Двухшестеренчатый бесклапанный реверсивный насос

Номер патента: 240165

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аппаратуры, Всесоюзный, Инструментов

МПК: A61B 1/06

Метки: анисимова, балдин, белкин, г.и, лукомский, м.и

...пз раны во время операции, выполненную, например, в виде изогнутой трубки с отверстием на поверхности выходного конца. Это обеспечивает видимость операционного поля и отток жидкости по мере ее накопления в ране.На чертеже схематически изображен описываемый медиастиноскоп, в двух проекциях.Медиастиноскоп выполнен в виде рукоятки 1 со смотровой трубкой 2, снабженной бокоВым Окно 3 для ханипулнрования биопсп 11- ным инструментом. Свободный конец смотровой трубки срезан под углом, слегка скруглен и имеет оттянутый край для удобства ввода медиастиноскопа в операционную рану. Напротив бокового окна размещена съемная си. П, Балдин и М, И, Анисимов тельский институт хирургическойи инструментов 2стема 4 освещения дпстального типа,...

Номер патента: 248224

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Гутов

МПК: C22B 15/14, C22B 9/04

Метки: а.и, бесценный, г.и, постное, сергеев, суворов, шабашов, яф

...водорода в по указанному спо (2 - 3)10 - %, кислород сумма остальных приме 510 - з%. Скорость проце увеличивается в 3 - 5 раз. ает воз. парного в верти- процесс вленной ставляет О - %, а евышает рованпя редмет изобретен и 15 Способ ри выдержко что, с цель нагревают 10-1 лм рт 20 давлении 10 меди расплавлением отличающийся тем,ции процесса, медь 0 С при давлении выдерживают при-3 лм рт. Ст. Известен способ рафинирования меди в вакууме, предусматривающий перегрев жидкого металла выше 1400 С при давлении 0,3 - 5 лм рт. ст.Отличие предложенного способа заключается в том, что медь нагревают до 1400 - 1450 С при давлении 10 1 мм рт. ст а затем выдерживают при давлении 10- мл рт. ст,Это позволяет интенсифицировать процесс.Сущность способа...

Номер патента: 285977

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 19/28

Метки: закгейм, л1.и, м.и, нейштадт6-ь

...1 и,при сдвиге, так ц блокировка воздействий переключающихся триггеров на базовые депи транзистаров.5 (Рормврование сигнала сд 1 зита осуществляется с помощью ключевых схесч 1 на чергеже не показаны), форм 1 ирующпх отрицательный фронт и подключенных ко входам 33, Л.Передача сигнала сдвига про 11 сход 11 т в р О зультатс того, что потенциальные входы каждой из вОсьми их 1 пульсно 1 потенциалыных схем совпадения подсоединяются к соответству 1 ощчтм выходам предыдущего триггсра. С цель 1 о ооеспечения исправной работы схемы при ко ротком замыкании Одного из закрытьх транзисторов триггера, информация с которого должна псредаваться, потен 1 виальн 1)1 с,вход 11 11 мпульсно-потенциальных схем соединены такич Образом, чтобы...

Номер патента: 289147

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голованов, Кириллов, Луки, Петров, Чужко

МПК: C23C 16/08

Метки: евко, захаров, институт, ленделеева, наздзгдвд-и, р.и, ссср, физической, химии, э.и

...предварительно очи. щают от окислов путем их восстдиовлсиия в потоке чистого водорода, скорость которого 15 с,цсек, при температуре 800 в 12 С 1 течение 30 дган. Лля полсипя моиокристдллически.( покрытий исобходимо предотвратить гомогенное протекдиис реакции. Это достигается поддержанием определенного соотиошеиия между водородом и гсксдфторидом водьфрама, а имсгшо 3 - 6. 11 ачдльиос парцидльиос давлсиие гсксафторида вольфрама поддери(ивдкг 1 0,03 ат,ц, д водорода 0,09, Сииж 1 ют парилы 10 с Д 2 влсиис либО разбаВлеиием редкциоииой смеси инертным газом - аргоиом, гелием, либо разрежением. Скорость потока компонентов от 15 до 100 с,ц,.сек, время пребывдиия в реакционной камере 0,1 - -1 сск. Гсксдфторид вольфрама предвари.тельно...

Номер патента: 907805

Опубликовано: 23.02.1982

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/086

Метки: и-или-ии-или-и-не, логический, элемент

...с эмиттер ными нагрузками 17 и 18 р-п-р транзисторов соединены базы переключающих транзисторов 19 и 20 переключателя тока,39Для анализа работы элемента используется отрицательная логика, когда за логический "0" принимается положительное напряжение, а за логическую "1" - отрицательное,Устройство работает следующим образом,На эмиттерной нагрузке транзисторов 11, 11, реализуется логическаяфункция А 1 А, аналогично для транзисторов 22 и,- В В, для тран. 40эисторов 33 к - СС, для трай.зисторов 4- 4 в - О, 01, На эмиттерной нагрузке 17 общей для р-п-ртранзисторов 5 и 6 (на базе переключающего транзистора 19 переключателя ф 5тока), реализуется функция А 1 А 11 ++ В 1 В На эмиттерной нагрузке 18(на базе переключающего транзистора20 переключателя...