Способ изготовления пленочных мембран

Номер патента: 826223

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Гюнтер, Дитер, Ингберт, Франц

МПК: G01N 29/04

Метки: механических, опрелеления, свойств, сталей

...следующим образом.В изделие вводят ультразвуковые колебания, замеряют амплитуды прошедших через него ультразвуковых колебаний и сравнивают их с амплитудами прошедших ультразвуковых колебаний, снятых нв образцах с известными критическими температурами хрупкости.Для удобства измерения и повышения точности определения температуры хрупкости изделия строится график зависимости коэффициента ослабленииультразвуковых колебаний, прошедших через образцы, от их КТХ20 .Ню(На+1)1 а об/мм,3. 826223 а гдеЬНиМ - соотношение двух следую- что в изделие вводят ультразвуковые кощих друг за другом амппи- лебания, измеряют амплитуду прошедшихтуд эхо-сигналов на акра- через изделие ультразвуковых колебаний,не дефектоскопа; ; сравнивают ее с амплитудой...

Номер патента: 1260790

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Афтандилянц, Бабыскин, Ефимов, Купыро, Тимофеев, Трапицын

МПК: G01N 25/02

Метки: механических, неразрушающий, свойств, стали

...углерод, как элемент, от которого в наибольшей степени зависят, свойства среднеуглеродистой стали.Факторы второй и третьей групп определялись по комплексограммам, показанным на чертеже, Каждая комплексограмма состоит из двух синхронных кривых; Я - температурная кривая охлаждения теплового центра образца; К - кривая электросопротивления, показывающая его изменение для теплового центра образца в процессе охлаждения, При рассмотрении кривой К выявляются характерные точки Н. И, С, У, Ф, К, которые обнаруживаются на каждой комплексограмме. Эти точки находятся визуально.Проецируя их на кривую О, получим одноименные точки на кривой охлаждения, Из шести точек на кривой К, только точка Н имеет надежную физическую интерпретацию.30 Лйис= 9 нЯи -...

Номер патента: 1525558

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Асташенко, Бондаренко, Зацепин, Станкевич

МПК: G01N 27/80

Метки: механических, свойств, сталей

...генератора 10 напряжения специальной формы, выходом подключенного к управляющему входу транзистор ного регулирующего элемента 9, авходом - к блоку 6 автоматики. Вкачестве генератора 10 напряженияспециальной формы может быть использован генератор напряжения треугольной трапецеидальной и др, Форм.Устройство работает следующим образом.Источник 4 питания преобразователя вырабатывает напряжения и токи,необходимые для британия намагничивающей системы 2, Сигнал с магниточувствительного элемента 3 подается вблок 5 измерения, где выделяется иотображается информация о механических свойствах контролируемого изделия,Блок размагничивания работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторныйрегулирующий элемент находится в запертом состоянии...

Номер патента: 842547

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Зайденман, Капустин, Кутаков, Малиновский, Рычков, Сорокина

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселектив-ный, мембранный, пленочный, электрод

...выполнена в виде множествапленок, заполняющих перФорацию.Такое выполнение электрода с мембраной из множества пленок обеспечивает увеличение прочности последнейбез заметного увеличения сопротивления ее, а вследствие этого увеличение срока службы электрода.На чертеже изображен предлагаемыйионоселективный электрод с мембранойселективной, в качестве примера, ккф,н состои усиз поли ид842547 формула изобретения ного электролитом 2 (О,М КС 1),и внутреннего полуэлемента сравнения 3 из Ао/АоС-проволоки.Погружная часть 4 корпуса имеет перфорацию 5, на которую наклеена тонкая мембрана 6 из поливинилхлорида, содержащего ионофор, например, валиномидин и гчбутилфталат в соотношении 1:0,01:3 соответственноАналотично изгстовляют...

Номер патента: 321970

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Чесноков

МПК: H05K 3/18

Метки: зазором, пленочных, системы, электродов

...по вышенным сцеплением с подложкой т, а споверхностью электрода 2 - пониженным, что обеспечивает в области перекрытия электродов зазор между ними.Пониженная адгезия электрода 1 к элек триоду 2 может оыть выэваца алтжс цацссе321970 Составитель Л. Рубинчи Текред Л, Куклина рректор 3, Тарасо Редактор Т. Морозова ираж 473 Изд.171 аказ 3 дписное ипография, пр. Сапунова, 2 нием на электрод 2 тончайшего слоя подходящего материала, например углеродной пленки или пленки органического материала,При вибрации подложки в направлении, перпендикулярном ее плоскости, и с частотой, превышающей резонансную частоту участка пленочного электрода 1, расположенного на электроде 2, между электродами периодически возникает и захлопывается зазор величиной,...