Способ предотвращения карбонатных отложений

Номер патента: 311145

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лукь, Озерецковский, Пчелкин

МПК: G01G 7/00

Метки: весы, веществ, восприимчивости, магнитной, слабомагнитных

...полюсных наконечников с постоянным магнитом призматической формы и 2 прилегающим к нему, например, в нижней части регулируемым с помощью лимба шунтом магнитного поля. пенные четырьмя стойками (на чертеже не показаны), магнитной системы 1, коромысла 2, несущего ампулу 3 с вешеством и основное зеркало (на чертеже не показано), вспомогательного зеркала 4, осветителя 5, шкалы 6, нанесенной на переднюю стенку корпуса, крутильной головки 7, нити 8 и подвижного и неподвижного центров 9.Магнитная система состоит из двух полюсных наконечников 10 (см, фиг, 2) распорки 11, шпильки с гайками 12, источника магнитного поля - постоянного магнита 13 призматической формы, шунта 14, диска 15, указателя 16 и оси 17, снабженной поводком и варньерным...

Номер патента: 468200

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/00

Метки: анизотропии, длине, магнитных, пленок, поля, тонких, цилиндрических

...намагничиваюшего поля.Если кривую намагничивания вдоль трудной оси представить в виде ломаной линии, первый участок которой проходит через начало координат под некоторым углом, а второй параллелен оси абсцисс, то пересечение обоих участков происходит в точке с координатами, соответствующими полю анизотропии (Нк) и индукции насыщения (ЬС),При воздействии на участке пленки синусоидального намагничивания поля индукции в пленке будет изменяться по гармоническому закону только на линейном участке кривой намагничивания. На втором участке кривой в ее составе появляются нечетные высшие составляющие, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составе вторичной, д. с, намагничиваюшего тока также повляются гармонические...

Номер патента: 1539614

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Гительсон, Дубовицкий

МПК: G01N 21/64

Метки: веществ, водах, неконтактного, органических, природных

...молекул компонентовпи п г(г) п+ (2) п Очевидно, что при разныхйункции () и (С ) будут принимать различнйе значения, Это означает, что при вариации 8 ц величина вклада каждого из веществ в общую интенсивность эхо-сигнала будет изменяться.Экспериментально установлено, что оптимальными при определении гуминовых и Фульвокислот (ГК и ФК) являют" ся длительности зондирующих импульсов 2= 1 нс и ь= 25 нсДлина волны возбуждения - 347 нм (вторая гармоника рубинового лазера), Длительность возбуждающего импульса устанавливают с помощью лазерного затвора типа МЗ-2 (ячейка Поккельса). Количество Фотонов Флуоресценции И при ,и Мприизмеряют в диапазоне волн 450-550 нм, На тестовых однокомпонентных растворах с известными концентрациями ФК...

Номер патента: 289837

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Закирова, Классен, Хажинска

МПК: B03D 1/00

Метки: водных, воды, воздействия, изленения, индикации, магнитного, них, поля, после, свойств, систем

...е концентрации к изменением степе ,кой плотности в абораторные испь его надежность, ь а воды вызывает повытслорода, что фиксируни окраски воды, и опприсутствии пирогаллотания способа подтверпростоту и оператившени ется тиче ла. Л дили ност Предме зобретени Спосоо индикац и водных систем магнитного поля индикатора пирог что, с целью более ниченности воды, галлола насыщают ти изменения своиствпосле воздействия нас применением в качаллола, отличающийся четкого определения о ее перед введением п азотом. воды них стве тем, маг- ироИзвестен способ индикации изменения свойств воды и водных систем после воздействия на них магнитного поля с применением в качестве индикатора пирогаллола.Для проверки эффективности работы аппаратов, с помощью...

Номер патента: 1272205

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....