Лазер

(5 д ГОСУДАРСТВЕННЦЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГГИЙ(46) 30,12.83. Бюл. Р 48 (72) Н.А. Кошилев, А.В. Михалев, Н.А. Строкин и А.А. Иишко (71) Сибирский институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн Сибирского отделения АН СССР(56) 1. Вцга 16 Н, еС. а 1, Ргбс, СопГ оц Р 1 авща Рпув 1 св апй Сои 1- го 11 ец Бцс 1 еаг Рив 1 оп Вевеагсп, Яа 1 гЪцгц, Бцс 1 еаг Рив 1 оц Бцрр 1, ч. 2, р. 595 (1962).4)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ АЗМЫ В СИСТЕМЕ ТИПА 8 -ПИНЧ, соержащее диэлектрическую камеру, ра мещенную в соленоиде, подключенном через токоподводы к импульсному источнику питания, и разомкнутый соленоид, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения диапазона рабочих давлений, в него введен второй разомкнутый соленоид, при этом оба разомкнутых соленоида подключены к токонодводам, изолированы и размещены в пространстве между соленоидом и камерой коаксиально друг другу, причем разомкнутый соленоид, прилегающий к камере, выполнен сеточным, с размером ячейки 0 удовлетворяющим соотношению1025318 Редактор Л. Письман Техред Ж. Кастелевич Корректор Л,. Патай Заказ 1056 8/9 Тираж 345 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике получения и управления плазмой,Известны устройства для получения плазмы в системе 0 -пинч, содержащие диэлектрическую разрядную камеру, помещенную в соленоид, под 5 ключенный. к импульсному источнику питания 1.При заданных начальных условиях (частоте и величине напряжения импульсного источника питания) ини О циированный в области щели пробой газа переходит в замкнутый кольцевой разряд в узком диапазоне начальных давлений газа, что является недостатком известных устройств. 15Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство дпя получения плазмы в системе 9 -пинч, содержащее диэлек трическую разрядную камеру, размещенную в соленоиде, подключенном через основные токоподводы к испульс ному источнику питания и разомкнутый соленоид, размещенный вне одновиткового соленоида и подключенный посредством вспомогательных токоподводов к одновитковому соленоиду в области его щели Г 2.3Известное устройство работает аналогично описанным выше, причем инициирование пробоя газа в нем происходит одновременно в областях щелей одновиткового и разомкнутого соленоидов.Недостатком этого устройства также является узкий диапазон начальных давлений газа, при котором начальный аксиально несимметричный пробой перерастает в завершенный кольцевой разряд.Цель изобретения - расширение 40 диапазона рабочих давлений газа.Это достигается тем, что в устройстве для получения плазмы в системе типа 9 -пинч введен второй разомкнутый соленоид, при этом оба 45 разомкнутых соленоида подключены к токоподводам, изолированы и размещены в пространстве между соленоидом и камерой коаксиально друг другу причем разомкнутый соленоид, прилегающий к камере, выполнен в виде сетки с размером ячейки 1 , удовлетворяющим соотношению17 63где 3 и 3, соответственно, диаметр и толщина стенки камеры.55 На чертеже дана схема устройства для получения плазмы в системе типа 8 -пинч. Оно состоит из диэлектрической разрядной камеры 1, наполняемой рабочим газом, сеточного электрода 2 в виде разомкнутого соленоида, плотно обхватывающего разрядную камеру. 1 электрод 3 в виде разомкнутого сплош,ного соленоида, который наложен через изолятор на электрод 2, и обхватывающего электроды 2 и 3 одновиткового соленоида 4, подключенного через,токоподводы 5 к импульсному источнику б питания, при этом электроды 2 и 3 соединены через токоподводы с разноименными полюсами источника б питания.Предлагаемое устройство работает следующим.При включении импульсного источника б питания на концах соленоида 4 появляется разность потенциалов и начинает протекать ток контура, Вблизи внутренней стенки диэлектрической камеры 1 появляется индукционное азимутальное поле Е.и квазистатическое поле Е конденсатора, образованного дополнительными электродами 2 и 3, "провалившееся" через сеточный электрод 2 внутрь разрядной камеры 1.В соответствии с условием Р, 3 суммарное поле Е + Е максимально вблизи элементов сеточного электро- да 2, причем области локальных возмущений поля, образованных элемен" тами сеточного электрода 2, часто распределены по внутренней поверх,ности камеры 1 (так как 3 Я 1) ,При величине суммарного поля, превышающего критическое для пробоя газа при заданных начальных условиях, в областях неоднородностей поля инициируются локальные разряды ивозникают плазменные образования,которые, перемешиваясь между собой приводят к образованию однородногогазового разряда.Предлагаемое устройство позволяетполучать плазму с высокой степенью ионизации и хорошей повторяемостьюпараметров от разряда к разряду при давлениях нейтрального газа от 300 до 510 мм рт.ст что в 100 раз превышает диапазон рабочих давлений газа в известной системед -пинча с одновитковым соленоидом.