Способ изготовления магнитных пленок

Номер патента: 1109800

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Бухштаб, Васильева, Гал, Касаткин, Кузнецова, Куликов, Малютин, Седых, Тимофеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, каналами, магнитных, низкокоэрцитивными, пленок, плоских, продвижения, тонких, ферромагнитных

...силу пленки, примыкающей к каналам. Затем на протравленную часть магнитомягкой пленки наносят магнитожесткую пленку. Таким образом, исчезает необходимость в обменном взаимодействии ,между магнитомягкой и магнитожест-, кой пленками, так как коэрцитивная сила пленки вне каналов определяется минимальной коэрцитивной силой или протравленной части магнитомягкой пленки, или магнитожесткой пленки, В то же время магнитожесткая пленка устраняет полученный в результате . травления перепад в толщине магнитомягкой пленки, уничтожая существовавшие на краях канала рассеивания, и одновременно может служить материалом для магнитожестких аппликаций для регистра сдвига на ПМД с локальными полями стабилизации (ЛПС) .На фиг. 1 изображена конструкция...

Номер патента: 1158950

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Архангельский, Глаголев, Жуков, Панов, Субботенко, Червинский

МПК: G01R 33/14

Метки: гистерезиса, динамических, магнитного, магнитооптический, петель, регистрации

...выход сумматора 29 соединен с входом импульсного источника 4 излучения, а второйвход с выходом первого коммутатора26, второй вход которого связан свыходом первого задающего генератора 15, а третий вход - со вторымвыходом блока 25 задержки и вторымвходом стробоскопического преобразователя 19 первый и второй входывторого коммутатора 28 соединенысоответственно с первым и вторымвыходом Формирователя 12 импульсови первым и вторым входами блока 25задержки, выход второго блока 24выделения модуля - с вторым входоматтенюатора 9, вход первого узкополосного усилителя 13 - с входомвторого узкополосного усилителя 21,второй вход второго синхронногодетектора 22 - с выходом второгозадающего генератора 27, выход первого блока 17 выделения модуляс...

Номер патента: 1226371

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Архангельский, Глаголев, Жуков, Червинский

МПК: G01R 33/14

Метки: гистерезиса, магнитного, магнитооптический, петель, регистрации

...блока 2 преобразуется в напряженность магнитного поля,перемагничивающего образец 16. Световой поток от источника 4 излучения делится светоделителем 5 на двечасти, одна из которых в зависимости от положения дискового обтюратора10 проходит через окно обтюратора10, отражается первым 11 или вторым12 зеркалом, поляризуется первым 6или вторым 7 поляризатором и падаетна образец 16. Азимут плоскости поляризации прошедшего или отраженного от образца 16 светового потокаизменяется на угол, пропорциональныйнамагниченности освещенггого участкаобразца 16 причем углы для световыхпотоков, распространяющихся навстречу друг другу, равны по величине ипротивоположны по знаку,После второго 7 или первого 6 поляризатора изменения азимута поляри-зации...

Номер патента: 1257505

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Лисовский, Щеглов

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитных, параметров, пленок

...пьезоэлектрическом преобразователе 2,и измеряют величину этой напрякенности. В процессе из" менения постоянного поля зависимость цапрякения на пьезоэлектрическом преобразователе Б от поля Н имеет вид, подобный показанному на Фиг. 2. Такой характер кривой обусловлен усилением магнитоупругой связи в малых полях благодаря наличию доменной структуры в пленке. Минимум обсуждаемой зависимости соответствует полю исчезновения доменов (Н ). В неоднородцьх по толщине пленках зависимость Б (Н) иногда имеет несколько максимумов и минимумов (пунктир ца фиг, 2 ), что соответствует различным слоям пленки. В этом случае достаточно зафиксировать тот из минимумов кривой Б (Н),который соответствует минимальному полю Н. Иногда вместо минимума на кривой Б...

Номер патента: 966631

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Подлесный, Службин, Темерти

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитной, магнитных, пленок, поля, тонких

...вектора намагниченности с оптической осью и определяют поле магнитной аннзотропии из соотноше 1 ния 5Н (СЯд чиК соР "где Н - напряженность внешнегомагнитного поля09 - напряженность насыщения;- угол между осью легкогонамагничивания и направлением магнитного поля,- угол между осью легкогонамагничивания и оптической осью.На чертеже представлена функциональная схема устройства, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит образец 1 (тонкую магнитную пленку), распо ложенную между полюсами электромаг- нита 2 с возможностью вращения, По одну сторону образца 1 размещен. источник 3 поляризованного света, по другую сторону вдоль оптической 25 оси - анализатор 4 и фотоприемник 5, соединенный с регистрирующим приборсм б...