Патенты опубликованные 23.10.1989

Номер патента: 1402201

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, емкости, заряда, области, полупроводнике, полупроводниковых, пространственного, структур

...где Е, - диэлектрическая проницаемостьМатериала, Я - диэлектрическая пров ицаемость вакуума, Б, - концентрая нескомпенсированных примесей волупроводнике, с 1 - заряд электрона); М, - сопротивление утечки материала б большей шириной запрещенной зоны; Ц - емкость материала с меньшей шииной запрещенной зоны, К, - сопротивение объемных квазинейтральных обастей полупроводников; Бф - фотоЭДС, оявляющаяся при освещении образца;емкостная нагрузка; 7- фотонаряжение (фотоотклик); на фиг,. 4 ременная зависимость фотоотклика 1 (Т) при освещении образца светом,Кривая 1 - при С=С и кривая 2 - 25 4 ри С=С Н, С н (С и, . Чф - значение фотоотклика в точке излома на зависиМости 7 при С=С и, 7 ф - при С= =С 1 где С и С- первое и второе значения...

Номер патента: 1279383

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гаврилюк, Мансуров, Разиков, Чудновский, Шавер

МПК: G01T 1/08

Метки: гамма-излучений, регистрации, рентгеновского

...покрытия;1) Прозрачность в спектральномдиапазоне от 0,4 до 2,0 мкм,2) Хорошая адгезия триоксидавольфрама к слюде.3) Хорошая адгезия к поликристаллической пленке триоксида вольфрама аморфной пленки триокснда молибдена с адсорбированным диметилформамидом,4) Малый размер кристаллитов в поликристаллической пленке триоксида вольфрама. С увеличением размера кристаллита увеличивается рассеяние света в устройстве, что уменьшает отношение сигнал-шум и ухудшает чувствительность устройства к рентгеновскому и гамма-излучениям,Покрытие толщиной менее 0,1 мкм имеет островковую структуру, что непозволяет использовать его в качестве адгезионного. Покрытие толщинойболее 0,5 мкм нежелательно из-эа возрастания рассеяния света в устройстве, что ведет к...

Номер патента: 594843

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Алферов, Андреев, Жиляев, Казаринов, Корольков, Сурис

МПК: H01S 5/30

Метки: генератор, излучения, квантовый, твердотельный, усилитель, электромагнитного

...с различными ширинами запрещенных зон причем толщины указанных слоев больше постоянной кристаллической решетки и меньше длины свободного пробега электронов в данном материале.На фиг.1 дано схематическое иэображение.периодического потенциала сверхрешетки и энергетических уровней594843 Корректор Э.Лончаков 4 аз б 880 Тираж 615 Подписное НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,:д. 4/5В Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина, 101. при отсутствии внешнего электрического поля; на фиг,2 - при приложении электрического поля,Выполнение квантового усилителя и генератора в виде монокристаллической структуры с одномерным периодическим...

Номер патента: 1349684

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Аванесов, Жуков, Полищук, Шамис, Шнырев

МПК: H04N 5/335

Метки: сигнала, телевизионного, формирования

...следования координат центров считываемых ИПССпрямое преобразование Фу" рье упорядоченного сигнала, деление полученного спектра на апертурно-частотную характеристику элемента МИСС 40 и обратное преобразование Фурье.В качестве дефлекторов 2 могут быть использованы, например, акустооптические дефлекторы, Возможно также механическое смещение МПСС 3 от носительно исходного светового потока. Остальные компоненты устройства яв.ляются стандартными.Пусть Ь(х, у) - апертурно-импульс" ная характеристика (АИХ) элементарного фотоприемника, Значение сигнала изображения, получаемого элементарным фотоприемником в точке с координатами (х, у), равноа(х, у) а(х, у) +з(х, у) (1) 55, где аф (х ,у)Ь(х,у ) Ь(х- -х,у -у)Йхду - сигнал беэ шума; Ь(х, у) -...

Номер патента: 1351388

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Нестеров, Щербов

МПК: G01N 22/00

Метки: диагностики, интерферометр, плазмы

...к осциллографу 16.Интерферометр для диагностикиплазмы работает следующим образом, 40СВ 1-сигнал с частотой Г, генерируемой СВЧ-генератором 1, делитсяделителями 2 и 3 сигнала яа измерительный, опорный и гетеродинный сигналы. Измерительный сигнал с частотой 45Г излучается передающим вводом 7 вплазменную камеру 8, принимается приемным вводом 6 и поступает на первыйвход первого смесителя 4 сигнала,Опорный сигнал с частотой й поступает на первый вход второго смесителя5 сигнала. На вторые входы смесителей4 и 5 сигнала поступает гетеродинныйсигнал, прошедший через сдвигатель10 частоты и имеющий частоту Е =Г+Р,г55где Р - частота сдвига, Пройдя черезпервый 4 и второй 5 смесители сигнала; укаэанные сигналы поступают насмесительные...

Номер патента: 1413779

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Амлинский, Гончаров, Неделько, Федько

МПК: B05B 7/20

Метки: детонационного, напыления

...установки, например со стороныотсека 1 противоположной загрузочномупроему 8.Перед началом работы на установкедетонационного напыления она должнанаходиться в исходном состоянии, которое достигается по окончании работв предшествующую смену. Это состояниезаключается в том, что шибер 37 закрыт, то есть герметично перекрываетнаружное приточное отверстие 4 приточной камеры 2.Установка детонационного напыления работает следующим образом.Оператор включает систему электроуправления 54, соответствующие ееблоки и элементы принимают исходноесостояниеПоскольку шибер 37 закрыт,в электрической цепи датчика 39 формируется сигнал, поступающий на вход1379 10 5 10 5 20 25 ЭО 35 40 45 50 55 блока 63 управления продувкой полостей установки, Оператор...

Номер патента: 1236884

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Нестеров, Щербов

МПК: G01N 22/00

Метки: концентрации, плазме, распределения, электронов

...комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к СВЧ-диагностике плазмы и может быть использовано для определения пространственного распределения концентрации электронов в плазме (и ) на установках термоядерного синтеза типа "Токамак", "Ураган",Целью настоящего изобретения является повышение точности при измерении концентрации электронов в высокоплотной плазме больцюго поперечного сечения.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения распределения концентрации электронов в плазме.Устройство для измерения распределения концентрации электронов в .плазме содержит СБЧ-генератор 1, сдвигатель 2 частоты, первый разделитель 3 сигналов, первый, второй, третий и четвертый...

Номер патента: 1181331

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Амлинский, Гончаров, Неделько, Ружейников, Федько

МПК: B05B 7/20, C23C 14/34

Метки: детонационного, напыления

...в течение всего времени напыления, подачаацетилена и кислорода происходитнепрерывно с производительностью, определяемой параметрами смесителягазов ЗЗПроизводительность смесителяопределяется длиной ствола 35 и согласована с частотой зажигания.Оператор открывает вентиль 23 30регулирования расхода ацетилена в ацетиленовой магистрали, сверяясь споказаниями ацетиленового ротаметра24. Ацетилен и кислород из баллонов1 и 3 через вентили 8, рамповые редук торы 9, электромагнитные клапаны,14и 15, цеховые вентили 20, сетевыередукторы 22 в магистралях ацетиленаи кислорода, регулирующие вентили 23,ротаметры 24, электромагнитные клапаны 4028 и 29, блок сухих затворов 31 вацетиленовой магистрали и обратныйклапан 32 в магистрали кислородапоступают в...