Кл i
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ 79819ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ависимое от авт. свидетсльстваКл, 21 с, 54 Заявлено 02,1.1964 ( 874049/24-7)с присоединением заявкиПриоритет МПК Н 01 сУДК 621.316.842 - 181.4(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано 28.11.1966, Бюллетень6 ата опубликования описания 14.11.196 Авторыизобретени кандров и Н. П, Стафеева А. А. Жаринов, Е. Г. явите ГОНКИ СОПРОТИВЛЕН ПОСО едмет изобретения 20 25 Известный способ подгонки сопротивлений, изготовленных на основе микропровода в стеклянной изоляции, основанный на изменении сопротивления в процессе искусственной стабилизации при нагреве жилы микропровода, неприемлем для подгонки спеченных катушек сопротивления, так как изменение величины сопротивления может происходигь при более высоких температурах, чем температура спекания, что приводит к разрушению контактного узла сопротивления.Предлагаемый способ заключается в том, что, с целью осуществления подгонки сопротивлений, выполненных в виде спеченных катушек, нагрев жилы микропровода осуществляют пропусканием через нее кратковременных импульсов электрического тока большой плотности.Наиболее просто импульсную подгонку можно осуществить посредством разряда через катушку сопротивления электрического конденсатора. Меняя разность потенциалов на обкладках конденсатора и величину его емкости, можно легко управлять режимом импульсной подгонки и осуществлять точный контроль за изменением сопротивления. Для подгонки сопротивления к номиналу требуется 8 - 12 циклов. Подгонку осуществляют при температуре 900 С, Во время прохождения импульса тока жила микропровода нагревается до более высокой температуры, чем температура спекания микропровода. При этом происходит дальнейшее искусственное состаривание жилы и изменяется величина электрического сопротивления. За время импульса стеклоизоляция не успевает нагреться до высоких температур и разрушиться. При импульсной подгонке кристаллическая структура жилы не меняется, однако, устраняется текстура и происходит незначительное изменение параметров кристаллической решетки. Новый способ дает возможность изменять величину сопротивления на 5 - 10 з/с и обеспечивает точность подгонки сопротивлений к номинальному значению -0,020/с. Способ подгонки сопротивлений, выполненных в впдс катушек из микропровода в стек. лянной изоляции, путем терглического старения жилы, отличаюи 1 ийся тем, что нагрев жилы микропровода осуществляют пропусканием через нее кратковременных импульсов электрического тока после процесса спекания катушек.
СмотретьЗаявка
874049
А. А. Жаринов, Е. Г. Никандров, Н. П. Стафеева
МПК / Метки
МПК: H01C 17/16
Метки:
Опубликовано: 01.01.1966
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-179819-kl-i.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Кл i</a>
Предыдущий патент: Непрерывное задающее устройство
Следующий патент: Пхническдя библиотека
Случайный патент: Устройство для поддержания бурильной машины