Газоразрядный источник неизотермической плазмы с осциллирующими электронами
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 196189
Автор: Кубарев
Формула
ГАЗОРАЗРЯДНЫЙ ИСТОЧНИК НЕИЗОТЕРМИЧЕСКОЙ ПЛАЗМЫ С ОСЦИЛЛИРУЮЩИМИ ЭЛЕКТРОНАМИ, содержащий систему электродов с внешним продольным постоянным магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности и скорости плазменного потока и расширения рабочего диапазона давлений, система электродов содержит два анода конической формы, расположенных вершинами один к другому, с независимыми потенциалами относительно катода; внешнее магнитное поле источника образует магнитную "пробку" в зазоре между анодами и имеет напряженность, возрастающую по радиусу от оси источника к периферии.
Описание
Известны источники плазмы типа Пеннинга, содержащие кольцевой анод и два катода, на которые накладывают внешнее продольное постоянное однородное магнитное поле. Такие источники работают при давлении 10-4-10-3 мм рт. ст.
Предложенный газоразрядный источник неизотермической плазмы отличается тем, что его система электродов снабжена двумя анодами конической формы, расположенными вершинами один к другому, с независимыми потенциалами относительно катода. Внешнее магнитное поле источника образует магнитную "пробку" в зазоре между анодами и имеет напряженность, возрастающую по радиусу от оси источника к периферии.
Это позволяет увеличить плотность и скорость плазменного потока и расширить рабочий диапазон давлений.
На чертеже изображена схема газоразрядного источника.
Источник содержит один катод 1, два анода 2 конической формы, имеющих независимые потенциалы относительно катода. Роль правого "зеркала" источника, вызывающего осцилляции электронов, выполняет магнитная "пробка", образованная внешним магнитным полем и расположенная в зазоре между анодами.
При включении анода, находящегося между катодом и магнитной пробкой, источник работает до давлений порядка 10-2 мм рт. ст. , а при включении другого анода - до 10-1 мм рт. ст.
Напряженность внешнего магнитного поля возрастает по радиусу от оси к периферии. Это обеспечивает фокусировку плазменного потока.
Рисунки
Заявка
873249/25, 29.10.1963
Кубарев Ю. В
МПК / Метки
МПК: H01J 17/14
Метки: газоразрядный, источник, неизотермической, осциллирующими, плазмы, электронами
Опубликовано: 15.05.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-196189-gazorazryadnyjj-istochnik-neizotermicheskojj-plazmy-s-oscilliruyushhimi-ehlektronami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Газоразрядный источник неизотермической плазмы с осциллирующими электронами</a>
Газоразрядный источник плазмы дугоплазматронного типа
Номер патента: 1797448
Опубликовано: 09.07.1995
Автор: Черник
МПК: H01J 27/10, H05H 1/24
Метки: газоразрядный, дугоплазматронного, источник, плазмы, типа
...благодаря снижению загрязнения потока расширяется использование газоразрядных источников постоянного тока с присущей им простотой и высокой газовой экономичностью и применяется например в материаловедческих исследованиях и в технологии,разряд между полым катодом и анодом, Благодаря явлению ионной откачки давление в полости электрода возрастает и для его восстановления увеличивают проводимость 5 клапана 15. В канале 5 возникает геометри.ческое контрагирование разряда с характерными скачком потенциала и так называемым "плазменным пузырем", в котором формируется ускоренный пучок элек тронов, производящий интенсивнуюионизацию газа в канале 5 и аноде. Для положительных ионов этот скачок потенциала в канале является барьеоом,...
Источник плазмы
Номер патента: 696982
Опубликовано: 20.10.2006
Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Мельников, Пушкин, Соловьев, Ткачев
МПК: H05H 1/00
Источник плазмы, содержащий катод и охватывающий его цилиндрический анод, отличающийся тем, что, с целью управления плазменной струей, он содержит узел перемещения, по крайней мере одного из электродов относительно оси симметрии источника.
Источник плазмы для микроэлектроники
Номер патента: 511751
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Березкина, Кауфман, Ковальский
МПК: H05H 7/00
Метки: источник, микроэлектроники, плазмы
...термокатода помещена на участке перехода аксиальцого магнитного поля через нулевое значение.На чертеже изображен источник плазмы для микроэлектроники, 30 Он содержит плазмотрон с вольфрамовым термокатодом 1 в виде бцфцлярной рпирали, вблизи которого помещен цилиндр 2, ограничивающий область разряда, Анод- корпус 3 имеет форму цилиндра, в которьш впаяна трубка 4 для полачц аргона. Корпус через керамическцю втулку 5 спаян с тугоплавкой диафрагмой 6 с отверстием для выхода потока плазмы. Поверх трубокохлаждения размещены кольца аксцальцо намагниченного постоянного мапшта 8. Керамическая шайба 9 с термокатодом 1 ц цилиндром 2 сделана съемной. Прц подаче аргона через трубку 4 и включении напряжения ца электролы внутри камеры зажигается...
Источник плазмы
Номер патента: 1829878
Опубликовано: 20.07.1999
Автор: Балмашнов
МПК: H05H 1/46
Источник плазмы, содержащий цилиндрический резонатор, СВЧ-генератор, диэлектрическую разрядную трубу, размещенную соосно резонатору и соединенную с системой откачки и системой напуска рабочего газа, и магнитную систему в виде соленоидов, соосных с диэлектрической трубой и подключенных к источнику постоянного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности ионизации рабочего газа, источник содержит дополнительную магнитную систему, состоящую по меньшей мере из четырех электромагнитов, установленных симметрично относительно продольной оси симметрии разрядной трубы, причем каждый электромагнит подключен к источнику переменного напряжения таким образом, чтобы разность фаз...
Источник плазмы
Номер патента: 584704
Опубликовано: 20.10.2006
Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Соловьев, Ткачев
МПК: H05H 1/00
Источник плазмы, содержащий соосно установленные электроды и магнитную систему, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления отклонением струи плазмы, он снабжен узлом перемещения магнитной системы относительно оси симметрии источника.
Предыдущий патент: Горизонтальный ударный стенд для испытания изделий
Следующий патент: Способ плазменной обработки дисперсного материала
Случайный патент: Устройство для моделирования жесткой механической передачи с люфтом