Способ определения температуры кристаллатиристора

Номер патента: 608241

Опубликовано: 25.05.1978

Автор: Сарафанов

МПК: H02M 1/02

Метки: выпрямитель-формирователь, импульсов, пилообразных

...выходу токосъем15 25 ного устройства включено через кысср;митепьреле напряжения.На фиг. 1 изображена схема выпрямителя - формирователя,на фиг. 2 - временныедиаграммы, поясню" щие его работу, при 5этом на фиг. 2 аО "формируемое напряжениеГна выходе токосъемника, на фиг. 2 б Осдетектированное напряжение на выходе блока вентилей, на фиг. 2 в Ою - напряжение наактивной нагрузке,Выпрямитель-формирователь пилообразныхимпульсов содержит автоТрансформатор 1,токосъемное устройство 2, состоящее изтокосъемника автотрансформатора и дополните пьпого токосъемника - латунногоцилиндра со щетками, насаженного на валик двигателя через изолирующую трубку,при этом две щетки через изопирукяцуюпланку прикреплены к торцу электродвигателя; синхронный...

Номер патента: 600481

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Березин, Парпаров, Писарский, Райхцаум, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: переходов, температуры

...характеристики управляющего перехода (т, е. наклона касательной в точке вольтдмперной характерцстцкц, которая задается значением измерительного тока более резкая, чем температурная зависимость С р - и.На фцг, 1 представлена блок-схема устройства для осуществления предлагаемого способа; на фиг. 2 - график изменения наклона касательной в заданной точке вольтамперной характеристики управляющего перехода с увеличением температуры от Т до Тг и соответствующего ему изменения разбаланса моста от у,1 до у.Источник измерительного тока 1 включен в цепь испытуемого управляющего перехода, например, тирцсторд 2. Управляющий переход включен в одно цз плеч дифференциального моста переменного тока, плечи которого составляют переменные резисторы 3 и...

Номер патента: 1365298

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Скляренко, Цепелев

МПК: H02M 7/12

Метки: выпрямителя, мостового, тиристорами, трехфазного

...эмиттердвухбазового диода 19. 40В момент времени, когда разностьпостоянного и пилообразного напряжений достигнет порога переключениядвухбазового диода 19, происходитего включение. В результате включения 45двухбазового диода 19 на резисторах20 и 21 формируется импульс напряжения, включающий светодиод соответствующей оптопары 17 или 18. Светодиоды подключены к накопительным конденсаторам 13-16 через общий токоограничительный резистор 22. Емкости накопительных конденсаторов равны и обеспечивают при разряде необходимую длительность светового импульса для вклюв,чения фототиристора оптопары,Эмиттерный переход двухбазовогодиода 19 подключен к диагонали выпрямительного моста, образованного 98 4разделительными диодами 9-12, чтообеспечивает...

Номер патента: 150939

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Алешков, Сахаров, Юдович

МПК: G01N 13/00

Метки: нагрузкой, находящихся, перехода, полупроводниковых, приборов, температуры, электронно-дырочного

...перехода и состоит из: генератора 5 импульсов, импульсного осциллографа б и устройства 7, включающего делитель, ограничитель и переключатель.Прерыватель т синхронизован с трансформатором таким образом,что он пропускает ток в прямой полупериод и разрывает силовую цепьпри прохождении прямого тока через нуль, обесточивая ис ледуемыйвентиль 1 в течение всего обратного полупериода,С трансформатором 2 синхронизован также генератор 5 импульсовЗапуск его происходит по истечении некоторого времени после р ррмат бум УОХ 08/1 ирак150иий и открытий и.1 оГ1 о . иЛак 102 11,ЯИ изд. с 4 кои ГХСР о и.и и ки, 11 ирииа 1 ни 1 ка 14 п(ни 51 прохождения )рямого тока через вентиль т с тем, чтобы Б иссл(.- дуемом приооре закончились переходные...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...