Компаунд для заливки радиоэлементов и высоковольтных электроэлементов

Номер патента: 184940

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Аксельрод, Брагин

МПК: H01P 11/00

Метки: компаундом, микромодульных, опрессовки, элементов

...щ ложен г мом, в тки, на элемент чя опрессовки элементов, со камеру, распо щим меха низ в виде каре метизируемые ьные резонаторы 18 кассеты 14, закрепезда кассеты 14 совфиксатором (не по- рычага 12 вниз проКварцевые устанавливаю генной на кар мещается с ос казан). При пе микромодул тся в гнезда тке 9,Ось г ю головки ремещении На фиг. 1 схематгаемое устройство;Головка 1 содержмеру 3, Дозатор 2выталкивателем 4, кдольном канале 6 ксообщается с каналры 8,Устройство включванную в направляку 1, закрепленнуючаг 12. изводится герметизация, при этом головка опускается вниз пружиной 15 рычага 12, Дальнейшее перемещение рычага 12 вниз сопровождается давлением упора 16 на кнопку 17 головки. Кнопка навинчена на шток 8 пневмокамеры 3. При...

Номер патента: 94216

Опубликовано: 01.01.1952

Авторы: Индрих, Ярослав

МПК: F01B 25/14, F01L 31/00

Метки: величин, высокого, давления, изменения, компаунд, низкого, отсечки, паровоза, реверсирования, цилиндрах

...и 4.При повертывании,рычага 5 тяги 2 и 4 получают возвратно-поступательное движение, определяемое формой прорезей 12 и 13. Форма прорезей выбрана таская, что при любой отсечке в цилиндре высокого давления и в цилиндре низкого давления устававливается отсечка, соответствующая наиболее экономичному использованию пара.Малые рычаги 1 б и 17 свободно посажены на стержень 7 или на втулку б. Нижние плечи этих рычагов тягами 18 и 19 и поводками 20 и 21 сочленены с тягами 2 и 4. Верхние концы рычагов указывают установленную величин отсечки на шкаИзвестны устройства для реверсирования и изменения величин отсечки в цилиндрах высокого .и низкого давления паровозов компаунд, управляемые одни,м обобщим рычагом ручного управления,Целью изобретения...

Номер патента: 1836254

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Иренэс

МПК: B65B 9/06, H01L 21/02

Метки: заливки, предназначенной, смолой, смолы, термореактивной, упаковывания, элемента

...установкой, например, для заливки полупроводниковых элементов.Фиг. 1 - схематически показывает экструдер 2, который подает термореактианое пластмассовое вещество. подлежащий пакованию, материал, выходящий из экструдера, обозначен цифрой 4. Этот материал впрыскивается в тонкостенную гибкую пластмассовую упаковку, которая формируется из двух пластмассовых пленок ба, 6 Ь, края которых свариваются друг с другом посредством сварочного устройства 8, так что образуется тонкая гибкая трубка 10. Эта трубка, заполненная по всему поперечному сечению пластмассовым материалом 4 с исключением воздуха, предварительно охлаж-. дается посредством холодного воздуха, подаваемого через мундштуки 11 а. 11 Ь, соединенные с источником холодного...

Номер патента: 24475

Опубликовано: 31.12.1931

Автор: Гамаюнов

МПК: H01M 2/02, H01M 6/00

Метки: групп, заливки, парафином, сухих, элементов

...идущий от горелки внутрь бани. В бане имеется камера 9, служащая для расплавления парафина. Она укрепляется скобами 10 и имеет в крышке отверстие 11, Ящик 12 с элементами, залитымй электролитом, подвешивается над баней на пружинке 13.После того, как в бане получена достаточная температура, ящик 12 опуустройства для заливк К авторскому свидетельст1930 г скают в кипящую воду, а когда электролит в элементах начинает сгущаться, ящик поднимают и центруют аггломераты, Затем погружают ящик снова в воду до окончательного сгущения электролита. Заливку парафином производят с помощью резиновой груши, набирая в нее парафин из камеры 9 и заливая элементы непрерывной струей. После заливки передвигают горелку под воронку 8 и благодаря теплому...

Номер патента: 102105

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Беленкова, Геллер, Наследов, Тартаковская

МПК: C01B 17/00, H01B 7/08

Метки: выпрямительных, высоковольтных, селеновых, элементов

...поверхности селена, химический же состав селена, оставшегося на элементепослс ооработки, ничем це отличается от химического состава солена, имевшегося на элементе до обработки.Селенистый водород образуется, глав,ным образом, в тех местах поверхности сслена, где плотность тока больце, т. е, на выпуклостях этой поверхности, Интенсивноее ооразованио селенистого водорода в местах, соответствующих выпуклостям поверхности сечена, спосооствует сглдживднию этой поверхности. В слабых в механическом отношении местах поверхности селенд селенистый водород, получающийся в процессе прохо;кдения тока. вызывает раздробление поверхности селена, что делает ео более активной для реакции с кадмием протиьоэлектр/1 дд.Указанные изменения поверхности гелена...