158147

Номер патента: 822705

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Федосов

МПК: H01L 21/70

Метки: параметров, полупроводников, реализации, электрофизических

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем,...

Номер патента: 1699251

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Лапидус, Малышев, Скворцов, Тэгай

МПК: G01N 22/00

Метки: градуировки, датчика, параметров, полупроводниковых, резонансного

СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ РЕЗОНАНСНОГО ДАТЧИКА ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, заключающийся в расположении образцов, аттестованных по удельному сопротивлению на измерительное отверстие резонансного датчика, и снятии зависимости выходного сигнала резонансного датчика от электрофизического параметра образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при измерении эпитаксиальных слоев на проводящих изотипных подложках, в качестве образцов, аттестованных по удельному сопротивлению, используют полупроводниковые образцы толщиной, не превышающей максимальную толщину измеряемых эпитаксиальных слоев, на тыльную поверхность которых нанесен металлический слой, измеряют толщину полупроводникового образца, а в качестве электрофизического...

Номер патента: 184516

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Всесоюзный, Горнштейн

МПК: G01N 9/26, G01N 9/36

Метки: газа, идеального, мольного, нормальных, объема, условиях, физических

...функции 1,=(Р), являющейся отношением плотности любого реального газа к давлению, от давления, в диапазоне давлений от 0,2 до 1 атм с дальнейшей экстраполяцией этой величины по прямой до значения 1,=У, при Р==О. При этом мольный объем газа определяют из аналитической зависимости между М - молекулярным весом газа иОписываемый способ отличается от известного тем, что приготовляют двухкомпонентную смесь реальных трудносжижаемых газов с разными по знаку коэффициентами отклонения от закона Бойля такого состава, при котором она ведет себя как идеальный газ при температуре 273,15 К в диапазоне давлений до 1 атм, и, измеряя количественный состав смеси и ее плотность при нормальных условинаходят мольный объем газа. Способ позляет повысить...

Номер патента: 544891

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Калинин, Пивоваров

МПК: G01N 21/02

Метки: зависимости, изменения, комплексного, коэффициента, поглощения, частоты

...прошедшего излучения дос тремальных величин, а коэффици щения определяют по отношению п модуля спектра прямого излучения 15 спектра прямого излучения и по производной фазы спектра прям ния, измеренных на полученных частот. Сущность предлагаемого способа сос 20 следующем. Комплексный К(1 то) определ; (фт) - фвх (изг)10 Формул а изобретения Составители М, КротовТехред Е, Петрова Корректоры: Н. Аук и Е, Хмелева Редактор Н. Коляда Заказ 122/4 Изд. л 1 в 134 Тираж 899 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 где р(оз) и тр(оз) - производные модуля и фазы коэффициента поглощения по частоте,Располагая достаточным числом...

Номер патента: 600482

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, свойств, электрофизических

...производится следующим обра.зом,Путем металлизации участка поверхности ис следуемого полупроводника изготовляют барьерШоттки, который подключают к клеммам 6 и по.мещают в криостат 3, Через барьер пропускают от источника 4 постоянного, тока через нагрузочный резистор 5 прямой постоянный ток, величина кото, рого примерно в два раза превышает ток насьпщения. Изменяя температуру в криостате 3 регистрируют температуру, и измеряемую при помощи термопары 2 и милливольтметра 1, и уровень флук.туаций напряжения по индикатору 7. Затем строят 15 график зависимости логарифма величины, флуктуаций от обратной величины температуры и по графику находят точку перегиба падающего с повышением температуры линейного участка графика.Температура,...