Способ определения удельной поверхности диоксида марганца

Номер патента: 1368727

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Восекалнс, Каксис

МПК: G01N 21/35

Метки: диоксиде, количественного, марганца, модификаций

...марганца.На фиг.1 представлен ИК-спектрМпО в вазелиновом масле; на фиг.2 -спектр чистого МпО в единицах пропускания; на фиг.З - ЙК-спектр МпО вединицах абсорбции и его разделение; 45на Фиг.4 - калибровочные графики.П р и м е р 1. Порошок МпО смешивают с вазелиновым маслом в количестве примерно 1 мг на 100 мг вазелинового масла. Приготовленную суспензию 5 О(МпО +ВЗ) сжимают между двумя окошками СзЛ для ИК-спектрометрии,ИК-спектр в области от 200 до800 см " снимают на приборе РЕКК 1 ИЕЬМЕК. Получают спектр МпО +ВЗ 55в единицах пропускания (фиг.1, кривая 1). ИК-спектр вазелинового масла+ ВЗ вычитают ИК-спектр чистого вазелинового масла. После вычитания получают спектр чистого МпО(состав:32,842 у-МпО + 67,163 р-МпО ) вединицах...

Номер патента: 1182091

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Кривцова, Нечаева

МПК: C01G 45/02, C25B 1/21

Метки: диоксида, марганца, электролит

...этого электролита был получен целевой продукт состава, Е: Мп 02 72,63, НО 1,98 с удельным сопротивлением 39050 Ом см, Осадок черный, блестящий, хорошо удерживающийся на анодах из никеля, титана, тантала.Иэ этого электролита получают ка" чественные пленки диоксида марганца на различных основах. При получении 10-15 образцов заметных изменений в растворе не наблюдалось.35П р и м е р 2. К 50 мл ацетонитрила при комнатной температуре небольшими порциями приливают 2,5 мл сиропа нитрата марганца И=1,6 г/см), и весь раствор тщательно перемешива 40 ют в течение 1-2 мин до получения однородного прозрачного состоянияТакой электролит содержит, мас.7:Нитрат марганца4,8Вода 4,445Ацетонитрил 90,8Из этого электролита на титановом и никелевом анодах...

Номер патента: 1546516

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Воропаев, Жарский, Лецко, Слесаренко

МПК: C25B 11/04, C25B 11/10

Метки: анода, диоксида, марганца, покрытием

...характеристики анода, Поставленная цель,Изобретение относится химич ес к им про изводс тв ам ти к способам изготовлен кодов,бретения является улучшеациокных характеристик расплава нитрата маргаоют при 300 С до полногитрата марганца до диоОперацию повторяют но получения покрытия тм, Затем наносят слойкца и разлагают его пр ряют до получения пой температуре 75 мкм.1546516 Формула изобретения Способ изготовления анода с покрытием из диоксида марганца, вклюПотенциал анода при поляризации.1000 А/м, В Толщина слояИпО, мкм Пример Температурныйрежим нанесенияопокрытия, С нижний верх- общая .ний начальный через 50 ч электролиза1 этап 11 этап 75 7 75 7 75 7 75 7 75 7 75 7 75 7 200 250 225 200 250 220 150 150 150 5 150 5 50 5 150 75 75 150...

Номер патента: 857286

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Болотова, Варюхичев, Волжанкин, Данилин, Мошкина, Прокопчук, Сафронова

МПК: C22B 3/00

Метки: железа, марганца, разделения, экстракцией

...70-ого раствора трибутилфосфата в синтезе.С ростом концентрации хлористоголития возрастают ко:.ффициенты распределения марганца и железа. Наиболееэффективно разделение протекает винтервале концентрации хлористоголития 4-6 моль/л (табл, 1).Для растворов б моль/л по хлорис"тому литию изучают влияние концентрации азотной кислоты.Концентрация азотной кислоты впределах 0,4-1 моль/л обеспечиваетдовольно полное разделение железа имарганца (табл. 2),Зависимость извлечения железа имарганца от концентрации железаизучают на растворе, содержащемб моль/л хлористого лития, 0,4 моль/лазотной кислоты и 0,3 г/л марганца,На табл. 1 приведено влияние концентрации хлористого лития на экстракцию железа и марганца,На табл. 2 приведено влияние...

Номер патента: 1780479

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Касимов, Овчинников, Протасов, Страчков, Тарасов, Фирсов, Чувашкин

МПК: H01M 6/16

Метки: диоксид, источник, литий, марганца, системы, химический

ХИМИЧЕСКИЙ ИСТОЧНИК ТОКА СИСТЕМЫ ДИОКСИД МАРГАНЦА ЛИТИЙ, состоящий из корпуса с установленными в нем положительными и отрицательными электродами, между которыми расположены сепараторы и дополнительные прокладки, выполненные из термостойкого пористого материала, пропитанного легкоплавким инертным веществом, и электролита, заполняющего межэлектродное пространство, отличающийся тем, что, с целью повышения удельных характеристик при сохранении высокой взрывобезопасности, дополнительные прокладки размещены непосредственно на поверхностях положительных электродов, обращенных к отрицательным электродам.