Сегнетокерамический материал

Номер патента: 368659

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Жуковский, Заремба

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсаторов, лшнолитных, сегнетокерамических

...в воздушной среде при 1380 - 1450 С в течение 2010 - 15 мин.Технологические операции предлагаемогоспособа изготовления монолитных сегнетокерамических конденсаторов аналогичны известному. 25По предлагаемому способу изготовляют заготовку керамического диэлектрика на основе материала, разработанного ранее для спекания в восстановительной атмосфере, - титаната бария с добавками щелочно-земельных ЗО металлов, например кальция, магния при спе канин его нормальной газовой среде. Изготов ляют электроды, в качестве которых исполь зуют палладий, и вжигают их в керамический диэлектрик. Вжигание палладия при изготовлении конденсаторов предложенным способом производят в воздушной среде при 1380 - 1450 С в течение 10 - 15 мин.Это обеспечивает...

Номер патента: 629198

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Бойс, Михайлова, Продавцова, Соколова

МПК: C04B 35/465, H01B 3/12, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...в кот тернал на основе окислов бария нли стронция титана н висмута чнвает величину диэлектрнческо цаемостн ( с ) только в преде 90 и предназначен для изготовл сокочас тотных конденсаторов 1 Ц Однако известное и зобре те ни недостаточную диэлектрическую цаемость .лый 5 0,4Кальций углекислый 3,4-4,8Тнтан двуокись 25,6-26,9цирконий двуокись 5,3-6,8Лантан окись 0,3-0,5Алюминий окись 0,2-0,6 5Введение двуокиси цкрконня и кальция углекислого обеспечивает высокуювеличину 6 магернала, добавка окисилантана прндаег материалу полупроводниковые свойства, а окись алюминияспособствует полноте вхождения лантанв решетку титана бария, образуюцегосяпри сннтезе нсходных компоненгов, г.е,обеспечивае г хорошую воспронзводимосгьизготовления материала с...

Номер патента: 1556420

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воробьева, Елютин, Касенов, Ковалев, Патрикеев, Петухова

МПК: H01G 9/05

Метки: анодов, конденсаторов, материал, оксидно, полупроводниковых, электролитических

МАТЕРИАЛ ДЛЯ АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ, содержащий тантал или ниобий, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда и снижения токов утечки, он дополнительно содержит водород 0,1 - 1 мас. % .

Номер патента: 337836

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Александрова, Вербицка, Иофан

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсаторов, сегнетокерамических

...емкости +. (5 - 10) %, а наличие зазора по диэлектрику повышает надежность конденсаторов 25 или позволяет увеличить рабочее напрякение,зобретен ия ед Изобретение относится к радиоэлектронной ;промышленности и может быть использовано в производстве лобых конденсаторов, работающих в различных схемах радиоэлектроники.Известен опособ изготовления сегнетокерамических конденсаторов путем литья, вырубки и обжига заготовок с последующей металлизацией и резкой заготовки на отдельные элементы.Цель изобретения - повышение надежности конденсаторов в работе и обеспечение возможности подгонки отдельных конденсаторов до разрезания.Для этого по предлагаемому способу металлизацию заготовок, осуществляют с одной стороны сплошньцт слоем, а с другой - в...

Номер патента: 775595

Опубликовано: 30.10.1980

Автор: Блитштейн

МПК: F27B 19/00

Метки: вращающейся, гранулообразного, керамического, обжига, печи, преимущественно, процессом, спека

...в зоне спе- .кания, спек дополнительно усредняется, при воздействии тепла дозревает до заданного значения плотности.Тем не менее, пофракциоиное расслоение потока здесь также имеет место 9что приводит к пофракционному различию значения плотностей.Сужение йотока на выходе печи инакопление материала в начале конической части печи приводит к тому,что высота потока на входе в конус"ную часть значительно больше высоты других сечений потока, в томчисле на выходе конусной части.Здесь высота потока уменьшаетсяэа счет ускорения движения гранулперед выпадением их иэ печи, Разность высот потока в различных сечениях конусной части печи образует наклон его поверхности с возвращающейкрутизной, В связи с этим скорость,продольного движения крупных и...