Способ изготовления высоковольтных селеновых выпрямительных элементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 102105
Авторы: Беленкова, Геллер, Наследов, Тартаковская
Текст
, Н. Наследов, ф. М. Тартановснал, И. Х, Геллер и Л, Ю, Беленнова СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ СЕЛЕНОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Заявлено 8 июни 1954 г. эа Ъо. А.2390/451235 в Министерств радиотехнической промышленностиОоычцдя технология изготовления селе новых ияпрямительных элементов включает операцию их осерцения после второй кристаллизации. Основная масса элементов, которые производятся по этому способу, допускает обратнов напряжение в среднем 18 в. Сам способ является достаточно ело/к 1 п/и и дорогим.Препятствием к получению селеновых вьчпрямптельных элементов, рассчитанных на работу /на бачев высоких напряжениях, является несовершенный контакт между поверхностью селена и противо- электродом,С целью улучшения электрических параметров этих элементов, достигаемого путем повышения качества указанного контакта, предлагается обрабатывать селеновыо элементы до нанесения протцвоэчектрода электрическим током нд катоде в органическом электролите.Под лецствцем электрического тока, проходящего от погруженного в ограни- ческий электролит (например, этиловый слчирт) алюминиевого диска, служащего анодом, к оордодтывдемому элементу, являющемуся гдтодом, электролит рдзлагаегся с выделением на поверхностен солена атомарного водорода. Последний реагирует с селеном с образованием селенистого водорода, Сслецистый водород, являясь газообразным веществом, удаляется с поверхности селена, химический же состав селена, оставшегося на элементепослс ооработки, ничем це отличается от химического состава солена, имевшегося на элементе до обработки.Селенистый водород образуется, глав,ным образом, в тех местах поверхности сслена, где плотность тока больце, т. е, на выпуклостях этой поверхности, Интенсивноее ооразованио селенистого водорода в местах, соответствующих выпуклостям поверхности сечена, спосооствует сглдживднию этой поверхности. В слабых в механическом отношении местах поверхности селенд селенистый водород, получающийся в процессе прохо;кдения тока. вызывает раздробление поверхности селена, что делает ео более активной для реакции с кадмием протиьоэлектр/1 дд.Указанные изменения поверхности гелена способствуют образованию в процс/сео формовки более совершенного слоя селенида кадмия нд гра/нице селена и верхнего прот/ивоэлектродд, чем это имеет месго в элементах серийного произв//дствд.Тдк кдк слой электюнцого полупроводника Сс 35 е играет существенную роль и процессе выцрямленця, то результатом его улучшения является повышение обратных напряжений селеновых элементов с 18 до 30 в. эффективных, с сохранением прямых падений напряжений в интервале 0,4 - 0,5 в. среднего значения,В качестве электролита могут оыть использованы разгичные органические растворителц, Так, агапрнмер, благоприятные результаты по прямым и обратнымхарактсрн,тикам,рот применение в ка(естьс электро.ьпта 0,0002%-ного ацстонового раствора броз(истого идмиь(,Предмет изобретенияСпособ изготовления высоковольтных селеновых выпрямительных элементов, отличающийся тем, что, с целью утучшения электрических параметров алемотя 11 те со дани Оо,е" Говс(п(1 н- НОГО к нтькть мгяу иоьье(Биост ь(о гс (сиз и противоальктролом, сглсно(:(,( мент до нанесения протпьк 1 электрол,ь . бр(ьбтыва(о электрическим током на катоде в органическом электролите с тем, чтобы получающийся в проц,ссо прохождения тока селенистый водород способствовал сглаживацию поверхности селена..Ч 50362 от 6/1 1956 г. Стандартгиз, Объем 0,125 и, л. Тираж БОО. 1 ена 25 коп.Типографи изд ва Московская правда, Потаповский пер 3. Зак. 303
СмотретьЗаявка
451235, 08.06.1954
Беленкова Л. Ю, Геллер И. Х, Наследов Д. Н, Тартаковская Ф. М
МПК / Метки
МПК: C01B 17/00, H01B 7/08
Метки: выпрямительных, высоковольтных, селеновых, элементов
Опубликовано: 01.01.1955
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-102105-sposob-izgotovleniya-vysokovoltnykh-selenovykh-vypryamitelnykh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления высоковольтных селеновых выпрямительных элементов</a>
Способ получения пористого медного покрытия поверхности элементов радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 567551
Опубликовано: 05.08.1977
МПК: B22F 3/11, B22F 7/00, F28F 13/18
Метки: аппаратуры, медного, поверхности, покрытия, пористого, радиоэлектронной, элементов
...59-64,5, сода (Иа С 0 ) 2,5-3,0 и вода 33-38.П р и м е р . Для получения пористого медного покрытия на внутренней поверхности медных труб чаши испарителей тиристоров ТБ - 400 в водный раствор соды прибавляют медный порошок при следующем количественном соотношении компонентов (вЪ): порошок меди 59, сода 2,5 и вора 33,0, Полученную композицию смешивают до образования пастообразной массы.Пастообразную массу вливают во врашаюшийся в токарном станке мерный трубчатый испаритель. Перед вливанием необ-. ходимо повторить смешивание компонентов с тем, чтобы порошок меди не оседал, Скорость вращения испарителя подбираютэкспериментально, При диаметре пилиндра 44 мм скорость, 300 об/мин. Количество вливаемой смеси определяется толщиной...
Способ увеличения поверхности катода для снижения перенапряжения выделения водорода при электролизе
Номер патента: 71628
Опубликовано: 01.01.1948
Авторы: Березина, Круглова, Федотьев
МПК: C25B 11/04
Метки: водорода, выделения, катода, перенапряжения, поверхности, снижения, увеличения, электролизе
...выделения водорода и получить экономию в расходе энергии.Особенно большое значение имеет увеличение поверхности катодов, что осуществляется путем применения специального покрытия, получаемого осаждением на катод сплава из двух компонентов, из которых один - химически стоек в щелочной среде, второй в мож легко удаляться из покрытия.После удаления второго компонента на катоде остается пористый слой с развитой поверхностью,Согласно изобретению, задача решается нанесением на катод сплавов: никель-сурьмянистого или никель-цинкового. Осаждение никель-сурьмянистого покрытия можно производить из виннокислых никель-сурьмянистых ванн. Для осаждения никель-цинкового сплава можно применять ванну из смеси сульфатов никеля и цинка.Содержание сурьмы...
Чувствительный элемент датчика парциального давления водорода
Номер патента: 1229670
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Пономарева, Уваров, Хайновский, Хайретдинов
МПК: G01N 27/46
Метки: водорода, давления, датчика, парциального, чувствительный, элемент
...Электрод герметично отделяет объем с анализируемымгазом от пространства, где поддерживается постоянное заданное значение давления водорода, 1 ил.1 1229 б 7Изобретение относится к аналитическому приборостроению и может применяться в газовой, химической и других отраслях промьппленности для определения содержания водорода в газовых смесях. 0 Целью изобретения является расширение предела измеряемых давлений. 10На чертеже представлена зависимость давления водорода от электрического напряжения. 15 Фо рмула из обре те ния ОЮ" Ф Ю Ю Составитель В, КазаковТехред Корректор А, Тяско Редактор И. Николайчук Заказ 2445/44 Тираж 778 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,...
Способ разделения изотопов водорода многоступенчатым изотопным обменом между водой и водородом
Номер патента: 1777942
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Морозов, Порембский, Розенкевич, Фадеев
МПК: B01D 59/28
Метки: водой, водорода, водородом, изотопным, изотопов, между, многоступенчатым, обменом, разделения
...(см. ниже пример осуществления способа), а при температуре выше 363 К может начаться необратимое . разрушение мембраны. Вышесказанное иллюстрируется следующими примерами осуществления заявляемого способа.Схема установки представлена на чертеже.Установка состоит из разделительных ячеек 1 - 4, разделенных твердополимерной мембраной на газовое и жидкостное пространство, Со стороны газового пространства на мембрану нанесен платиновый катализатор. Между ячейками установлены обратные холодильники 6 - 8, В низу установки находится приемник воды 9, а вверху - водородная горелка 10, Обогащенную по дейтерию жидкую воду подают в жидкостное пространство ячейки 1, далее последовательно через жидкостные пространства ячеек 2,3 и 4, после чего сливают...
Устройство для очистки загрязненной поверхности элементов конвейера
Номер патента: 1002211
Опубликовано: 07.03.1983
МПК: B65G 45/00
Метки: загрязненной, конвейера, поверхности, элементов
...оо скребком, а другие взаимодействуют с толкателями,На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А нафиг, 1; на фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг, 2,Устройство содержит скребок 1, приемный лоток 2, механизм 3 отклоненияскребка и механизм 4 возвратно-поступательного перемещения очистителя 5скребка 1.Скребок 1 расположен в межленточном пространстве и кинематически сое. динен с барабаном 6, Механизм 3 отклонения скребка 1 содержит кулачок 71установленный на валу 8, который кинематически соединен с барабаном 6, и пру-Мжину 9,:Механизм 4 возвратно-поступательного перемещения очистителя скребка включает кулачки 10, установленныена валу 8 и взаимодействующие с толкателями 11, которые соединены с держателем 12 очистителя 5, и...
Предыдущий патент: Устройство для надевания пластин на трубы
Следующий патент: Способ нарезания конических колес с круговыми (спиральными) зубьями
Случайный патент: Доильное устройство