М. а. к д. т. колганов и г. и. титаренко1. ь;: со: эзи. я11. “: г, в, — yi1; .;: п; г(: ля еlt; с. г1э”г: . л

Номер патента: 482643

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Домбровский, Скоробогатов

МПК: G01L 19/06

Метки: аппаратах, давления, датчиков, защиты, кипящего, слоя, температуры

...аппарата, производить безопасную замену датчиков на работающих аппаратах безостановки и нарушения технологического ре 10 жима.На чертеже представлено предлагаемое устройство,Оно состоит из стального патрубка 1 сфланцем 2, приваренного к стенке 3 аппарата.15 Внутри патрубка 1 находится корундовый чехол 4, который проходит сквозь стенку аппарата до конца футеровки. Съемная часть устройства состоит из патрубка 5 с воздухоподводящим штуцером 6, муфтового проокового20 крана 7, патрубка 8 с накидной гайкой 9, сальникового уплотнения 10. Накидная гайка 9имеет левую резьбу,Предлагаемое устройство предназначенодля защиты датчиков давления и температуры25 (термопар или термометров сопротивле,.пя)без штуцера.Пьезометрическая трубка для отбора...

Номер патента: 22214

Опубликовано: 31.08.1931

Автор: Векшинский

МПК: C03C 23/00

Метки: кремнекислого, нанесения, поверхность, полупрозрачного, порошка, слоя, стеклянную, цинка

...пленку, образовавшуюся от смачивания стеклянно поверхности раствором фуксова стеклафредлагаемый способ заключается в том,что подлежащая обработке стеклянная поверхность покрывается раствором кремнекислого натра и высушивается в токе теплого сухого воздуха. Затем на полу чившуюся пленку кремнекислого натранасыпают в избытке сухой порошок крем некислого цинка, который легкими постукиваниями и встряхиванием перемещаютзация последней. По удалении избытка порошка обработанную поверхность. подвергают увлажнению струей насыщенного влагой воздуха, после чего вновь насы пают на нее избыток порошка итповто ряют потряхивание и пересыцание; последующее высушивание закрепляет полученный слой кремнекислого цинка на пленке. При необходимости...

Номер патента: 128362

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Соков, Шамраи

МПК: B65G 53/00

Метки: газа, гранулированных, давлением, перемещения, слоем, сплошным, статическим, твердых

...до определенного уровня, который определяется ранее установленным временем заполнения, злектрическии программный аппарат 11 е показан) подает импульс ня мех 11 пизм переключателя я и переводит посредством качающего рукава поток катализатора в емкость 8. После Отсе 1 ения потока катализатора программный аппарат дает импульс на закрытие задвижки на приемном катализаторопроводе к емкости 7 и далее - ня подачу в эту емкость транспор М 128362тирующего агента - сжатого воздуха или пара, д равлением которого катализатор передавливается г, оункер 4 рсгенератора 3, После освобождения емкости 7 программньш аппарат прекращает подачу транспортирующего агента в емкость 7 и открывает приемную задвижку на катализаторопроводе емкости 8,При заполнении...

Номер патента: 514671

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Акулович, Коновалов, Рощеня, Самохин, Семенюк

МПК: B23P 1/18

Метки: генерации, магнитном, поверхностного, поле, порошками, слоя, ферромагнитными

...устройстве; сменный наконечник снабжен изолятором,установленным на его боковой поверхности. амохин, Г, А. Семенюк, М. А. Рошени Л, М, Акулович На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.Оно имеет трубопровод с соплом 1 для подачи смеси (ферромагнитный порошок, охлаждающая жидкость) в рабочий зазор меж-ду сердечником 2 электромагнита и обрабатываемой деталью 3, установленной на поверхности стола 4, Электромагнит состоит из вертикально и неподвижно установлен ной катушки 5 и сердечника 2. Сердечник 2, приводимый во вращение, изолирован в,верхней части с помошью прокладки 6, Внижней части имеет сменный наконечник 7, на боковой поверхности которого закреп лен изолятор 8, служащий для предотвращения образования цепочек...

Номер патента: 974305

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Лукаш, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры

...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...