Способ определения шероховатости поверхности диэлектриков

Номер патента: 1541306

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Зелионкайте, Крылова, Яницкис

МПК: C23G 1/00

Метки: алюминиевых, подложек, селеновых, слоев, тонких, удаления

...электрографических пластин наибо лее пригодны водные растворы дихромата калия и пероксодисульфата калия концентрацией 0,03-0,05 моль/л, При их использовании не выделяется ядовитый сселеноводород, в растворе не образуется коллоидный селен, а качество регенер 1 рованных алюминиевых подложек 99- 1007 Бремя отслаивания селена в растворах дихромата калия75 мин, пероксодисучьфатакалия - 45 мин.В течение термообработки в растворе дихромата калия или пероксодйсульфата калия выкристаллизовавшийся се лвн может быть отделен от раствора и использован в производстве электрографических пластин, а раствор применен для повторного удаления слоев.Растворы перманганата калия, хро мата калия, перекиси водорода исследованных концентраций для удаления...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 920498

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Баженов, Милосердов, Митькин

МПК: G01N 27/22

Метки: датчик, диэлектриков, сопротивления, удельного

...формы, полость которого заполнена жидкой проводящей средой 3 через отверстие 4. Другое отверстие 5 предназначено для выхода воздуха при заполнении объема наконечника жидкой проводящей средой.Охранный электрод выполнен в виде постоянного магнита 6 с.наконечником, образованным двумя ферромагнитными кольцами 7, объем между которыми также заполнен жидкой проводящей средой через отверстие 8. Отверстие 9 предназначено для выхода возууха, Измерительный электрод выполнен в виде немагнитного полого металлического стакана 10, например из алюминия, в котором установлены два полых цилиндра 11 и 12 и стержень 13, являющиеся постоянными магнитами. Полярность внешнего полого цилиндра. 11 и стержня 13 противоположны полярностям...

Номер патента: 2001079

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Васин, Демин, Сорочкин, Сучков, Шестаков

МПК: C09D 9/04

Метки: антиадгезивов, оснастки, поверхности, полимерных, различных, силоксановых, состав, том, удаления, формующей, числе

...40 Н 10 15 20 25 30 35 40 45 50(56) Патент ГДР К 234994,кл, С 08 Е 83/04, 1986.Патент ГДР М 0151765.кл. С 11 О 7/30, 1981. Состав готовят при комнатной температуре и постоянном перемешивании (окружная скорость мешалки не менее 0,60,8 м/с), Для получения 10 кг указанного состава необходимо к 7,32 кг нефраса добавить 0,02 кг смачивдтеля СВи 0,22 кг амицопроизводного оксиэтилированного нонилфенола. а затем 2,44 кг воды. Смешение проводят не менее 5 мин, после чего состав готов к применению.Состав применяот при комндтной температуре. Детали с удаляемым антиадгезивом либо погружают в емкость с составом, либо удаляющий состав наносят на поверхности деталей лобым способом (кисть, полив, ветошь, пропитаная составом), После указанной операции...

Номер патента: 773511

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Цейтлин, Шугаев

МПК: G01R 17/10

Метки: активного, диэлектриков, сопротивления

...моста переменного тока и фа"эового указателя на двойном триоде,.объединенном в общее устройство тем, 25что каждое емкостное плечо моста выполнено в виде двух последовательносоединенных конденсаторов - большейемкости, включенного между анодом исеткой, и меньшей емкости, включен773511 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 7493/56 Тираж 1 Подписное Филиал ППП Патент, г. ужгород Проектная Цель изобретения - исключение зависимости показаний индикатора от изменения диэлектрической проницаемостииэмеряеьых диэлектриков.Цель достигается тем, что известное устройство для измерения активного сопротивления диэлектриков снабжено высокоомным резистором, подключенным параллельно выводам емкостного датчика, включенного последовательно с емкостными плечами...