Способ стабилизации те. шературных характеристик тензорезисторов из медноникелевых сплавов

Номер патента: 1751498

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Богданов, Кувыкин, Орлов

МПК: F16C 32/04

Метки: магнитной, опоры, основе, сверхпроводников, стабилизации

...подключенную к источнику переменногр напряжения (на чертеже не показан),После постоянногб магнита частичнопроникает в сверхпроводящую керамику ввиде вихревых нитей, Конкретное распределение поля зависит от параметров опоры, аименно: от состава и размеров керамики,размера и формы магнита, величины намагниченности и т,п. Один из вариантов распределения силовых линий магнитного поляопоры приведен на чертеже, Катушка создает переменное магнитное поле В = Вп з 1 п Йсгде ВП 1 - амплитуда, Й - частота переменного поля (силовые линии показаны пункти-.ром).При размещении магнита около сверхпроводящего экрана в нем возникают поверхностные токи, направление которыхтаково, что они препятствуют проникновению поля в сверхпроводник. После этих токов...

Номер патента: 657394

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Гасилова, Каплина, Киселев, Коган, Красный-Адмони, Соколов, Шкатова

МПК: G03C 1/86

Метки: галогенсеребряного, импульсионным, основа, светочувствительного, слоем, съемным

....адгезию к эмсионному слою при химико-фотогрческой обработке материала и наотделение сухого эмульсионногопри переносе его на издательскигинал.П р и м е р. Готовят 4-ныйвор поливинилбутираля в зтаноле1-ный раствор гидролизованнойтины в растворе, содержащем эта3 657 и уксУсную кислоту в соотношении 4:1Предлагаемую основу получают последовательным нанесением на бумажную подложку на лакировочной машине приготовленных растворов поливинилбутираля и гидролизованной желатины.Известную основу, соответствующую 6 прототипу, изготовляют последовательным нанесением на бумажную подложку на лакировочной машине 6-ного раствора полистирола в бензоле и 1-ного раствора нитроцеллюлозы, содержащего 10 этанол и эфир в соотношении 1:1. Ва...

Номер патента: 1089097

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Калиниченко, Ленев, Носач, Распопов, Севостьянова

МПК: C09C 1/24

Метки: железа, оксида, основе, пигмента, пластинчатого

...(П 1) в смеси с хпоридом аммония нли железоаммонийные квасцы, после смешения с хлоридами калия и натрия проводят плавление, последующую термообработку ведут при 800- 900 С до достижения полноты разло" жения.Большое содержание кристаллизационной .воды в сульфате железа (П 1) - 9 Н,О и железоаммонийных квасцах - 12 Н,О позволяет сплавлять., соли при сравнительно низких температурах 300-550 С, поэтому раэло" жение железосодержащих солей идет в расплаве, что значительно облегчает диффузию куисталлообразующих комплексов и способствует приближению условий роста кристаллов оксида железа к равновесным.Кислородеодержащие соединения железа позволяют отказаться от барботажа расплава влажным воздухом, поскольку они в отличие от РеС 1Э сразу...

Номер патента: 514244

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Баскаков, Графов, Кноц, Минасян, Новицкий, Фадеев, Чиквиладзе

МПК: G01P 21/00

Метки: датчиков, жидкости, скорости, стабилизации, течения, чувствительности, электрохимических

...рение металла на электроде считывания, и па. дение напряжения на нем увеличивается до тех пор, пока вновь не будет выполнено условие (3).В процессе выхода датчика на режим номинальной чувствительности в начальный период времени ток фона в его измерительной цепи близок в нулю, по мере увеличения концентрации хлора начинает возрастать. В этот начальный период регулирования при со через управляющую цепь ЭУС 6 может пройти большое количество электричества и произойдет уменьшение сопротивления считывания ниже допустимого, что затрудняет процесс регулировки в последующих циклах, Это устраняется путем непрерывной подачи в точку входа С УПТ 2 стартового тока с того же направления, что и ток фона со датчика. Указанный ток судобно отбирать...

Номер патента: 1101028

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Внукова, Зыков, Киселев, Лепилин, Перепелкин, Цыркина, Шульман

МПК: G03C 1/91

Метки: кинофотоматериалов, основа

Основа для кинофотоматериалов, состоящая из полиэтилентерефталатной подложки, промежуточного подслоя, включающего сополимер метилметакрилата и малеиновой кислоты с молекулярной массой 35000 - 40000 и с соотношением звеньев соответственно 7 : 3 и активный компонент, и желатинового подслоя, включающего желатину и о-фталевую кислоту, отличающаяся тем, что, с целью повышения адгезии основы к желатиновому эмульсионному слою, упрощения технологии ее изготовления и снижения токсичности, она в промежуточном подслое в качестве активного компонента содержит резорцин и бензиловый спирт и дополнительно натриевую соль алкил(C15 - C17)моносульфокислоты при следующем соотношении...