Способ определения направления магнитной компоненты свч поля в объемном резонаторе
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1587457
Автор: Гейфман
Текст
тносится к техник и производят уточ магнитной компоне Изобретение оадиоизмерений, Цель изобрете вления ие на ты СВЧ-по а несколь овышение точстроикоисов. Лоскугол по о образца ольку на о градутаблице енныи по осям па магии тношению нАормацию, в кжен вектор маг х центров не да и ЯПри том учиивности ия инте ижает агнит и при лению Выбор ромбичес обходимо бразца й симм монокристалла условлен нетличающихся при различтранения враделения, какой е ии онияи ЭП ю получ интенсивност н ентацияристаплставляетров. и о ных щения к угол со ных цен дляН с осями парама ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕКИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР АНИЕ ИЗОБРЕ К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 3784756/24-0828.08,8423.08,90. Бюл, Р 31Институт полупроводник(54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРАВЛ НИЯ МАГНИТНОЙ КОМПОНЕНТЫ СВЧ-ПОЛЯ В ОБЪЕМНОМ РЕЗОНАТОРЕ, включающий размещение в поле объемного резонат ра парамагнитного образца, на которь воздействует статическим магнитным с упрощение. б определения направления гнитной компоненты СВЧ-поля в объемном резонаторе реализуется следующим обра зом.Способ основан на применении электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) с использованием радиоспектрометра, включающим воздействие на пара- магнитный образец статического магнитного поля и перпендикулярного к нему СВЧ и наблюдение линий ЭПР, В качестве парамагнитного образца используют монокристалл ромбической симметрии и по таблице соотношения интенсивностей линий электронного парамагнитного резонанса определяют угол магнитной компоненты СВЧ-поля по отношению к осям парамагнитных центров полем, перпендикулярным магнитномсоставляющей СВЧ-поля, и измерениеинтенсивности сигнала электронногопарамагнитного резонанса, о т л ич а ю щ и й с ятем, что, с цельюповышения точности и упрощения, вкачестве парамагнитного образца используют монокристалл ромбическойсимметрии, измерение интенсивностисигнала электронного парамагнитногорезонанса осуществляют для трех типов парамагнитных центров и по соотношению измеренных величин по известным зависимостям определяют углымежуу направлением магнитной компоненты СВЧ-поля и осями парамагнитныхцентров ромбической симметрии. ком квадранте распол нитной компоненты СВ ется расстройка обра тывается знак измене линии ЭПР, определяю ли ось центра к напр компоненты СВЧ-поля.
СмотретьЗаявка
3784756, 28.08.1984
ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН УССР
ГЕЙФМАН ИЛЬЯ НАТАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 29/08
Метки: компоненты, магнитной, направления, объемном, поля, резонаторе, свч
Опубликовано: 23.08.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1587457-sposob-opredeleniya-napravleniya-magnitnojj-komponenty-svch-polya-v-obemnom-rezonatore.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения направления магнитной компоненты свч поля в объемном резонаторе</a>
Индикатор напряженности магнитного сверхвысокочастотного поля в спектрометрах магнитного резонанса
Номер патента: 1509698
Опубликовано: 23.09.1989
Авторы: Баранов, Белькевич, Лиогонький, Любченко, Навоша, Папков, Прохоров, Стельмах, Стригуцкий
МПК: G01N 24/00
Метки: индикатор, магнитного, напряженности, поля, резонанса, сверхвысокочастотного, спектрометрах
...ЭПР данного образца наблюдается дополнительный сигнал боль1шей амплитуды по сравнению с исходным (фиг, 1). На фиг, 3 кривая 1 изображает зависимость отношения амплитуд исходного и дополнительного сигналов урансодержащего битума от напряженности магнитного СВЧ поля Н 1.Фофма спектра ЭПР данного образцаурансодержащего битума меняется в интервале значений напряженности магнитного СВЧ поля от 0,001 до 0,25 Гс, Дл 5сравнения приведена кривая 4, изображающая зависимость отношения амплитуд исходного и дополнительного сигналов,от напряженности магнитного СВЧполя Н для гумата уранила. Видно, чтодля него форма спектра ЭПР меняетсязначительно слабее, чем для урансодержащего битума. Кроме того, форма спектра ЭПР гумата уранила изменяется в,...
Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок
Номер патента: 205372
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Август
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких
...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...
Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок с одноосной анизотропией
Номер патента: 207261
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Торотенков
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких
...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...
Устройство для обработки материалов свч-полем
Номер патента: 1193842
Опубликовано: 23.11.1985
Авторы: Гельперин, Казимирчук
МПК: H05B 6/64
Метки: свч-полем
...для обработки материалов СВЧ-полем содержит камеры 1 нагрева, источники 2 СВЧ-энергии, бункер 3 для выгрузки обработанногоматериала, поршень 4, в днах камер1 нагрева выполнены отверстия 5, атакже кожух 6, шнековый дозатор 7,вращающуюся станину 8, на которойзакреплены камеры 1 нагрева.Устройство работает следующимобразом.Техническая смесь продукта шнековым дозатором 7 подается в одну изкамер после заполнения которойвключается источник 2 СВЧ-энергии,расположенный вблизи наружной цилиндрической поверхности данной камеры 1.При достижении заданной температуры фракционирования источник 2выключается и включается электродвигатель для вращения станины 8, которая. останавливается, когда камера 1с частично расплавленным...
Способ визуализации импульсных свч-полей
Номер патента: 1583877
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Коровин, Ростов, Сморгонский, Шпак, Яландин
МПК: G01R 29/08
Метки: визуализации, импульсных, свч-полей
...комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР1 1 303 5 р Москвар Ж 35 у Рашская наб у д 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к СВЧ-технике и может быть использовано для визуализации антенных полей в режиме редкоповторяющихся наносекундных импульсов СВЧ-излученияЦель изобретения - обеспечение фиксации во времени пространственного распределения.На чертеже изображено устройство 1 О для реализации способа визуализации импульсных СВЧ-полей.Способ визуализации импульсных СВЧ-полей заключается в том, что. на каждый газоразрядный индикатор 15 многоэлементного матричного табло подается постоянное напряжение, величина которого ниже напряжения зажигания, но вьппе напряжения...