсесквиоксановую структуру полученного вещества и наличие аллильных радикалов, Вспектре отсутствуют полосы поглощения,характерные для гидроксильных групп испиртовых.ИК-спектр (см в ): 400 в 6 - Ь-колебания кремнекислородного каркаса; 780 вС/; 1120 - /Ы - О - Ь 1/тетрациклические;- "полосы поглощения С= С связей расщепляются на дублетные, что характерно для сопряженных систем, в том числе и радикала 55 аллила: дублеты 910 в 9, 100 в 10;1405 в 14 и 1600 - относятся к б и(Лауэ и качание) для кристаллов октааллилсилсесквиоксана, выращенных из хлороформа, определены параметры элементарной ячейки, которая имеет: а=8,91; О==10,16...