Патенты опубликованные 23.11.1985
Устройство для монтажа и демонтажа прессовых соединений
Номер патента: 369773
Опубликовано: 23.11.1985
МПК: B23P 19/027
Метки: демонтажа, монтажа, прессовых, соединений
...при этом на одном конце винта закреплен удлинитель, а другой конец связан с маховиком для предварительной затяжки при сборке. 25Кроме того, привод силового механизма выполнен в виде смонтированного в корпусе цилиндра, рабочая полость которого заполнена гидропластом и снабженного плунжером взаимодействующим с винтом, который кинематически связан с дополнительным маховиком, установленным соосно корпусу устройства.Конструкция предложенного устройства изображена на чертеже,Устройство содержит опорный корпус 1 с размещенным внутри него при 40 водным силовым механизмом в виде закреплен.ого на корпусе и соосно ему кольцевого силового цилиндра 2 с шайбой З,воздействующей на исполнительный орган,выполненный в виде расположенной45 внутри...
Эндопротез диафиза трубчатой кости
Номер патента: 606238
Опубликовано: 23.11.1985
Авторы: Гольденштейн, Янсон
МПК: A61F 2/28
Метки: диафиза, кости, трубчатой, эндопротез
...распределения напряжений внутри эндопротеза обладает недостаточной сопротивляемостью усталости материала и деформирующими свойствами.Цель изобретения - предотвращение разрушения эндопротеза при воздействии ударных нагрузок.Для того прутки сплетены или свиты в виде каната, а диаметры цилиндрических спиралей 4 и 2, образующих ленты прутков, составляют соотношение 1:2-1:5, где о 1 - спирали, направление навивки которой совпадает с наименованием конечности, д спирали, направление навивки которой противоположно наименованию конечности, причем ленты прутков каната, установленного в вершине наименьшего угла треугольника, свиты из цилиндрических спиралей, в которых 0 Ы, ленты прутков каната, установленного в одной иэ двух . других вершин...
Система крепления эндопротеза диафиза кости
Номер патента: 606240
Опубликовано: 23.11.1985
Авторы: Вилка, Даугсте, Пуритис, Янсон
МПК: A61F 2/28
Метки: диафиза, кости, крепления, эндопротеза
...3 имеет на торце конический диск 4, обращенный к остатку материнской кости 5; отверстия соосны пруткам собственно протеза Несущий стержень 3 является одновременно элементом крепления и в верхней части снабжен в эпифизарной части выпуклым металлическим диском 6 со сплошным (на чертеже условно не показано) и сетчатым по крайней мере двухслойным покрытием 7. Сетки покрытия выполнены: одни-из полимерных нитей (капрон, лавсан), а другие - из металлических (химически и биологически инертный материал типа титана, сплава титанациркония с пластифицирующими добавками), причем диаметр образующих сети нитей превышает 0,2 мм, а размеры ячеек 0,5-1 мм. Нити сеток развернуты относительно друг друга в параллельных плоскостях на угол от 10 до 45 . С...
Способ тепловой обработки шишек
Номер патента: 440924
Опубликовано: 23.11.1985
МПК: F26B 3/06
...отбивочный барабан 16, установленный наклонно в сторону выхода отработанных шишек. Под отбивочным барабаном установлены приемники 17. В конце отбивочного барабана установлен вентилятор 18 и бункер 19. 50 55 Дпя того, чтобы транспортирующие шишки не бились лопастями вентиляторов, всасывающие трубопроводы вентиляторов изготовлены меньшего диаметра по сравнению с подающими трубопроводами. В рабочем помещении шишкосушилки установлена семяочистительная машина 20. Рядом с шишкосушилкой установлен воздухоподогреватель 21, подающий теплый воздух в камеру сушки Автомобиль, груженый шишками,въезжает на разгрузочную эстакаду 1и ссыпает шишки в приемный бункер 2.С приемного бункера шишки через открывающуюся заслонку поступают полотку в...
Способ определения параметров варизонного полупроводника
Номер патента: 1074336
Опубликовано: 23.11.1985
Авторы: Волков, Липко, Царенков
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонного, параметров, полупроводника
...его фотолюминесценции при возбуждении со стороны широкозонной поверхности,.полупроводник охлаждают от комнатнойтемпературы до сверхнизких температур, при различных температурах Тизмеряют спектры неполяризованной иполяризованной фотолюминесценции,по измеренным спектрам определяютдлины смещения неравновесных носителей , и их спинов, находят коэффициент оптических потерь поформуле6 наснаса внутренний квантовый выход излучения находят по формуле 55 336 2гдеи .- значенияинасна участке низкотемпературного насыщения зависимостей , Т) и, (т)При освещении варизонного полупроводника, например-типа, с широкозонной стороны неполяризованным светом, в нем возбуждаются неориентированные электроны. Эти электроны движутся под действием...