221775

Номер патента: 576629

Опубликовано: 15.10.1977

Авторы: Бочаров, Брусникина, Краснолобова, Персианцева, Розенфельд, Смирнова, Ямпольская

МПК: H01M 4/62

Метки: аккумулятора, ингибитор, окисления, отрицательного, свинца, свинцового, электрода

...кристаллического фенола и Р-нафтолсульфокислоты, с формалином ннгибитором а-Оксинафтойно кислотои возможно только в строго ограниченных пределах: 0,25% дубителя и 0,5% а-оксинафтоиной кислоты к весу свинцовых окислов.В случае изменения этого соотношения в сторону увеличения хотя бы одного из компонентов начинается пассивацпя электродов и аккумулятор, собранный из таких электродов, неработоспособен. При снижении количества дубителя и а-окспнафтойной кислоты не обеспечивается емкость как на первом цикле без подзаряда (т. е. пластины несухозаряженные), так и при дальнейшей работе аккумулятораЗаказ 2281/9 Изд. М 841 Тирак 995 Подписное 1-1 ПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035,...

Номер патента: 1393323

Опубликовано: 30.04.1988

Автор: Райнер

МПК: H01M 4/20, H01M 4/68

Метки: аккумулятора, отрицательный, свинцового, электрод

...делам изобретений и открытий1 1 3035 р Москвст Ж 35 Раушская наб д, /5 Производственно-полиграфическое нредприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к электротехнической промышленности и можетбыть использовано в свинцовых аккумуляторах.Целью изобретения является ттоттьше 5ние прочности соединения решетчатойпластины с токопроводящей планкой.На чеРтеже изображен предттожеццыйэлектрод. 1 ОЭлектрод содержит прямоугольнуюрешетчатую просечно-вытяжную пластину 1, выполненную иэ меди, покрытойподслоем свинцово-оловянистого сплава, а затем слоем свинца. Верхциеконцы 2 пластины залиты свинцом сЬбраэованием токопроводящей планки 3,1 троходящей по местам пересечения 4жилок решетки, При этом свинцом залиты поля 5 ячеек...

Номер патента: 385356

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зинченко, Придачина, Русин

МПК: H01M 10/06, H01M 4/14, H01M 4/57, H01M 4/62

Метки: аккумулятора, отрицательный, свинцового, электрод

...чрезвычайно интенсивно.Цель изобретения - увеличить емкость на стартерном режиме разряда.Это достигается тем, что соотношение количества неорганического расширителя, например сульфата бария, в поверхнос пном слое электрода толщиной 0,1 - 0,5 ям и в остальной части электрода равно 1,05 - 2,5. На чертеже и н преэлектрод.Он состоит из токоотвода 1, на которыйнанесена активная масса 2.,Поверхноспныйд слой электрода а имеет толщину 0,1 - 0,5 лл,Ь более глубокие слои электрода, Количество сульфата бария в поверхностном слое ав 1,05 - 2,5 раза выше его содержания в болееглубоких слоях электрода Ь.1 О Сульфат бария епособспвует адсорбцииорганического расширителя, наааример БНФ,на поверхности разряжающегося электрода.Сульфат бария удерживает...

Номер патента: 306516

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Левина, Педро, Розенцвейг

МПК: H01M 10/24, H01M 10/28, H01M 4/26, H01M 4/28, H01M 4/36

Метки: аккумулятора, безламельного, кадмиевого, щелочного, электрода

...100 гл ламе.акк хвы врован1 ОМ Вем, чхараг.т вмагш Известно стабилизирующее действие магния на кадмиевый электрод щелочного аккумулятора. При изготовлении ламельных электродов магний вводят путем смешения его с активной массой электрода.В случае безламельного фольгового илп металлокерамического электрода, который изготовляют путем пропитки пористой никелевой основы в растворе солей кадмия и щелочи, добавка магния может быть введена только пропиткой электрода в растворе соли магния. Однако введение соли магния непосредственно в смешанный раствор солей кадмия и никеля, в котором пропитывают спеченную основу в процессе изготовления электрода, приводит к уменьшению количества кадмия, осаждающегося в порах основы, а следовательно, к...

Номер патента: 382180

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Казакевич, Мозалевска, Яблокова

МПК: H01M 10/32, H01M 10/44

Метки: аккумулятора, положительным, серебряным, эксплуатации, электродом

...раствора на поверхности электрода. Эт дия требует определенного времени и кает быстрее при наличии на электроде ров кристаллизации. Центрами кристал ции являются уже образовавшиеся кри лы окиси серебра или другие изомор АдО вещества. При наличии достаточно личества центров кристаллизации окиси серебра пиков потенциала не образуется. Такое состояние соответствия скоростей растворения серебра и крнсталлизации окиси серебра реализуется на электроде при очень малых токах заряда, когда необходимое количество заро= дышей успевает образоваться за время роста потенциала до стационарного значения. При заряде болящими токами количество центров кристаллизации не соответств ет скорости процесса окисления и скорость образования окиси серебра на...