193753

Номер патента: 242575

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Гольцова, Юткин

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивании, гидропонном, обеззараживания, питательного, раствора, растений, субстрата

...субстрата и обеззараживание питательного раствора производится путем электрогидравлической обработки последнего, Этим обеспечивается упрощение процесса обеззараживания, устраняется зарастание микрофлорой трубопроводов и емкостей установок, а также происходит одновременное обогащение питательного раствора элементами питания раствора,На чертеже схематически изображена гидропонная установка с оборудованием для обработки раствора. В открытом или закрытом резервуаре 1 размещены два или несколько пар электродов 2, питаемых от разрядного контура обычной схемы 3 электрогидравлических установок. Резервуар 1 подсоединен к ответвлению 4 трубопровода для питательного раствора, который перетекает, как обычно, из емкости 5 в стеллаж 6 для...

Номер патента: 1402897

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Королев, Михалычева, Щурин

МПК: G01N 25/52

Метки: азота, вспышки, горючих, жидкостей, оксидов, среде, температуры

...пропускают пары сксидов азота или газовоздушную смесь с заданной концентрацией ОксидОВ азота е Включают нагреватель 1 и контактное реле 12.С заданнсй нерирдичностью на опреде 4 Оленное время контактное реле 12 подключает к источнику переменного напряжения низковольтную обмотку траповФорматора 11, При этом высоковольтная обмотка трансформатора 1.1 подаетнысакое напряжение на электроды 5поджига. Одновременно с этим импульс"ное реле 14 псдазт импуль" напряжения на электромагнит 13, установлен"ный напротив пластины 7 из магнитно"го материала, электромагнит 13 при."тлгивает пластину 7 установленнуюна подвижном влекродеподжига псследний, сгибаясь в подвижном соединении б, перемещается растягиваяпружину 7., и приближается к неподвижному...

Номер патента: 1543319

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Абрамов, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

...найти по формуле аЬс 40 2 9где а - ширина канавки, мм;Ь - расстояние от края подложкидо точки перехода травления 45в кристаллизацию, мм;с - глубина канавки у края подложки, мкм.Величина а и Ь измеряют с точностью + О, 1 мкм, а величину С определяют, изучая интерференционную картину на поверхности подложки, с точностью + 0,2 мкм.В данном случае а = 5 мм, Ь= 42 5 мм с = 8 810 мм следоваЬ 9 955тельно, Ч = 0,94 мм.Затем определяют вес растворившейся части по формулеР =7, где- плотность СаАз,= 5,4 г/см = 5,4 мг/мм,Р = 5 4 0 94 = 5,05 м,и пересчитывают его в концентрациюАз по формулеО ХАз 1+2 ХУ - Р, АСа 9где Р - исходный всс Са Р = 500 мг1".4 О 6 а 9А - . атомный вес Са, Аса= 69,72;М - молекулярный вес СаАз5 05 69,72 эХ : г , 9 = 4 9 410...

Номер патента: 1602183

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава по авт. св. N 1543319, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации раствора-расплава, после первоначального определения момента начала кристаллизации в расплав элемента III группы вводят дополнительное количество соединения AIIIBV для образования насыщенного раствора-расплава при температуре начала кристаллизации раствора-расплава, повторно перемещают раствор-расплав по поверхности кристалла AIIIBV со скоростью , где Vx и V'x скорости перемещения раствора-расплава при первоначальном...

Номер патента: 575807

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирман, Иванов, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

...края.2. Устройство по и.1, о т л ч а ю щ е е с я тем, цто высота лодильника равна 0,2-0,3 диамето пулы. чем перемешивание расплава в ампуле имеет слабую интенсивность.Цель изобретения - повышение скорости роста и качества кристаллов вследствие улучшения условий конвективного перемешивания расплава в области фронта кристаллизации.С этой целью холодильник выполнен в виде цилиндра с внешним диаметром, равным 0,2 - 0,4 внутреннего диаметра печи, и толщиной 0,05-0,15 диаметра ампулы и установлен в зоне нагревателя на расстоянии 1-2 диаметров ампулы от его нижнего края. Высота холодильника равна 0,2-0,3 диаметра ампулы.575807 Редактор Т,Шаргано хред М.Моргентал Кор 1.Филь Заказ 1088 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...