Контейнер для нрессовання

Номер патента: 312642

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Губин, Крюков

МПК: B21C 23/22

Метки: горячего, заготовка, многослойных, прессования

...чего создается напряжение в наружных слоях изделия.10 Описанная заготовка может найти применение в трубном и баллонном производстве. 15 Заготовка для горячего прессования многослойных изделий, выполненная в виде концентрично расположенных втулок, изготовленных из различных материалов, отличаюиаяся тем, что, с целью получения много слойных изделий с напряженными слоями,каждая втулка изготовлена из материала, имеющего температурный коэффициент линейного расширения выше температурного коэффициента линейного р асширения м ате риала втулки, расположенной внутри нее. Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к горячему прессованию многослойных труб.Заготовками в процессах прессования многослойных труб обычно...

Номер патента: 1015151

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Разгуляев, Смирнов

МПК: F16F 5/00

Метки: буфер, гидравлический

...образующих зазор, одинаковые.В результате этого буфер при низкихтемпературах не способен так же плав Оно амортизировать нагрузки, как приположительных температурах. Определенная характеристика у таких буферов сохраняется постоянной только вузком диапазоне температур, Для обеспечения стабильной тормозной харак"теристики буфера при низких темпера. турах требуется его дополнительная регулировка, заключающаяся в том,что соответственно увеличению вязкос Оти рабочей жидкости, увеличивают зазор (если это возможно) или заменяют жидкость на менее вязкую, что являет-. ся большим недостатком таких буферов.Цель изобретения. - эффективность55 торможения при низких температурах и повышение надежности буфера.Указанная цель достигается тем, что в...

Номер патента: 581681

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Корякова, Хрящева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал

...шероховатости, снижающих износоустойчивость при меХаническом контактеголовки с носителем записи в процессе эксплуатации,Цель изобретения - согласованиекоэффициентов линейного термическогорасширения материала корпуса и ферритового сердечника головки, снижениепористости.Это достигается тем, что керамический материал на основе тетратитаната бария дополнительно содержитокись церия и окись лантана при следующем соотношении компонентов,мас.%:Окись церия 1,0 - 2,0Окись лантана 1,0 " 2,0Тетратитанат бария ОстальноеПредлагаемый керамический материал имеет температурный коэффициент.линейного расширения, равный феррито 681 Состав, мас,% Свойства Образцов Микротвердость кг/мм Пористость, Чистота об- Коэффициент,002 00 -0,00 ч 12- ч 712- д 1 800...

Номер патента: 963693

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Афанасьев, Верещагин, Генкин, Дорожкин, Дьяченко, Жорник, Колодич, Ярошевич

МПК: B22F 7/04

Метки: длинномерных, кромках, металлического, покрытий, порошка, режущих

...требованиями к процессу упрочнения режущих элементов кормоуборочного комбайна. Расче)ы прсводи.5 д.)5 толщин пок 1 зытий в пределах от 0,1 до 5,0 мм, которые находят ос)нв)гос применение в се )ьхсзман)инс- строении,Таблица 1/, м 1 О 1.0 2,) О,;8,23,6 42,1 7,8 80,5 15,7 1 6,3 31,6 20,2 30,7 10 20 40 50 3)177,7 ( 3,61620,1 10. 1 2,6 3,0 р) работе на грубых измельчаемых материалах (подсолнечник, кукуруза и др,),н 5)сний - прн работе на тоноволокнистых материалах (трава и др.).Величина угла наклона определяет интенсивность выработки зазора и неравномерность износа покрытия по его длине в ду элеменнм наичучего элемсность равноаемой мася значениеринимается Оптимальным зазором мея тами покрытия, обеспечивающ шую...

Номер патента: 1583768

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Басулина, Косогоров, Марин, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...защитную металлическую мембрану 1 ивызывает ее прогиб, Этот прогиб приводит к перемещенио ее жесткого центра 3 исоответственно стеклянного стержня 5,соединеннага с жестким центром 7.полупроводниковой мембраны. Так как края полупроводниковой мембраны, вынесенные в 40виде опорного кольца 8, соединены с кольцом 2 через стеклянную втулку 4, то перемещение жесткого центра 7. приведет кпоявлению деформаций в тонкой части мембраны 6, Тензосхема, сформированная, на 45обратной стороне полупроводниковой мембраны, преобразовывает деформации н изменение сопротивлений тенэорезисторав исоответственно в выходной сигнал, которыйчерез тонкие выводы 9 поступает на контактную колодку 10 и на выходдатчика. Замембранная полость датчика...