Способ изготовления тороидального магнитодиэлектрического сердечника для катушек индуктивности

Номер патента: 514374

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Корнейчук, Свиридов

МПК: H01J 9/42

Метки: вакуума

...трубке опрсдсляся формулой: 20(2) и 1 е где: 0 р, - падение напряжения на резисторе Й 4,пропорциональное току 1;,Он, - падение напряжения на резисторе Рщ от протекающего тока 1 еПоказания измерителя 5 определяются формулой:К, и = К(Цо, - Ь,) (3)где: Кгр - коэффициент градуировки измерителя 5, Уп 1/и, - напряжения на диодах й и Осоответственно. Напряжение на диодах.О, иОопределяется формулой:Уд= 1 п 1+1 3где: 1 - ток, протекающий через диод В или1121, - обратный ток насыщения,- коэффициент пропорциональности,Из выражений (2, 3, 4) видно, что показания измерителя 5 прямо пропорциональны отношеюнию - , и его шкала линейная.еТогда, исходя из выражения (1), шкалу измерителя 5 можно непосредственно градуировать в единицах давления (мм...

Номер патента: 1791519

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Гловацкий, Поспелов

МПК: E02B 7/18

Метки: вакуума, водовыпуске, насосной, сифонном, срыва, станции

...из-за постепенного снижения оборотов насоса. При этом величина вакуума в сифоне резко возрастает и определяется разйостью отметок гребня сифона 3 и уровня жидкости в аванкамере (УВНБ). При небольших колебаниях " уровня воды в напорном бассейне 5 (УВВБ),когда опорожнение небольшого количества жидкости в объеме столба жидкости в воздуховодной трубе 6 происходит до начала обраЮбЮ "гечения жидкости из сифбна, йолость трубопровода 1 сообщается"с атмос ферой и прбисходит срыв вакуума в сифоне2. Однако при ысокой отметке уровня в напорном бассейне 5 (УВВБ) обратное течение жидкости из сифона начинается прежде, чем из воздуховодной трубы 6 вытечетжидкость,"т.е. безсрыва вакуума в сифоне.С целью ускорения срыва вакуума доначала обратного...

Номер патента: 932319

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Иванов, Иванова, Сильников, Сильникова

МПК: G01L 21/00

Метки: вакуума, герметичном, сосуде

...положение макивности отраженного луине вакуума судят по о максимума от его нажения на тарировочной3 9323При наличии в объекте упругих напряжений, положение пика интерференции рентгеновского луча по сравнению с отражением от ненапряженного объек- та смещается на Величину ьВ, Зависимость между напряжением 6 в центре упругой пластины (крышки герметично го сосуда) и степенью вакуума дР внутри сосуда определяется соотношением 16 3(3 +1)Р 1= - в-,г - ь,где Р, и - радиус и толщина пластинысоответственно;1 - коэффициент Пуассона. 15При измерении напряжения методомрентгеноупругости, имеем зависимость6 = г(ь 9)Таким,образом, степень вакуума Роднозначно характеризуется велициной Формула изобретения О8 ЬлР( ь 6): С(ьд),Способ контроля вакуума в...

Номер патента: 972158

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Нестеренко, Смазной, Холод, Юферов

МПК: F04B 37/08

Метки: вакуума, реципиенте

...полости корпуса 1 заполняют резервуар жидким азотом. Затем из внешнего источника хладапента в сосуд 2 подают жидкий гелий, перед этим необходимо выход змеевика 3 подсоединить к газгольдеру. Во время предварительного охлаждения сосуда 2 и герметичной камеры 4 испаряется значительное количество жидкого гелия. Этого количества гелия, превращенного в пар, хватает не только для предварительного охлаждения змеевика 3, но и для конденсации части откачиваемого из реципиента газа. Для этого с помощью запорно-регулирующего устройства 7 закрывают отверстие 8 и открывают клапан 9. Поступающий из реципиента газ будет при этом конденсироваться на наружной поверхности змеевика 3 (сначала в жидкую фазу, затем в твердую). После охлаждения сосуда 2 и...

Номер патента: 1052899

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Асалханов, Пронькинов

МПК: G01L 21/00

Метки: вакуума

...заключающемусяв измерении сопротивления полупроводникового датчика, вызванного адсорб- д 5цией газа на поверхности его чувствительного элемента, в пооцессе измеренияна чувствительный элемент датчика направляют пучок медленных электронов и повеличине полного тока в цепи чувстви- ЗОтельного элемента судят о величине измеряемого вакуума.Полный ток электронов, прошедшихв тело, определяется особенностями отраЖЕННОГО КотоРЫй СКЛадЫВавтсЯ ИЗ УПРУГго и неупруго отраженных электронов,В полупроводниках неупругое рассеиваниеприводит к возбуждению переходов науровне локальных центров прилипвния,что приводит к их перезарядке и изменя Оет характер упругого рассеивания, что из меняет особенности в поведении упругойкомпоненты отраженного тока и...