Датчик импульсного электромагнитного излучения

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 251641

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Иотенко, Черных

МПК: G05B 11/52

Метки: бесконтактное, позиционно-импульсное, полупроводниковое, регулирующее

...состоянии и от его сигнала срабатывает блокинг компаратора 2. Усиленный по мощности и стабилизированный по току сигнал поступает в нагрузку и одновременно в цепь питания функционального блока. Конденсаторы блока д С, и Сс заряжаются с постоянными времени Т,=Я;С, и Т.,=й,.С г,де ЯЯ - резисторы ЯС-цепочек функционального блока. На его выходе нарастает напряжение по закону экспоненты, равное разности напряжений 1 хС-цепочек и зависящее от соотношения между постоянными времени Т,Т и напряжения, поданного на каждую пз цепочек.Тогда суммарное напряжение на входе РУ быстрее, чем при отсутствии обратной связи, достигает заданной величины, и при превышении задания на величину нечувствительности за счет последовательного включения двух релейных...

Номер патента: 143868

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Максимов

МПК: G05B 11/28, H03K 5/156

Метки: модулятор, полупроводниковый, широтно-импульсный

...на вход триода Т, с делителя Л. Л, ( о, напр 51 жснис 1 кет достичь СВОСГО к,"эитическОГО значсния Ь 1,р, п 1 эезы 1 П 21 ошсга ПЯНРЯжение обРатной свлзи на эмиттеРном сопРОТВлени 11 ь и схема триггера перейдет во второе устойчивое состояние, при котором триод Тз будет открыт, а триод Т 4 будет закрыт. Схема может перейти В псэвас состояние только прн понижении отрицательного напряжения на входе триода Т, до величины, меньшей Ь. Отрицательное гяп 1 э 5 женис, снмае.Ое с д(литсля Лв, Л 9, Яо и подяВяеъОс пя Вход триода ТЯ, изменяется при изменении напряжения в сети или при перемещении ползунка сопротивления Р 9.Таким образом, при управляющем напряжении, подаваемом с измерительного устройства на вход триода Т 5, но не превыша 1...

Номер патента: 1033948

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Лещинский

МПК: G01N 27/90

Метки: дефектоскоп, импульсный, электромагнитный

...на вход нормально закрвтого ключа 5, после открывания которого происходит заряд емкости б,Емкость 7 заряжается тогда, когдаоткрьты оба ключа 5 и 8, В периодмежду выходными сигналами вихретокового преобразователя 3 на емкости 7 сохраняется напряжение, соответствующее входному сигналу клю"ча 5 е момент закрывания ключа 8,а на емкости б сохраняется напряжение, соответствующее входному сигналу ключа 5 в момент закрыванияпоследнего. Ключи 5 и 8 открываютсяодновременно по сигналам, поступающим на их управляющие еходы с выходов триггеров 9 и 10 соответственно,устанавливаемых в состояние "1" припоступлении на входы установки есостояние "1" этих триггеров импульса с выхода блока 11 задержки, навход которого поступают сигналы свыхода схемы...

Номер патента: 1374150

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Бородина, Висюлькин, Зайцев, Калинин, Синицын

МПК: G01R 29/08

Метки: импульсного, линии, микрополосковой, поля, распределения, электромагнитного

...проходящим через аттенюатор и фазовра" щатель. Это изменение пропорциональ" но квадрату напряженности электрического или магнитного поля. При этом в зависимости от длины области взаимодействия (т.е. в зависимости от длины тонкой пленки 2 в направ" лении распространения поверхностной акустической волны) в фазе прошедшего акустического сигнала содержится информация либо о пространственном, либо о временном распределении электромагнитного поля измеряемого импульса. Сигналы с обоих плеч установки, смешиваясь, поступают на.фазовый детектор 8. Таким образом, сигнал на выходе Фазового детектора 8, развернутый во време" ни в соответствующем масштабе (например, с помощью осциллографа), полностью соответствует пространственному или временному...