160181

Номер патента: 1786055

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Галактионов, Давыдова, Селютин, Черепанов

МПК: C09K 11/80

Метки: волоконно-оптического, датчика, люминофор, температуры

...составляет около 0,24 О/С, поэтому данный люминофор не обеспечивает высокой точности измерения температуры,(57) Сущность изобретения: итт ниевый гранат, активированн дополнительно содержит актив и соответствует эмпирйческо 0,86 - 0,93 УзА 5012: 0,04 Сг: Показатели люминофора: длите слесвечения 1515 - 1594 мкс, инт свечения 88 - 100, температур ент послесвечения 0,91-1,04 оео Целью изобретения является повышение М температурного градиента послесвечения люмннофорадпл волоконно.оптичаокогодав. Р ления температуры.Это обеспечивает люминофор на основе иттрий-алюминиевого граната, активированного трехвалентным хромом, и дополнительно лактаном в количестве 3-10 ат.7 р, состав которого удовлетворяет эмпирической формуле: 0,86 - 0,93 УзА 5012:...

Номер патента: 1550925

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Волков, Дунаев, Зинин, Ильинчик, Петров, Пустоваров, Старцев, Шульгин

МПК: C09K 11/06

Метки: вакуумного, визуализации, излучения, люминофор, области, синхронного, ультрафиолета

...доказательством при 35сутствия. кластера Б (о Нь в молекулелюминофора является соответствие егоЯМР "Б-.спектра о(11 б): - 25,9 - 33.961, мд (раствор в диметилформамиде, Внеп 1 ний стандарт НВОэь прибор, 40ВВгт 31 тет" -вхр 300, чаг.тота 96, 2749 МГц,- резонанс, обусловленты наложени.ем сигналов от двух неэквивалентныхгрупп атомов бора (ВоН,р) спектрамсоединений ласса ВрНь 1,ь где 1, = 45=С НБ, Н 3 ( Сь 1 ) эИ)Б ИК-сттг.ктре (образец- таблеткаКБг, прибор Ц 1. 20) Вц,НДЗ е 4-(СН ) С 1.1 Иприсутствуют харяктеристичные полосы поглощения для 3,11(СП )1 С 5 НэИ 430 е 500 е 545 р 595 ь 7Вь752, 840, 980, 100 ь077 ь 1090 ь801213, 1250, 1390, 1423 р 1450,1465 е 1502 е 1568 р 1630 е 2930 е 2958 е2988, 3038, 3065, 3103, 3140 см , атякжР дляБ...

Номер патента: 771576

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Дорошенко, Кернер, Минин, Перельман

МПК: G01R 31/26

Метки: локального, области, перегрева, структуры, температуры, транзисторной

...эмиттер-база.формула изобретения ОфмоН ВНИИПИ Заказ 6688 Фираж 1019 Подписно филиал ППП "Патент .Ужгород,ул.Проект 4 ус,: фрр3 с 771576 4фв у)Эта цель достигается.тем, что на структуры определяют, например, изчальную температуру устанавливают меряя температуру этих областей инпутем пропускания тока, величина ко- фракрасным радиометром на негерметиторого соответствует максимальному зированном транзисторе той же серии,напряжению эмиттер-база, а изменение что и испытуемый.напряжения эмиттер-база измеряют при Предложенный способ повышает точтоке, превышающем эту величину. ность измерения температуры областейРасчеты и эксперимент показывают, локалЬного перегрева транзисторнойчто коэффициент К в приведенной фор- структуры, что позволит....

Номер патента: 1073584

Опубликовано: 15.02.1984

Автор: Сальников

МПК: G01J 3/42

Метки: вакуумного, жидкостей, излучения, области, поглощения, регистрации, спектров, ультрафиолетового

...оптических характеристик- показателя поглощения н показателя преломления жидких образцов в области вакуумного ультрафиолетового излучения и может быть использовано вабсорбционной спектроскопии например при измерении оптических характеристик жидких сцинтилляторов вбиологии,Известны устройства для регистрации спектров поглощения жидкостей в области вакуумного ультрафиолетового излучения содержащие вакуумный монохроматор, регистрирующую систему и кювету Я .Измерение сильных полос поглощения осуществляется по методу слоевнеравномерной толщины, создаваемыхв кювете с образцом введением каплиисследуемой жидкости, зажимаемой между двумя сферическими пластинами с радиусом .кривизны не менее 50 м. Такая система позволяет получить по" степенное...

Номер патента: 893365

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бахарев, Бойцов, Джуромский, Никишов, Суворов, Фиглин

МПК: B21J 5/00

Метки: деформирования, заготовок, сплавов, титановых

...в процессе де"Формирования обеспечивается засчет контакта ее со штампом в процессе деформирования. При этом 25 имеет место переход сплава из (с.++) -области в ) -область в процессе деформации, причем время пребывания сплава в / -области незна" чительно и определяется только З 0 временем деформирования, Это позво ляет получать однородную по всемуобъему изделия микроструктуру,При этом значительно улучшаютсятакие эксплуатационные характерис"тики, как вязкость разрушения (а ),усталостная прочность при наличийконцентраторов напряжений.и др.Способ экспериментально проверенв. производственных условгчх. Обраэ 893365цы из сплава. ВТЭдиаметром 40 и высотой 40 мм осаживали до толщины 10 мм в установке для изотермического деформирования по...